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Transistors (3821)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Type d'entrée	Technologie	Power - Max	Saisir	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Configuration	Taper fet	Condition de test	Égoutter la tension de la source (VDSS)	Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C	Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS)	RDS SUR (MAX) @ ID, VGS	Vgs (th) (max) @ id	Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS	VGS (max)	Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds	FET FONCTION	Dissipation de Puisse (max)	Temps de réménage inversé (TRR)	Type igbt	Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max)	Courant - Collectionneur (IC) (Max)	COURANT - COPEUR PULSÉ (ICM)	Vce (on) (max) @ vge, ic	Commutation d'Énergie	Charge de Porte	TD (On / Off) à 25 ° C	COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX)	Thermistance NTC	Type de transistor	VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC	Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE	FRÉQUENCE - transition	RÉSISTANCE - BASE (R1)	Résistance - Base d'Emetteur (R2)
SSS6N70A	0,8000	RFQ	950	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3 EXCHET			MOSFET (Oxyde Métallique)			À 220f	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre Affeté		EAR99	8541.29.0095	1		Canal n		700 V	4A (TC)	10V	1,8 ohm @ 2a, 10v	4V @ 250µA	67 NC @ 10 V	± 30V	1200 pf @ 25 V	-	40W (TC)
KSA733CGTA	0,0200	RFQ	67	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Obsolète	150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes				250 MW		To-92-3	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.21.0075	2 000																50 V	150 mA						100NA (ICBO)		Pnp	300 mV @ 10mA, 100mA	200 @ 1MA, 6V	180 MHz
KST64MTF	0,0500	RFQ	21	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Obsolète	-	Support de surface	À 236-3, SC-59, SOT-23-3				350 MW		SOT-23-3	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.21.0075	3 000																30 V	500 mA						100NA (ICBO)		PNP - Darlington	1,5 V @ 100µA, 100mA	20000 @ 100mA, 5V	125 MHz
FQI6N50TU	0,6100	RFQ	1	Semi-conducteur de Fairchild	QFET®	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 262-3 longs longs, i²pak, à 262aa			MOSFET (Oxyde Métallique)			I2pak (à 262)	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.29.0095	1 000		Canal n		500 V	5.5A (TC)	10V	1,3 ohm @ 2,8a, 10v	5V @ 250µA	22 NC @ 10 V	± 30V	790 pf @ 25 V	-	3.13W (TA), 130W (TC)
FQU1N80TU	-	RFQ	9472	Semi-conducteur de Fairchild	QFET®	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 251-3 courtise Pistes, Ipak, à 251aa			MOSFET (Oxyde Métallique)			I-pak	télécharger					EAR99	8542.39.0001	1		Canal n		800 V	1A (TC)	10V	20OHM @ 500mA, 10V	5V @ 250µA	7.2 NC @ 10 V	± 30V	195 PF @ 25 V	-	2,5W (TA), 45W (TC)
FQB25N33TM	1.3800	RFQ	17	Semi-conducteur de Fairchild	QFET®	En gros	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab			MOSFET (Oxyde Métallique)			D2pak (à 263)	télécharger	Non applicable				EAR99	8541.29.0095	800		Canal n		330 V	25a (TC)	10V	230MOHM @ 12.5A, 10V	5V @ 250µA	75 NC @ 15 V	± 30V	2010 PF @ 25 V	-	3.1W (TA), 250W (TC)
Fqd4p25tf	-	RFQ	3345	Semi-conducteur de Fairchild	QFET®	En gros	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63			MOSFET (Oxyde Métallique)			À 252, (d-pak)	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.29.0095	2 000		Canal p		250 V	3.1A (TC)	10V	2,1 ohm @ 1 55a, 10v	5V @ 250µA	14 NC @ 10 V	± 30V	420 pf @ 25 V	-	2,5W (TA), 45W (TC)
KSB601YTU	0,5200	RFQ	26	Semi-conducteur de Fairchild	-	Tube	Obsolète	150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3				1,5 w		À 220-3	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.29.0095	1 000																100 V	5 a						10µA (ICBO)		PNP - Darlington	1,5 V @ 3MA, 3A	5000 @ 3A, 2V	-
BD240B	1 0000	RFQ	2425	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Obsolète	150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3				30 W		À 220-3	télécharger					EAR99	8541.29.0095	1																80 V	2 A						300 µA		Pnp	700mV @ 200mA, 1A	15 @ 1A, 4V	-
FQPF12N60T	1.0500	RFQ	1	Semi-conducteur de Fairchild	QFET®	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3 EXCHET			MOSFET (Oxyde Métallique)			À 220f-3	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.29.0095	50		Canal n		600 V	5.8A (TC)	10V	700MOHM @ 2,9A, 10V	5V @ 250µA	54 NC @ 10 V	± 30V	1900 pf @ 25 V	-	55W (TC)
FQI5N50CTU	0,6600	RFQ	10	Semi-conducteur de Fairchild	QFET®	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 262-3 longs longs, i²pak, à 262aa			MOSFET (Oxyde Métallique)			I2pak (à 262)	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.29.0095	1 000		Canal n		500 V	5A (TC)	10V	1,4 ohm @ 2,5a, 10v	4V @ 250µA	24 NC @ 10 V	± 30V	625 PF @ 25 V	-	73W (TC)
FQA34N20L	1.3900	RFQ	669	Semi-conducteur de Fairchild	QFET®	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	TO-3P-3, SC-65-3			MOSFET (Oxyde Métallique)			To-3p	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.29.0095	30		Canal n		200 V	34A (TC)	5v, 10v	75MOHM @ 17A, 10V	2V à 250µA	72 NC @ 5 V	± 20V	3900 pf @ 25 V	-	210W (TC)
HUF75321S3S	0,4000	RFQ	1	Semi-conducteur de Fairchild	Ultrafet ™	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab			MOSFET (Oxyde Métallique)			D2pak (à 263)	télécharger	Rohs non conforme				EAR99	8541.29.0095	50		Canal n		55 V	35A (TC)		34MOHM @ 35A, 10V	4V @ 250µA	44 NC @ 20 V	± 20V	680 pf @ 25 V	-	93W (TC)
FDMS7578	-	RFQ	7144	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-PowerTDFN			MOSFET (Oxyde Métallique)			8-pqfn (5x6)	télécharger					EAR99	8542.39.0001	1		Canal n		25 V	17A (TA), 28A (TC)	4,5 V, 10V	5,8MOHM @ 17A, 10V	3V à 250µA	25 NC @ 10 V	± 20V	1625 PF @ 13 V	-	2.5W (TA), 33W (TC)
HUF75637S3S	-	RFQ	5354	Semi-conducteur de Fairchild	Ultrafet ™	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab			MOSFET (Oxyde Métallique)			D2pak (à 263)	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.29.0095	400		Canal n		100 V	44a (TC)	10V	30MOHM @ 44A, 10V	4V @ 250µA	108 NC @ 20 V	± 20V	1700 pf @ 25 V	-	155W (TC)
BC547BBU	-	RFQ	5621	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif	150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa)				500 MW		To-92-3	télécharger					EAR99	8541.21.0075	1																45 V	100 mA						15NA (ICBO)		NPN	600 mV @ 5mA, 100mA	200 @ 2MA, 5V	300 MHz
BDX33B	0,5500	RFQ	1555	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Obsolète	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3				70 W		À 220-3	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.29.0095	407																80 V	10 a						500 µA		Npn - darlington	2,5 V @ 6MA, 3A	750 @ 3A, 3V	-
IRF830B	0,5400	RFQ	9	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3			MOSFET (Oxyde Métallique)			À 220	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Vendeur indéfini		EAR99	8541.29.0095	1		Canal n		500 V	4.5a (TC)	10V	1,5 ohm @ 2,25a, 10v	4V @ 250µA	35 NC @ 10 V	± 30V	1050 pf @ 25 V	-	73W (TC)
FCP9N60N	1 5500	RFQ	33	Semi-conducteur de Fairchild	Supermos ™	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3			MOSFET (Oxyde Métallique)			À 220-3	télécharger					EAR99	8541.29.0095	1		Canal n		600 V	9A (TC)	10V	385MOHM @ 4.5A, 10V	4V @ 250µA	29 NC @ 10 V	± 30V	1240 PF @ 100 V	-	83.3W (TC)
FGPF30N30TDTU	0,8400	RFQ	1	Semi-conducteur de Fairchild	-	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3 EXCHET		Standard		44,6 W		À 220f-3	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.29.0095	50			200v, 20a, 20hm, 15v											22 ns	Tranché	300 V		80 A	1,5 V @ 15V, 10A	-	65 NC	22NS / 130NS
Fpf2c8p2nl07a	81.4200	RFQ	131	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	Module f2				135 W	Standard	F2	télécharger					EAR99	8542.39.0001	1	Triphasé														Arrêt sur le terrain	650 V	30 A		2.2V @ 15V, 30A				250 µA	Oui
TIP42CTU	-	RFQ	4855	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif	150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3				2 W		À 220-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1																100 V	6 A						700 µA		Pnp	1,5 V @ 600mA, 6A	30 @ 300mA, 4V	3 MHz
MPSA27	1 0000	RFQ	6594	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes				625 MW		À 92 (à 226)	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.21.0075	2 000																60 V	500 mA						500NA		Npn - darlington	1,5 V @ 100µA, 100mA	10000 @ 100mA, 5V	-
RFD20N03SM9A	-	RFQ	5837	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Obsolète	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63			MOSFET (Oxyde Métallique)			À 252-3 (DPAK)	-	Rohs non conforme		Vendeur indéfini	2156-RFD20N03SM9A-600039			1		Canal n		30 V	20A (TC)	10V	25MOHM @ 20A, 10V	4V @ 250µA	75 NC @ 20 V	± 20V	1150 pf @ 25 V	-	90W (TC)
FQA17N40	1.7200	RFQ	398	Semi-conducteur de Fairchild	QFET®	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	TO-3P-3, SC-65-3			MOSFET (Oxyde Métallique)			To-3p	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.29.0095	450		Canal n		400 V	17.2a (TC)	10V	270MOHM @ 8.6A, 10V	5V @ 250µA	60 NC @ 10 V	± 30V	2300 pf @ 25 V	-	190W (TC)
KSB744YSTU	0 1200	RFQ	6388	Semi-conducteur de Fairchild	-	Tube	Obsolète	150 ° C (TJ)	Par le trou	À 225aa, à 126-3				1 W		TO-126-3	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.29.0075	1 918																45 V	3 A						1µA (ICBO)		Pnp	2V @ 150mA, 1,5A	160 @ 500mA, 5V	45 MHz
IRFS614B	0,1800	RFQ	80	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3 EXCHET			MOSFET (Oxyde Métallique)			À 220f	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1 664		Canal n		250 V	2.8A (TJ)	10V	2OHM @ 1.4A, 10V	4V @ 250µA	10,5 NC @ 10 V	± 30V	275 PF @ 25 V	-	22W (TC)
FDS6680A	1 0000	RFQ	8930	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)			MOSFET (Oxyde Métallique)			8-SOIC	télécharger					EAR99	8542.39.0001	1		Canal n		30 V	12.5A (TA)	4,5 V, 10V	9,5MOHM @ 12,5A, 10V	3V à 250µA	23 NC @ 5 V	± 20V	1620 PF @ 15 V	-	2.5W (TA)
FDB6690	0,7000	RFQ	1	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®, Syncfet ™	En gros	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab			MOSFET (Oxyde Métallique)			D2pak (à 263)	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.29.0095	800		Canal n		30 V	42A (TA)	4,5 V, 10V	15,5MOHM @ 21A, 10V	3V @ 1MA	15 NC @ 5 V	± 20V	1238 PF @ 15 V	-	48W (TC)
FJN4301RTA	-	RFQ	4825	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif		Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes	FJN430			300 MW		To-92-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	0000.00.0000	1																50 V	100 mA						100NA (ICBO)		PNP - Pré-biaisé	300 mV à 500 µA, 10mA	20 @ 10mA, 5V	200 MHz	4,7 kohms	4,7 kohms

2000+
Volume de RFQ moyen quotidien
30 000 000
Unité de produit standard
2800+
Fabricants mondiaux
15 000 m²
Entrepôt en stock

Transistors (3821)

2000+

30 000 000

2800+

15 000 m2

15 000 m²