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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Taper fet | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | VGS (max) | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Dissipation de Puisse (max) | Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) | Courant - Collectionneur (IC) (Max) | COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) | Type de transistor | VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC | Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE | FRÉQUENCE - transition | RÉSISTANCE - BASE (R1) | Résistance - Base d'Emetteur (R2) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | TN6727A | - | ![]() | 3177 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) | 1 W | À 226-3 | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 40 V | 1,5 A | 100NA (ICBO) | Pnp | 500 MV à 100MA, 1A | 50 @ 1A, 1V | - | |||||||||||||||||
![]() | FQI9N50CTU | 1.2500 | ![]() | 39 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | QFET® | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 262-3 longs longs, i²pak, à 262aa | MOSFET (Oxyde Métallique) | I2pak (à 262) | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | Canal n | 500 V | 9A (TC) | 10V | 800mohm @ 4.5a, 10v | 4V @ 250µA | 35 NC @ 10 V | ± 30V | 1030 pf @ 25 V | - | 135W (TC) | |||||||||||||||
![]() | NDS9430A | 0,6200 | ![]() | 10 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal p | 20 V | 5.3A (TA) | 4,5 V, 10V | 50mohm @ 5.3a, 10v | 3V à 250µA | 50 NC @ 10 V | ± 20V | 950 pf @ 15 V | - | 2.5W (TA) | |||||||||||||||
![]() | FQA8N80 | 1.5900 | ![]() | 91 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | QFET® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | TO-3P-3, SC-65-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | To-3p | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal n | 800 V | 8.4a (TC) | 10V | 1,2 ohm @ 4.2a, 10v | 5V @ 250µA | 57 NC @ 10 V | ± 30V | 2350 pf @ 25 V | - | 220W (TC) | |||||||||||||
![]() | KSC945LTA | 0,0200 | ![]() | 22 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes | 250 MW | To-92-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.21.0075 | 15 000 | 50 V | 150 mA | 100NA (ICBO) | NPN | 300 mV @ 10mA, 100mA | 350 @ 1MA, 6V | 300 MHz | |||||||||||||||||||
![]() | 2N7002D87Z | - | ![]() | 4379 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | 2N7002 | MOSFET (Oxyde Métallique) | SOT-23-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 11 | Canal n | 60 V | 115mA (TC) | 5v, 10v | 7,5 ohm @ 500mA, 10V | 2,5 V @ 250µA | ± 20V | 50 pf @ 25 V | - | 200 MW (TC) | |||||||||||||
![]() | Ksp8099tf | 0,0200 | ![]() | 25 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes | 625 MW | To-92-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.21.0075 | 15 000 | 80 V | 500 mA | 100NA | NPN | 300 mV @ 10mA, 100mA | 100 @ 1MA, 5V | 150 MHz | |||||||||||||||||||
![]() | MMBT4403K | 0,0700 | ![]() | 7955 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | 350 MW | SOT-23-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.21.0075 | 3 285 | 40 V | 600 mA | - | Pnp | 750 MV @ 50mA, 500mA | 100 @ 150mA, 2V | 200 MHz | |||||||||||||||||||
![]() | Ksa709gbu | 0,0200 | ![]() | 129 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) | 800 MW | To-92-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 000 | 150 V | 700 mA | 100NA (ICBO) | Pnp | 400 mV @ 20mA, 200mA | 200 @ 50mA, 2V | 50 MHz | |||||||||||||||||||
![]() | FJN3305RTA | 1 0000 | ![]() | 2055 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes | FJN330 | 300 MW | To-92-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | 50 V | 100 mA | 100NA (ICBO) | NPN - Pré-biaisé | 300 mV à 500 µA, 10mA | 30 @ 5mA, 5V | 250 MHz | 4,7 kohms | 10 kohms | |||||||||||||||
![]() | FQAF34N25 | 1,6000 | ![]() | 610 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | TO-3P-3 EXCHET | MOSFET (Oxyde Métallique) | To-3pf | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 360 | Canal n | 250 V | 21.7A (TC) | 10V | 85MOHM @ 10.9A, 10V | 5V @ 250µA | 80 NC @ 10 V | ± 30V | 2750 pf @ 25 V | - | 100W (TC) | |||||||||||||||
![]() | Fjx4004rtf | 0,0500 | ![]() | 9275 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | Support de surface | SC-70, SOT-323 | FJX400 | 200 MW | SC-70-3 (SOT323) | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.21.0075 | 971 | 50 V | 100 mA | 100NA (ICBO) | PNP - Pré-biaisé | 300 mV à 500 µA, 10mA | 68 @ 5mA, 5V | 200 MHz | 47 kohms | 47 kohms | |||||||||||||||||
![]() | PN2907ABU | - | ![]() | 2537 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) | 625 MW | To-92-3 | télécharger | EAR99 | 8541.21.0075 | 271 | 60 V | 800 mA | 20NA (ICBO) | Pnp | 1,6 V @ 50mA, 500mA | 100 @ 150mA, 10V | 200 MHz | ||||||||||||||||||||
![]() | Ksp45tf | 0,0400 | ![]() | 140 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes | 625 MW | To-92-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.21.0095 | 2 000 | 350 V | 300 mA | 500NA | NPN | 750 MV à 5MA, 50mA | 50 @ 10mA, 10V | - | |||||||||||||||||||
![]() | HUF75339G3_NL | 0,7500 | ![]() | 6516 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | Ultrafet® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 247-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 247 | télécharger | Non applicable | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.29.0095 | 60 | Canal n | 55 V | 75A (TC) | 10V | 12MOHM @ 75A, 10V | 4V @ 250µA | 130 NC @ 20 V | ± 20V | 2000 pf @ 25 V | - | 200W (TC) | |||||||||||||
![]() | Fjv3104rmtf | 0,0200 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | FJV310 | 200 MW | SOT-23-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 0000.00.0000 | 3 000 | 50 V | 100 mA | 100NA (ICBO) | NPN - Pré-biaisé | 300 mV à 500 µA, 10mA | 68 @ 5mA, 5V | 250 MHz | 47 kohms | 47 kohms | |||||||||||||||
![]() | FQI8N60CTU | 1.1800 | ![]() | 6 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | QFET® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 262-3 longs longs, i²pak, à 262aa | FQI8N60 | MOSFET (Oxyde Métallique) | I2pak (à 262) | télécharger | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | Canal n | 600 V | 7.5a (TC) | 10V | 1,2 ohm @ 3,75a, 10v | 4V @ 250µA | 36 NC @ 10 V | ± 30V | 1255 PF @ 25 V | - | 3.13W (TA), 147W (TC) | |||||||||||||||
![]() | FQB8N25TM | 0,5900 | ![]() | 21 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | QFET® | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | MOSFET (Oxyde Métallique) | D2pak (à 263) | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal n | 250 V | 8A (TC) | 10V | 550mohm @ 4a, 10v | 5V @ 250µA | 15 NC @ 10 V | ± 30V | 530 pf @ 25 V | - | 3.13W (TA), 87W (TC) | |||||||||||||||
![]() | FQPF5P20 | - | ![]() | 8662 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | QFET® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 EXCHET | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220f-3 | télécharger | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal p | 200 V | 3.4A (TC) | 10V | 1.4OHM @ 1.7A, 10V | 5V @ 250µA | 13 NC @ 10 V | ± 30V | 430 pf @ 25 V | - | 38W (TC) | ||||||||||||||||
![]() | SS9014CBU | 0,0300 | ![]() | 108 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) | 450 MW | To-92-3 | télécharger | Vendeur indéfini | Atteindre non affecté | 2156-SS9014CBU-600039 | 1 | 45 V | 100 mA | 500NA (ICBO) | NPN | 300 mV @ 5mA, 100mA | 200 @ 1MA, 5V | 270 MHz | |||||||||||||||||||
![]() | HUF75542P3_NL | - | ![]() | 8266 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | Ultrafet® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 114 | Canal n | 80 V | 75A (TC) | 10V | 14MOHM @ 75A, 10V | 4V @ 250µA | 180 NC @ 20 V | ± 20V | 2750 pf @ 25 V | - | 230W (TC) | |||||||||||||
![]() | KSC2330yta | 0,0700 | ![]() | 221 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 Corps Long (Plombs Formes) | KSC2330 | 1 W | To-92-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | 300 V | 100 mA | 100NA (ICBO) | NPN | 500 mV @ 1MA, 10mA | 120 @ 20mA, 10V | 50 MHz | ||||||||||||||||
![]() | FCP190N65F | - | ![]() | 2948 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | FRFET®, Superfet® II | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | FCP190 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220-3 | télécharger | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | Canal n | 650 V | 20,6a (TC) | 10V | 190MOHM @ 10A, 10V | 5V @ 2MA | 78 NC @ 10 V | ± 20V | 3225 PF @ 25 V | - | 208W (TC) | |||||||||||||||
![]() | FQA34N25 | 2.4900 | ![]() | 6 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | TO-3P-3, SC-65-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | To-3p | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 450 | Canal n | 250 V | 34A (TC) | 10V | 85MOHM @ 17A, 10V | 5V @ 250µA | 80 NC @ 10 V | ± 30V | 2750 pf @ 25 V | - | 245W (TC) | |||||||||||||||
![]() | KSC945CGTA | 1 0000 | ![]() | 5307 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes | 250 MW | To-92-3 | télécharger | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 | 50 V | 150 mA | 100NA (ICBO) | NPN | 300 mV @ 10mA, 100mA | 200 @ 1MA, 6V | 300 MHz | ||||||||||||||||||||
![]() | FQP6N80C | - | ![]() | 8405 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | QFET® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220-3 | télécharger | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | Canal n | 800 V | 5.5A (TC) | 10V | 2,5 ohm @ 2 75a, 10v | 5V @ 250µA | 30 NC @ 10 V | ± 30V | 1310 PF @ 25 V | - | 158W (TC) | ||||||||||||||||
![]() | FQPF5N60CYDTU | 0,6400 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | QFET® | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 EXCHET | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220f-3 (formage y) | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal n | 600 V | 4.5a (TC) | 10V | 2,5 ohm @ 2,25a, 10v | 4V @ 250µA | 19 NC @ 10 V | ± 30V | 670 pf @ 25 V | - | 33W (TC) | |||||||||||||||
![]() | HUFA76419S3ST | - | ![]() | 1642 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | Ultrafet ™ | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | MOSFET (Oxyde Métallique) | D2pak (à 263) | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 700 | Canal n | 60 V | 29A (TC) | 4,5 V, 10V | 35MOHM @ 29A, 10V | 3V à 250µA | 28 NC @ 10 V | ± 16V | 900 pf @ 25 V | - | 75W (TC) | |||||||||||||||
![]() | BC33725TF | 0,0400 | ![]() | 9351 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes | 625 MW | To-92-3 | télécharger | EAR99 | 8541.21.0075 | 7 251 | 45 V | 800 mA | 100NA | NPN | 700 mV à 50ma, 500mA | 160 @ 100mA, 1V | 100 MHz | ||||||||||||||||||||
![]() | TIP100 | 0.4400 | ![]() | 759 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | Tube | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 EXCHET | 2 W | À 220f | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | 60 V | 5 a | 50 µA | Npn - darlington | 2,5 V @ 80mA, 8A | 1000 @ 3A, 4V | - |
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