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Transistors (3821)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Technologie	Power - Max	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Configuration	Taper fet	Gagner	Égoutter la tension de la source (VDSS)	Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C	Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS)	RDS SUR (MAX) @ ID, VGS	Vgs (th) (max) @ id	Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS	VGS (max)	Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds	FET FONCTION	Dissipation de Puisse (max)	Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max)	Courant - Collectionneur (IC) (Max)	COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX)	Type de transistor	VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC	Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE	FRÉQUENCE - transition	RÉSISTANCE - BASE (R1)	Résistance - Base d'Emetteur (R2)	Figure de Bruit (db typ @ f)
FCP125N60E	-	RFQ	6733	Semi-conducteur de Fairchild	Superfet® II	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3	FCP125	MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220-3	télécharger					EAR99	8542.39.0001	1		Canal n		600 V	29A (TC)	10V	125MOHM @ 14.5A, 10V	3,5 V @ 250µA	95 NC @ 10 V	± 20V	2990 PF @ 380 V	-	278W (TC)
FQAF70N15	2.3700	RFQ	925	Semi-conducteur de Fairchild	QFET®	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	TO-3P-3 EXCHET		MOSFET (Oxyde Métallique)		To-3pf	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.29.0095	360		Canal n		150 V	44a (TC)	10V	28MOHM @ 22A, 10V	4V @ 250µA	175 NC @ 10 V	± 25V	5400 pf @ 25 V	-	130W (TC)
IRFS830B	0,2500	RFQ	20	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3 EXCHET		MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220f-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre Affeté		EAR99	8541.29.0095	1		Canal n		500 V	4.5a (TJ)	10V	1,5 ohm @ 2,25a, 10v	4V @ 250µA	35 NC @ 10 V	± 30V	1050 pf @ 25 V	-	38W (TJ)
BD433	0,2700	RFQ	17	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif	150 ° C (TJ)	Par le trou	À 225aa, à 126-3			36 W	TO-126-3	télécharger					EAR99	8541.29.0095	1														22 V	4 A	100 µA	NPN	500 MV @ 200mA, 2A	40 @ 10mA, 5V	3 MHz
FDD6632	0.1400	RFQ	17	Semi-conducteur de Fairchild	Ultrafet ™	En gros	Obsolète	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63		MOSFET (Oxyde Métallique)		À 252, (d-pak)	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.29.0095	2 500		Canal n		30 V	9A (TC)	4,5 V, 10V	70MOHM @ 9A, 10V	3V à 250µA	4 NC @ 5 V	± 20V	255 pf @ 15 V	-	15W (TC)
Si9933bdy	-	RFQ	4430	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®	En gros	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)	SI9933	-	900mw (TA)	8-SOIC	télécharger					EAR99	8541.29.0095	1	2 Canal P (double)			20V	3.4A (TA)		75MOHM @ 3.2A, 4,5 V	1,5 V @ 250µA	20nc @ 4,5 V		825pf @ 10v	-
Rfd8p06le	0,3300	RFQ	7	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 251-3 courtise Pistes, Ipak, à 251aa		MOSFET (Oxyde Métallique)		I-pak	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Vendeur indéfini		EAR99	8541.29.0095	1		Canal p		60 V	8A (TC)	4,5 V, 5V	300mohm @ 8a, 5v	2V à 250µA	30 NC @ 10 V	± 10V	675 PF @ 25 V	-	48W (TC)
FDS7788	2.6000	RFQ	73	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®	En gros	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)		MOSFET (Oxyde Métallique)		8-SOIC	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.29.0095	2 500		Canal n		30 V	18A (TA)	4,5 V, 10V	4MOHM @ 18A, 10V	3V à 250µA	48 NC @ 5 V	± 20V	3845 PF @ 15 V	-	2.5W (TA)
KSD261GBU	0,0300	RFQ	4116	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Obsolète	150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes			500 MW	To-92-3	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.21.0095	9 000														20 V	500 mA	100NA (ICBO)	NPN	400 mV à 50ma, 500mA	200 @ 100mA, 1v	-
Tip30ctu	-	RFQ	6298	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Obsolète	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3			2 W	À 220-3	-	Rohs non conforme		Vendeur indéfini	2156-TIP30CTU-600039			1														100 V	1 a	300 µA	Pnp	700 mV à 125mA, 1A	40 @ 200mA, 4V	3 MHz
MJD31Citu	0,2000	RFQ	40	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif	150 ° C (TJ)	Par le trou	À 251-3 courtise Pistes, Ipak, à 251aa	MJD31		1,56 W	I-pak	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre Affeté		EAR99	0000.00.0000	1480														100 V	3 A	50 µA	NPN	1,2 V @ 375mA, 3A	10 @ 3A, 4V	3 MHz
FDA62N28	3.6600	RFQ	854	Semi-conducteur de Fairchild	UniFet ™	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	TO-3P-3, SC-65-3		MOSFET (Oxyde Métallique)		To-3pn	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.29.0095	30		Canal n		280 V	62A (TC)	10V	51MOHM @ 31A, 10V	5V @ 250µA	100 nc @ 10 V	± 30V	4630 pf @ 25 V	-	500W (TC)
Fqp7p06	0,6600	RFQ	66	Semi-conducteur de Fairchild	QFET®	En gros	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3		MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220-3	télécharger					EAR99	8541.29.0095	457		Canal p		60 V	7a (TC)	10V	410mohm @ 3,5a, 10v	4V @ 250µA	8.2 NC @ 10 V	± 25V	295 pf @ 25 V	-	45W (TC)
FCH47N60F-F085	12.9700	RFQ	421	Semi-conducteur de Fairchild	Automotive, AEC-Q101, Superfet ™	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3		MOSFET (Oxyde Métallique)		À 247	télécharger					EAR99	8541.29.0095	24		Canal n		600 V	47a (TC)	10V	75MOHM @ 47A, 10V	5V @ 250µA	250 NC @ 10 V	± 30V	8000 pf @ 25 V	-	417W (TC)
FDA16N50	1,6000	RFQ	384	Semi-conducteur de Fairchild	UniFet ™	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	TO-3P-3, SC-65-3		MOSFET (Oxyde Métallique)		To-3pn	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.29.0095	30		Canal n		500 V	16,5a (TC)	10V	380mohm @ 8,3a, 10v	5V @ 250µA	45 NC @ 10 V	± 30V	1945 PF @ 25 V	-	205W (TC)
MCH3476-TL-W	0,0900	RFQ	7750	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Obsolète	150 ° C (TJ)	Support de surface	3 mm, plomb plat		MOSFET (Oxyde Métallique)		SC-70FL / MCPH3	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.21.0095	3 000		Canal n		20 V	2a (ta)		125 mohm @ 1a, 4,5 V	1,3 V @ 1MA	1,8 NC @ 4,5 V	± 12V	128 PF @ 10 V	-	800mw (TA)
FJP5555STU	0,4100	RFQ	8	Semi-conducteur de Fairchild	*	En gros	Actif								-	Non applicable	1 (illimité)	Vendeur indéfini		EAR99	8542.39.0001	1
BD676as	0,3000	RFQ	12	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif	150 ° C (TJ)	Par le trou	À 225aa, à 126-3	BD676		14 W	TO-126-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	0000.00.0000	1														45 V	4 A	500 µA	PNP - Darlington	2,8 V @ 40mA, 2A	750 @ 2A, 3V	-
MPSA28	0,0700	RFQ	9106	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes			625 MW	À 92 (à 226)	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.21.0095	1 198														80 V	500 mA	500NA	Npn - darlington	1,5 V @ 100µA, 100mA	10000 @ 100mA, 5V	200 MHz
Fqnl2n50bta	-	RFQ	9170	Semi-conducteur de Fairchild	QFET®	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 Corps Long (Plombs Formes)	Fqnl2	MOSFET (Oxyde Métallique)		To-92-3	télécharger					EAR99	8542.39.0001	1		Canal n		500 V	350mA (TC)	10V	5,3 ohm @ 175mA, 10v	3,7 V @ 250µA	8 NC @ 10 V	± 30V	230 pf @ 25 V	-	1,5 W (TC)
FDMS8662	-	RFQ	5208	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®	En gros	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-PowerTDFN		MOSFET (Oxyde Métallique)		8-pqfn (5x6)	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.29.0095	190		Canal n		30 V	28A (TA), 49A (TC)	4,5 V, 10V	2MOHM @ 28A, 10V	3V à 250µA	100 nc @ 10 V	± 20V	6420 pf @ 15 V	-	2.5W (TA), 83W (TC)
FDMS3662	-	RFQ	5528	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-PowerTDFN		MOSFET (Oxyde Métallique)		Power56	télécharger						0000.00.0000	1		Canal n		100 V	8.9A (TA), 39A (TC)	10V	14.8MOHM @ 8.9A, 10V	4,5 V @ 250µA	75 NC @ 10 V	± 20V	4620 PF @ 50 V	-	2.5W (TA), 104W (TC)
HUF76629D3ST_NL	-	RFQ	7064	Semi-conducteur de Fairchild	Ultrafet®	En gros	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63		MOSFET (Oxyde Métallique)		À 252, (d-pak)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre Affeté		EAR99	8541.29.0095	86		Canal n		100 V	20A (TC)	4,5 V, 10V	52MOHM @ 20A, 10V	3V à 250µA	43 NC @ 10 V	± 16V	1285 PF @ 25 V	-	150W (TJ)
Fjv3102rmtf	0,0300	RFQ	41	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif		Support de surface	À 236-3, SC-59, SOT-23-3	FJV310		200 MW	SOT-23-3 (à 236)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	0000.00.0000	3 000														50 V	100 mA	100NA (ICBO)	NPN - Pré-biaisé	300 mV à 500 µA, 10mA	30 @ 5mA, 5V	250 MHz	10 kohms	10 kohms
Ksp10bu	0,0400	RFQ	15	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif	150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa)			350mw	To-92-3	télécharger					EAR99	8542.39.0001	7 036			-											25V	-		NPN		60 @ 4MA, 10V	650 MHz			-
FCU3400N80Z	0,6100	RFQ	1	Semi-conducteur de Fairchild	Superfet® II	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 251-3 courtise Pistes, Ipak, à 251aa		MOSFET (Oxyde Métallique)		I-pak	télécharger					EAR99	8542.39.0001	1		Canal n		800 V	2A (TC)	10V	3,4 ohm @ 1a, 10v	4,5 V @ 200µA	9.6 NC @ 10 V	± 20V	400 pf @ 100 V	-	32W (TC)
SSP1N60A	0,1000	RFQ	5	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3		MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Vendeur indéfini		EAR99	8541.29.0095	1		Canal n		600 V	1A (TC)	10V	12OHM @ 500mA, 10V	4V @ 250µA	11 NC @ 10 V	± 30V	190 pf @ 25 V	-	34W (TC)
NDF0610	-	RFQ	9776	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif		Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa)		MOSFET (Oxyde Métallique)		To-92-3	télécharger		Vendeur indéfini	Vendeur indéfini	2156F0610-600039			1		Canal p		60 V	180mA (TA)		10OHM @ 500mA, 10V	3,5 V @ 1MA	1,43 NC @ 10 V		60 pf @ 25 V	-
FQI3N80TU	1 0000	RFQ	6011	Semi-conducteur de Fairchild	QFET®	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 262-3 longs longs, i²pak, à 262aa		MOSFET (Oxyde Métallique)		I2pak (à 262)	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.29.0095	50		Canal n		800 V	3A (TC)	10V	5OHM @ 1,5A, 10V	5V @ 250µA	19 NC @ 10 V	± 30V	690 pf @ 25 V	-	3.13W (TA), 107W (TC)
Ksp43bu	0,0500	RFQ	10	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif	150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa)			625 MW	To-92-3	télécharger					EAR99	8542.39.0001	5 679														200 V	500 mA	100NA (ICBO)	NPN	500 mV @ 2MA, 20mA	40 @ 30mA, 10V	50 MHz

2000+
Volume de RFQ moyen quotidien
30 000 000
Unité de produit standard
2800+
Fabricants mondiaux
15 000 m²
Entrepôt en stock

Transistors (3821)

2000+

30 000 000

2800+

15 000 m2

15 000 m²