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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Power - Max | Saisir | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | ECCN | HTSUS | Norme de package | Configuration | Taper fet | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | VGS (max) | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Dissipation de Puisse (max) | Type igbt | Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) | Courant - Collectionneur (IC) (Max) | Vce (on) (max) @ vge, ic | Tension - Dépression (V (br) GSS) | Courant - Drain (iDSS) @ VDS (VGS = 0) | Tension - coupure (VGS off) @ id | COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) | Thermistance NTC | RÉSISTANCE - RDS (ON) | Type de transistor | VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC | Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE | FRÉQUENCE - transition |
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![]() | FDD6530A | 1 0000 | ![]() | 9011 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 252, (d-pak) | télécharger | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | Canal n | 20 V | 21A (TA) | 2,5 V, 4,5 V | 32MOHM @ 8A, 4,5 V | 1,2 V à 250µA | 9 NC @ 4,5 V | ± 8v | 710 PF @ 10 V | - | 3.3W (TA), 33W (TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | FDMS3622S | - | ![]() | 2375 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-PowerTDFN | FDMS3622 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 1W | Power56 | télécharger | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 2 canal n (double) asymétrique | 25V | 17,5a, 34a | 5MOHM @ 17.5A, 10V | 2V à 250µA | 26nc @ 10v | 1570pf @ 13v | Porte de Niveau Logique | |||||||||||||||||||||||
![]() | FDMS5362LF085 | - | ![]() | 7713 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | 8-PowerTDFN | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-pqfn (5x6) | télécharger | EAR99 | 8542.29.0095 | 526 | Canal n | 60 V | 17.6a (TC) | 4,5 V, 10V | 33MOHM @ 17.6A, 10V | 3V à 250µA | 21 NC @ 10 V | ± 20V | 878 PF @ 25 V | - | 41.7W (TJ) | ||||||||||||||||||||||
![]() | FDMS3669S | 0,8500 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-PowerTDFN | FDMS3669 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 1W (TA), 2,2W (TC), 1W (TA), 2,5W (TC) | 8-pqfn (5x6) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 352 | 2 canal n (double) asymétrique | 30V | 13A (TA), 24A (TC), 18A (TA), 60A (TC) | 10MOHM @ 13A, 10V, 5MOHM @ 18A, 10V | 2,7 V @ 250µA, 2,5 V @ 1MA | 24 NC @ 10V, 34NC @ 10V | 1605pf @ 15v, 2060pf @ 15v | Porte de Niveau Logique | ||||||||||||||||||||
![]() | HUF75321P3 | 0,6400 | ![]() | 13 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | Ultrafet ™ | En gros | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220-3 | télécharger | EAR99 | 8542.39.0001 | 468 | Canal n | 55 V | 35A (TC) | 10V | 34MOHM @ 35A, 10V | 4V @ 250µA | 44 NC @ 20 V | ± 20V | 680 pf @ 25 V | - | 93W (TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | PZTA64 | 0,1500 | ![]() | 76 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 261-4, à 261aa | 1 W | SOT-223-4 | télécharger | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 994 | 30 V | 1.2 A | 100NA (ICBO) | PNP - Darlington | 1,5 V @ 100µA, 100mA | 20000 @ 100mA, 5V | 125 MHz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | FCH76N60NF | 12.8900 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | Supremos ™ | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 247-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 247 | télécharger | EAR99 | 8541.29.0095 | 24 | Canal n | 600 V | 72.8a (TC) | 10V | 38MOHM @ 38A, 10V | 5V @ 250µA | 300 NC @ 10 V | ± 30V | 11045 PF @ 100 V | - | 543W (TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | 2N3904TAR | - | ![]() | 2085 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes | 625 MW | To-92-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 40 V | 200 mA | 50na | NPN | 300 MV à 5MA, 50mA | 100 @ 10mA, 1V | 300 MHz | |||||||||||||||||||||||
![]() | J112-D27Z | - | ![]() | 1960 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes | 625 MW | To-92-3 | télécharger | 0000.00.0000 | 1 | Canal n | - | 35 V | 5 ma @ 15 V | 1 V @ 1 µA | 50 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDPC1002 | 0,3900 | ![]() | 10 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C | Support de surface | 8-POWERWDFN | Fdpc1 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 1.6W (TA), 2W (TA) | PowerClip-33 | télécharger | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 2 Canaux N (double) | 25V | 13A (TA), 20A (TC), 27A (TA), 60A (TC) | 6MOHM @ 13A, 10V, 1,8MOHM @ 27A, 10V | 2,2 V @ 250µA, 2,2 V @ 1MA | 19nc @ 10v, 64nc @ 10v | 1240pf @ 13v, 4335pf @ 13v | - | |||||||||||||||||||||||
![]() | FDD6688 | 1.1100 | ![]() | 149 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 252, (d-pak) | télécharger | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | Canal n | 30 V | 84A (TA) | 4,5 V, 10V | 5MOHM @ 18A, 10V | 3V à 250µA | 56 NC @ 10 V | ± 20V | 3845 PF @ 15 V | - | 83W (TA) | ||||||||||||||||||||||
![]() | Fdn352ap | 1 0000 | ![]() | 6950 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | FDN352 | MOSFET (Oxyde Métallique) | SOT-23-3 | télécharger | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | Canal p | 30 V | 1.3A (TA) | 4,5 V, 10V | 180MOHM @ 1,3A, 10V | 2,5 V @ 250µA | 1,9 NC @ 4,5 V | ± 25V | 150 pf @ 15 V | - | 500mw (TA) | |||||||||||||||||||||
![]() | FDMS8023S | 0,6200 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench®, Syncfet ™ | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-PowerTDFN | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-pqfn (5x6) | télécharger | EAR99 | 8542.39.0001 | 483 | Canal n | 30 V | 26A (TA), 49A (TC) | 4,5 V, 10V | 2,4 mohm @ 26a, 10v | 3V @ 1MA | 57 NC @ 10 V | ± 20V | 3550 pf @ 15 V | - | 2.5W (TA), 59W (TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | BF721T1G | - | ![]() | 2316 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 261-4, à 261aa | 1,5 w | SOT-223 (à 261) | télécharger | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | 300 V | 50 mA | 10NA (ICBO) | Pnp | 800 mV @ 5mA, 30mA | 50 @ 25mA, 20V | 60 MHz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | Isl9v2040d3st | 0,9700 | ![]() | 6 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | * | En gros | Actif | télécharger | EAR99 | 8542.39.0001 | 309 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQAF16N50 | 2.7900 | ![]() | 8 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | QFET® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | TO-3P-3 EXCHET | MOSFET (Oxyde Métallique) | To-3pf | télécharger | EAR99 | 8542.39.0001 | 108 | Canal n | 500 V | 11.3A (TC) | 10V | 320 MOHM @ 5.65A, 10V | 5V @ 250µA | 75 NC @ 10 V | ± 30V | 3000 pf @ 25 V | - | 110W (TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | BSP50 | - | ![]() | 7702 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 261-4, à 261aa | 1 W | SOT-223-4 | télécharger | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 45 V | 800 mA | 50na | Npn - darlington | 1,3 V @ 500µA, 500mA | 2000 @ 500mA, 10V | - | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fqpf11p06 | 0,6200 | ![]() | 552 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | QFET® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 EXCHET | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220f-3 | télécharger | EAR99 | 8542.39.0001 | 552 | Canal p | 60 V | 8.6a (TC) | 10V | 175MOHM @ 4.3A, 10V | 4V @ 250µA | 17 NC @ 10 V | ± 25V | 550 pf @ 25 V | - | 30W (TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | SS8050CTA | 0 1200 | ![]() | 42 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes | 1 W | To-92-3 | télécharger | EAR99 | 8541.29.0075 | 2 567 | 25 V | 1,5 A | 100NA (ICBO) | NPN | 500 mV @ 80mA, 800mA | 120 @ 100mA, 1V | 100 MHz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | Ksp92bu | 0,0500 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) | 625 MW | To-92-3 | télécharger | EAR99 | 8541.21.0095 | 6 073 | 300 V | 500 mA | 250NA (ICBO) | Pnp | 500 mV @ 2MA, 20mA | 25 @ 30mA, 10V | 50 MHz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N4403TF | 0,0400 | ![]() | 14 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes | 625 MW | To-92-3 | télécharger | EAR99 | 8541.21.0075 | 7 991 | 40 V | 600 mA | - | Pnp | 750 MV @ 50mA, 500mA | 100 @ 150mA, 2V | 200 MHz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | FCH060N80-F155 | 1 0000 | ![]() | 3001 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | Superfet® II | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 247-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 247-3 | télécharger | 0000.00.0000 | 1 | Canal n | 800 V | 56a (TC) | 10V | 60 mohm @ 29a, 10v | 4,5 V @ 5,8mA | 350 NC @ 10 V | ± 20V | 14685 PF @ 100 V | - | 500W (TC) | |||||||||||||||||||||||
![]() | Fdmd8260let60 | 3.1200 | ![]() | 3 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | 12-POWERWDFN | FDMD8260 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 1.1W | 12 Puisse3.3x5 | télécharger | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 2 Canaux N (double) | 60V | 15A | 5,8MOHM @ 15A, 10V | 3V à 250µA | 68nc @ 10v | 5245pf @ 30v | - | |||||||||||||||||||||||
![]() | FQD1N60CTM | 0,2700 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | QFET® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 252, (d-pak) | télécharger | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 1110 | Canal n | 600 V | 1A (TC) | 10V | 11,5ohm @ 500mA, 10V | 4V @ 250µA | 6.2 NC @ 10 V | ± 30V | 170 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 28W (TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | MMBT5962 | - | ![]() | 5656 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | 350 MW | SOT-23-3 | - | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 45 V | 100 mA | 2NA (ICBO) | NPN | 200 mV à 500 µA, 10mA | 600 @ 10mA, 5V | - | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDA16N50-F109 | 1.5600 | ![]() | 270 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | UniFet ™ | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | TO-3P-3, SC-65-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | To-3pn | télécharger | EAR99 | 8542.39.0001 | 270 | Canal n | 500 V | 16,5a (TC) | 10V | 380mohm @ 8,3a, 10v | 5V @ 250µA | 45 NC @ 10 V | ± 30V | 1945 PF @ 25 V | - | 205W (TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | FFB2907A | 1 0000 | ![]() | 4248 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | FFB2907 | 300mw | SC-88 (SC-70-6) | télécharger | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 60V | 600mA | 20NA (ICBO) | 2 pnp (double) | 1,6 V @ 50mA, 500mA | 100 @ 150mA, 10V | 250 MHz | |||||||||||||||||||||||||
![]() | BD13616STU | 0,2500 | ![]() | 5 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 225aa, à 126-3 | 1,25 W | TO-126-3 | télécharger | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 222 | 45 V | 1,5 A | 100NA (ICBO) | Pnp | 500 mV à 50ma, 500mA | 100 @ 150mA, 2V | - | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | FPF1C2P5MF07AM | 1 0000 | ![]() | 6901 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Soutenir de châssis | Module F1 | 231 W | Réception de Pont Monophasé | F1 | télécharger | 0000.00.0000 | 1 | ONDULEUR DE PONT ACHET | - | 620 V | 39 A | 1,6 V @ 15V, 30A | 25 µA | Non | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N6520TA | 1 0000 | ![]() | 5741 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes | 2N6520 | 625 MW | To-92-3 | télécharger | 0000.00.0000 | 1 | 350 V | 500 mA | 50NA (ICBO) | Pnp | 1V @ 5mA, 50mA | 20 @ 50mA, 10V | 200 MHz |
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