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Transistors (3821)

Image Numéro de Produit Prix (USD) Quantité ECAD Quantité disponible Poids (kg) MFR Série Peigner ÉTAT DU PRODUIT Température de fonctionnels Type de Montage Package / ÉTUI Numéro de Protuit de Base Type d'entrée Technologie Power - Max Saisir Forfait de Périphérique Fournisseur Fiche de Donnés ECCN HTSUS Norme de package Configuration Taper fet Condition de test Égoutter la tension de la source (VDSS) Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) RDS SUR (MAX) @ ID, VGS Vgs (th) (max) @ id Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS VGS (max) Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds FET FONCTION Dissipation de Puisse (max) Temps de réménage inversé (TRR) Type igbt Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) Courant - Collectionneur (IC) (Max) COURANT - COPEUR PULSÉ (ICM) Vce (on) (max) @ vge, ic Commutation d'Énergie Charge de Porte TD (On / Off) à 25 ° C Tension - Dépression (V (br) GSS) Courant - Drain (iDSS) @ VDS (VGS = 0) Tension - coupure (VGS off) @ id COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) Thermistance NTC RÉSISTANCE - RDS (ON) Type de transistor VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE FRÉQUENCE - transition
FDP2D3N10C Fairchild Semiconductor Fdp2d3n10c -
RFQ
 ECAD 6950 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild PowerTrench® En gros Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 Fdp2d3 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220-3 télécharger EAR99 8541.29.0095 1 Canal n 100 V 222A (TC) 10V 2,3MOHM @ 100A, 10V 4V à 700µA 152 NC @ 10 V ± 20V 11180 pf @ 50 V - 214W (TC)
FDD8896-F085 Fairchild Semiconductor FDD8896-F085 0 4500
RFQ
 ECAD 973 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® En gros Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 MOSFET (Oxyde Métallique) À 252, (d-pak) télécharger EAR99 8542.39.0001 1 Canal n 30 V 17A (TA), 94A (TC) 4,5 V, 10V 5,7MOHM @ 35A, 10V 2,5 V @ 250µA 60 NC @ 10 V ± 20V 2525 pf @ 15 V - 80W (TC)
FPF2G120BF07AS Fairchild Semiconductor Fpf2g120bf07as 103.1400
RFQ
 ECAD 980 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild - En gros Actif -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou Module 156 W Standard F2 télécharger EAR99 8542.39.0001 3 3 indépendant Arrêt sur le terrain 650 V 40 A 2.2V @ 15V, 40A 250 µA Oui
2SK4066-DL-1EX Fairchild Semiconductor 2SK4066-DL-1EX 1 0000
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 ECAD 8797 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild - En gros Obsolète 150 ° C (TJ) Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab 2SK4066 MOSFET (Oxyde Métallique) À 263-2 télécharger EAR99 8541.29.0095 1 Canal n 60 V 100A (TA) 4,7MOHM @ 50A, 10V - 220 NC @ 10 V 12500 pf @ 20 V - 1 65W (TA), 90W (TC)
FDMS7680 Fairchild Semiconductor FDMS7680 -
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 ECAD 1255 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild PowerTrench® En gros Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 8-PowerTDFN MOSFET (Oxyde Métallique) 8-pqfn (5x6) télécharger EAR99 8542.39.0001 1 Canal n 30 V 14A (TA), 28A (TC) 4,5 V, 10V 6,9MOHM @ 14A, 10V 3V à 250µA 28 NC @ 10 V ± 20V 1850 pf @ 15 V - 2.5W (TA), 33W (TC)
FGA50S110P Fairchild Semiconductor FGA50S110P 1.5400
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 ECAD 45 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild - En gros Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou TO-3P-3, SC-65-3 Standard 300 W To-3pn télécharger EAR99 8542.39.0001 1 - Arête du Champ de Tranché 1100 V 50 a 120 A 2.6V @ 15V, 50A - 195 NC -
FGB5N60UNDF Fairchild Semiconductor FGB5N60UNDF -
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 ECAD 9142 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild - En gros Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab FGB5N60 Standard 73,5 W À 263ab (d²pak) télécharger EAR99 8542.39.0001 1 400V, 5A, 10OHM, 15V 35 ns NPT 600 V 10 a 15 A 2,4 V @ 15V, 5A 80µJ (ON), 70 µJ (OFF) 12.1 NC 5.4NS / 25.4NS
FDD6680AS Fairchild Semiconductor FDD6680AS 0,5200
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 ECAD 10 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild PowerTrench®, Syncfet ™ En gros Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 MOSFET (Oxyde Métallique) À 252, (d-pak) télécharger EAR99 8541.29.0095 1 Canal n 30 V 55A (TA) 4,5 V, 10V 10,5 mohm @ 12,5a, 10v 3V @ 1MA 29 NC @ 10 V ± 20V 1200 pf @ 15 V - 60W (TA)
J112 Fairchild Semiconductor J112 -
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 ECAD 4979 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild - En gros Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 226-3, à 92-3 (à 226aa) 625 MW To-92-3 télécharger 0000.00.0000 27 Canal n - 35 V 5 ma @ 15 V 1 V @ 1 µA 50 ohms
FDPF12N60NZ Fairchild Semiconductor FDPF12N60NZ -
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 ECAD 9919 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild Unifet-ii ™ En gros Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 EXCHET MOSFET (Oxyde Métallique) À 220f-3 télécharger 0000.00.0000 1 Canal n 600 V 12A (TC) 10V 650 mohm @ 6a, 10v 5V @ 250µA 34 NC @ 10 V ± 30V 1676 PF @ 25 V - 39W (TC)
FQP8N90C Fairchild Semiconductor FQP8N90C 1 0000
RFQ
 ECAD 8403 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild QFET® En gros Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220-3 télécharger EAR99 8542.39.0001 1 Canal n 900 V 6.3A (TC) 10V 1,9 ohm @ 3,15a, 10v 5V @ 250µA 45 NC @ 10 V ± 30V 2080 PF @ 25 V - 171W (TC)
FDMC86520L Fairchild Semiconductor FDMC86520L -
RFQ
 ECAD 9527 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild PowerTrench® En gros Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 8-POWERWDFN MOSFET (Oxyde Métallique) 8 MLP (3,3x3,3) télécharger EAR99 8541.29.0095 1 Canal n 60 V 13.5A (TA), 22A (TC) 4,5 V, 10V 7,9mohm @ 13,5a, 10v 3V à 250µA 64 NC @ 10 V ± 20V 4550 PF @ 30 V - 2.3W (TA), 40W (TC)
BC556BTA Fairchild Semiconductor BC556BTA 0,0400
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 ECAD 9 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild - En gros Actif 150 ° C (TJ) Par le trou À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes 500 MW To-92-3 télécharger EAR99 8541.21.0075 1 65 V 100 mA 15NA (ICBO) Pnp 650 mV @ 5mA, 100mA 200 @ 2MA, 5V 150 MHz
FDMS7692A Fairchild Semiconductor FDMS7692A -
RFQ
 ECAD 9891 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild PowerTrench® En gros Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 8-PowerTDFN MOSFET (Oxyde Métallique) 8-pqfn (5x6) télécharger EAR99 8542.39.0001 1 Canal n 30 V 13.5A (TA), 28A (TC) 4,5 V, 10V 8MOHM @ 13A, 10V 3V à 250µA 22 NC @ 10 V ± 20V 1350 pf @ 15 V - 2.5W (TA), 27W (TC)
FDMS8880 Fairchild Semiconductor FDMS8880 1 0000
RFQ
 ECAD 2213 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild PowerTrench® En gros Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 8-PowerTDFN MOSFET (Oxyde Métallique) 8-pqfn (5x6) télécharger EAR99 8542.39.0001 1 Canal n 30 V 13.5A (TA), 21A (TC) 4,5 V, 10V 8,5mohm @ 13,5a, 10v 2,5 V @ 250µA 33 NC @ 10 V ± 20V 1585 pf @ 15 V - 2.5W (TA), 42W (TC)
FGA40S65SH Fairchild Semiconductor FGA40S65SH -
RFQ
 ECAD 9300 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild - En gros Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou TO-3P-3, SC-65-3 Standard 268 W To-3pn télécharger EAR99 8542.39.0001 1 400V, 40A, 6OHM, 15V Arête du Champ de Tranché 650 V 80 A 120 A 1,81 V @ 15V, 40A 194 µJ (ON), 388 µJ (off) 73 NC 19.2NS / 68.8NS
FDS6875 Fairchild Semiconductor FDS6875 -
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 ECAD 4871 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild PowerTrench® En gros Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) FDS68 MOSFET (Oxyde Métallique) 900mw 8-SOIC télécharger 0000.00.0000 1 2 Canal P (double) 20V 6A 30MOHM @ 6A, 4,5 V 1,5 V @ 250µA 31nc @ 5v 2250pf @ 10v Porte de Niveau Logique
FJP3305H1TU Fairchild Semiconductor FJP3305H1TU 0,3700
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 ECAD 87 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild - En gros Actif 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 75 W À 220-3 télécharger EAR99 8542.39.0001 817 400 V 4 A 1µA (ICBO) NPN 1V @ 1A, 4A 8 @ 2a, 5v 4 MHz
FCPF290N80 Fairchild Semiconductor FCPF290N80 3.0800
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 ECAD 8 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild PowerTrench® En gros Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 EXCHET FCPF290 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220f télécharger EAR99 8542.39.0001 98 Canal n 800 V 17A (TC) 10V 290MOHM @ 8.5A, 10V 4,5 V @ 1,7mA 75 NC @ 10 V ± 20V 3205 PF @ 100 V - 40W (TC)
FJAF4310OTU Fairchild Semiconductor FJAF4310OTU -
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 ECAD 3345 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild - En gros Actif 150 ° C (TJ) Par le trou TO-3P-3 EXCHET 80 W To-3pf télécharger EAR99 8541.29.0075 1 140 V 10 a 10µA (ICBO) NPN 500 MV à 500mA, 5A 70 @ 3A, 4V 30 MHz
J113 Fairchild Semiconductor J113 1 0000
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 ECAD 3356 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild - En gros Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 226-3, à 92-3 (à 226aa) 625 MW To-92-3 télécharger 0000.00.0000 1 Canal n - 35 V 2 ma @ 15 V 500 mV à 1 µA 100 ohms
BC848CWT1G Fairchild Semiconductor BC848CWT1G 0,0300
RFQ
 ECAD 45 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild - En gros Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface SC-70, SOT-323 150 MW SC-70-3 (SOT323) télécharger EAR99 8541.21.0075 1 30 V 100 mA 15NA (ICBO) NPN 600 mV @ 5mA, 100mA 420 @ 2MA, 5V 100 MHz
FDB029N06 Fairchild Semiconductor FDB029N06 4.1400
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 ECAD 5 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild PowerTrench® En gros Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab MOSFET (Oxyde Métallique) D2pak (à 263) télécharger EAR99 8542.39.0001 79 Canal n 60 V 120A (TC) 10V 3,1MOHM @ 75A, 10V 4,5 V @ 250µA 151 NC @ 10 V ± 20V 9815 PF @ 25 V - 231W (TC)
FDD4141 Fairchild Semiconductor FDD4141 -
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 ECAD 3202 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild PowerTrench® En gros Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 MOSFET (Oxyde Métallique) À 252, (d-pak) télécharger 0000.00.0000 1 Canal p 40 V 10.8a (TA), 50A (TC) 4,5 V, 10V 12.3MOHM @ 12.7A, 10V 3V à 250µA 50 NC @ 10 V ± 20V 2775 PF @ 20 V - 2.4W (TA), 69W (TC)
FCPF260N60E Fairchild Semiconductor FCPF260N60E 1.8500
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 ECAD 190 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild Superfet® II En gros Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 EXCHET MOSFET (Oxyde Métallique) À 220f-3 télécharger EAR99 8542.39.0001 1 Canal n 600 V 15A (TC) 10V 260MOHM @ 7,5A, 10V 3,5 V @ 250µA 62 NC @ 10 V ± 20V 2500 pf @ 25 V - 36W (TC)
HGTG40N60A4 Fairchild Semiconductor HGTG40N60A4 -
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 ECAD 5081 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild - En gros Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 Standard 625 W À 247 télécharger EAR99 8542.39.0001 1 390v, 40a, 2,2 ohms, 15v - 600 V 75 A 300 A 2,7 V @ 15V, 40A 400 µJ (ON), 370µJ (OFF) 350 NC 25ns / 145ns
HGTP12N60A4D Fairchild Semiconductor HGTP12N60A4D 1.6800
RFQ
 ECAD 83 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild - En gros Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 Standard 167 W À 220-3 télécharger EAR99 8542.39.0001 1 390V, 12A, 10OHM, 15V 30 ns - 600 V 54 A 96 A 2,7 V @ 15V, 12A 55µJ (ON), 50µJ (OFF) 78 NC 17ns / 96ns
FJE5304D Fairchild Semiconductor FJE5304D 1 0000
RFQ
 ECAD 7157 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild - En gros Actif - Par le trou À 225aa, à 126-3 30 W TO-126-3 télécharger EAR99 8542.39.0001 1 400 V 4 A 100 µA NPN 1,5 V @ 500mA, 2,5A 8 @ 2a, 5v -
KSP43TA Fairchild Semiconductor Ksp43ta -
RFQ
 ECAD 9057 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild - En gros Actif 150 ° C (TJ) Par le trou À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes 625 MW To-92-3 télécharger EAR99 8542.39.0001 1 200 V 500 mA 100NA (ICBO) NPN 500 mV @ 2MA, 20mA 40 @ 30mA, 10V 50 MHz
FDMS3606S Fairchild Semiconductor FDMS3606S -
RFQ
 ECAD 7384 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild PowerTrench® En gros Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 8-PowerTDFN FDMS3606 MOSFET (Oxyde Métallique) 1W 8-pqfn (5x6) télécharger EAR99 8542.39.0001 1 2 canal n (double) asymétrique 30V 13a, 27a 8MOHM @ 13A, 10V 2,7 V @ 250µA 29nc @ 10v 1785pf @ 15v Porte de Niveau Logique
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume de RFQ moyen quotidien

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Unité de produit standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricants mondiaux

  • In-stock Warehouse

    15 000 m2

    Entrepôt en stock

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AD9208BBPZ-3000

Tampon exposé de 196-LFBGA

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