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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Type d'entrée | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Configuration | Taper fet | Condition de test | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | VGS (max) | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Dissipation de Puisse (max) | Temps de réménage inversé (TRR) | Type igbt | Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) | Courant - Collectionneur (IC) (Max) | COURANT - COPEUR PULSÉ (ICM) | Vce (on) (max) @ vge, ic | Commutation d'Énergie | Charge de Porte | TD (On / Off) à 25 ° C | Tension - Dépression (V (br) GSS) | Courant - Drain (iDSS) @ VDS (VGS = 0) | Tension - coupure (VGS off) @ id | COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) | RÉSISTANCE - RDS (ON) | Type de transistor | VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC | Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE | FRÉQUENCE - transition |
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![]() | Fqd19n10ltf | 0,3400 | ![]() | 3288 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | QFET® | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 252, (d-pak) | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 5 | Canal n | 100 V | 15.6a (TC) | 5v, 10v | 100 mohm @ 7.8a, 10v | 2V à 250µA | 18 NC @ 5 V | ± 20V | 870 pf @ 25 V | - | 2,5W (TA), 50W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | PN5434 | 0,1500 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) | 350 MW | To-92-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.21.0095 | 2 000 | Canal n | 30pf @ 10v (VGS) | 25 V | 30 ma @ 15 V | 1 V @ 3 na | 10 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Sgp6n60ufdtu | 0,5500 | ![]() | 869 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | SGP6N | Standard | 30 W | À 220-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | 300 V, 3A, 80OHM, 15V | 52 ns | - | 600 V | 6 A | 25 A | 2.6V @ 15V, 3A | 57µJ (ON), 25µJ (OFF) | 15 NC | 15NS / 60NS | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQPF12N60T | 1.0500 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | QFET® | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 EXCHET | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220f-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 600 V | 5.8A (TC) | 10V | 700MOHM @ 2,9A, 10V | 5V @ 250µA | 54 NC @ 10 V | ± 30V | 1900 pf @ 25 V | - | 55W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | NZT660 | 0.1900 | ![]() | 44 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 261-4, à 261aa | 2 W | SOT-223-4 | télécharger | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 609 | 60 V | 3 A | 100NA (ICBO) | Pnp | 550 MV à 300mA, 3A | 100 @ 500mA, 2V | 75 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Ksh50tf | - | ![]() | 3176 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | 15 W | À 252-3 (DPAK) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | EAR99 | 0000.00.0000 | 2 000 | 400 V | 1 a | 200 µA | NPN | 1V @ 200mA, 1A | 30 @ 300mA, 10V | 10 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ISL9V5036P3 | - | ![]() | 2337 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | Ecospark® | Tube | Obsolète | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | Logique | 250 W | À 220-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 400 | 300V, 1kohm, 5v | - | 390 V | 46 A | 1,6 V @ 4V, 10A | - | 32 NC | - / 10,8 µs | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Si3457dv | - | ![]() | 9186 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | MOSFET (Oxyde Métallique) | Supersot ™ -6 | télécharger | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal p | 30 V | 4a (ta) | 4,5 V, 10V | 50MOHM @ 4A, 10V | 3V à 250µA | 8.1 NC @ 5 V | ± 25V | 470 pf @ 25 V | - | 1.6W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Si3442dv | 0,1500 | ![]() | 32 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | MOSFET (Oxyde Métallique) | Supersot ™ -6 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.21.0095 | 3 000 | Canal n | 20 V | 4.1a (TA) | 2,7 V, 4,5 V | 60 mohm @ 4.1a, 4,5 V | 1V @ 250µA | 14 NC @ 4,5 V | 8v | 365 PF @ 10 V | - | 1.6W (TA) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | SFP2955 | 0,3300 | ![]() | 5 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal p | 60 V | 9.4a (TC) | 10V | 300mohm @ 4.7a, 10v | 4V @ 250µA | 19 NC @ 10 V | ± 20V | 600 pf @ 25 V | - | 49W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | HUF76143P3 | 0,7000 | ![]() | 108 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220-3 | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal n | 30 V | 75A (TC) | 4,5 V, 10V | 5,5 mohm @ 75a, 10v | 3V à 250µA | 114 NC @ 10 V | ± 20V | 3900 pf @ 25 V | - | 225W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | RFP40N10LE | - | ![]() | 5879 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220ab | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal n | 100 V | 40A (TC) | 5V | 40 ohm @ 40a, 5v | 3V à 250µA | 180 NC @ 10 V | ± 10V | 3000 pf @ 25 V | - | 150W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | FQB5N60TM | 0,7000 | ![]() | 910 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | QFET® | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | MOSFET (Oxyde Métallique) | D2pak (à 263) | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal n | 600 V | 5A (TC) | 10V | 2ohm @ 2,5a, 10v | 5V @ 250µA | 20 nc @ 10 V | ± 30V | 730 pf @ 25 V | - | 3.13W (TA), 120W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | FJB3307DTM | - | ![]() | 5950 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | FJB3307 | 1,72 W | D²pak | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | 400 V | 8 A | - | NPN | 3V @ 2A, 8A | 5 @ 5a, 5v | - | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDI9406-F085 | 1.3100 | ![]() | 5 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 262-3 longs longs, i²pak, à 262aa | MOSFET (Oxyde Métallique) | I2pak (à 262) | télécharger | Vendeur indéfini | Atteindre non affecté | 2156-FDI9406-F085-600039 | 1 | Canal n | 40 V | 110a (TC) | 10V | 2,2MOHM @ 80A, 10V | 4V @ 250µA | 138 NC @ 10 V | ± 20V | 7710 PF @ 25 V | - | 176W (TJ) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDS7088N7 | 2.0300 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-so | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 30 V | 23A (TA) | 4,5 V, 10V | 3MOHM @ 23A, 10V | 3V à 250µA | 48 NC @ 5 V | ± 20V | 3845 PF @ 15 V | - | 3W (TA) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | SS8050BBU | 1 0000 | ![]() | 7608 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) | 1 W | To-92-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | 25 V | 1,5 A | 100NA (ICBO) | NPN | 500 mV @ 80mA, 800mA | 85 @ 100mA, 1V | 100 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQPF5N50CFTU | 0,6400 | ![]() | 3 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | Frfet® | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 EXCHET | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220f-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 500 V | 5A (TC) | 10V | 1 55 ohm @ 2,5a, 10v | 4V @ 250µA | 24 NC @ 10 V | ± 30V | 625 PF @ 25 V | - | 38W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | Irfr210btf | 0 2400 | ![]() | 224 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 252, (d-pak) | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 000 | Canal n | 200 V | 2.7A (TC) | 10V | 1,5 ohm @ 1,35a, 10v | 4V @ 250µA | 9.3 NC @ 10 V | ± 30V | 225 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 26W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | Si9936dy | - | ![]() | 1573 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | SI9936 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 900mw | 8-SOIC | - | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.21.0095 | 2 500 | 2 Canaux N (double) | 30V | 5A | 50MOHM @ 5A, 10V | 1V @ 250µA | 35nc @ 10v | 525pf @ 15v | - | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDC658P | - | ![]() | 8750 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | MOSFET (Oxyde Métallique) | Supersot ™ -6 | télécharger | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | Canal p | 30 V | 4a (ta) | 10V | 50MOHM @ 4A, 10V | 3V à 250µA | 12 NC @ 5 V | ± 20V | 750 pf @ 15 V | - | 1.6W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDU3N40TU | 1 0000 | ![]() | 1831 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | UniFet ™ | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 251-3 courtise Pistes, Ipak, à 251aa | FDU3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | I-pak | télécharger | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | Canal n | 400 V | 2A (TC) | 10V | 3,4 ohm @ 1a, 10v | 5V @ 250µA | 6 NC @ 10 V | ± 30V | 225 pf @ 25 V | - | 30W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQB1P50TM | - | ![]() | 1733 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | QFET® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | MOSFET (Oxyde Métallique) | D2pak (à 263) | télécharger | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | Canal p | 500 V | 1.5A (TC) | 10V | 10,5 ohm @ 750mA, 10V | 5V @ 250µA | 14 NC @ 10 V | ± 30V | 350 pf @ 25 V | - | 3.13W (TA), 63W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HUFA75344S3S | 0,9400 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | Ultrafet ™ | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | MOSFET (Oxyde Métallique) | D2pak (à 263) | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 400 | Canal n | 55 V | 75A (TC) | 10V | 8MOHM @ 75A, 10V | 4V @ 250µA | 210 NC @ 20 V | ± 20V | 3200 pf @ 25 V | - | 285W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | FJA4210OTU | - | ![]() | 7629 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | 150 ° C (TJ) | Par le trou | TO-3P-3, SC-65-3 | 100 W | To-3p | télécharger | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 140 V | 10 a | 10µA (ICBO) | Pnp | 500 MV à 500mA, 5A | 70 @ 3A, 4V | 30 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Mtd3055vl | 1 0000 | ![]() | 3602 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 252, (d-pak) | télécharger | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | Canal n | 60 V | 12A (TC) | 5V | 180MOHM @ 6A, 5V | 2V à 250µA | 10 nc @ 5 V | ± 20V | 570 pf @ 25 V | - | 3.9W (TA), 48W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDD6670AS | 1.3500 | ![]() | 6386 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 252, (d-pak) | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 162 | Canal n | 30 V | 76a (TA) | 4,5 V, 10V | 8MOHM @ 13.8A, 10V | 3V @ 1MA | 40 NC @ 10 V | ± 20V | 1580 pf @ 15 V | - | 70W (TA) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | TIP31B | 0,1500 | ![]() | 5 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | Tube | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | TIP31 | 2 W | À 220-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | 80 V | 3 A | 300 µA | NPN | 1,2 V @ 375mA, 3A | 10 @ 3A, 4V | 3 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KSC945GBU | 0,0600 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) | 250 MW | To-92-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 000 | 50 V | 150 mA | 100NA (ICBO) | NPN | 300 mV @ 10mA, 100mA | 200 @ 1MA, 6V | 300 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Irfr330btm | - | ![]() | 5841 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | MOSFET (Oxyde Métallique) | Dpak | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal n | 400 V | 4.5a (TC) | 10V | 1OHM @ 2 25A, 10V | 4V @ 250µA | 33 NC @ 10 V | ± 30V | 1000 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 48W (TC) |
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