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Transistors (3821)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Type d'entrée	Technologie	Power - Max	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Configuration	Taper fet	Condition de test	Égoutter la tension de la source (VDSS)	Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C	Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS)	RDS SUR (MAX) @ ID, VGS	Vgs (th) (max) @ id	Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS	VGS (max)	Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds	FET FONCTION	Dissipation de Puisse (max)	Temps de réménage inversé (TRR)	Type igbt	Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max)	Courant - Collectionneur (IC) (Max)	COURANT - COPEUR PULSÉ (ICM)	Vce (on) (max) @ vge, ic	Commutation d'Énergie	Charge de Porte	TD (On / Off) à 25 ° C	Tension - Dépression (V (br) GSS)	Courant - Drain (iDSS) @ VDS (VGS = 0)	Tension - coupure (VGS off) @ id	COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX)	RÉSISTANCE - RDS (ON)	Type de transistor	VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC	Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE	FRÉQUENCE - transition	RÉSISTANCE - BASE (R1)
KSD1273QYDTU	0,2800	RFQ	2	Semi-conducteur de Fairchild	-	Tube	Obsolète	150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3 EXCHET				2 W	À 220f-3 (formage y)	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.29.0075	50																60 V	3 A									100 µA		NPN	1V @ 50mA, 2A	500 @ 500mA, 4V	30 MHz
NDT3055	-	RFQ	1770	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 261-4, à 261aa			MOSFET (Oxyde Métallique)		SOT-223-4	télécharger					EAR99	8542.39.0001	1		Canal n		60 V	4a (ta)	10V	100mohm @ 4a, 10v	4V @ 250µA	15 NC @ 10 V	± 20V	250 pf @ 30 V	-	1.1W (TA)
PN4093	0,3200	RFQ	6	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa)				625 MW	To-92-3	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.21.0095	2 000		Canal n									16pf @ 20V												40 V	8 ma @ 20 V	1 V @ 1 na		80 ohms
Fqd2n50tf	0,3400	RFQ	1	Semi-conducteur de Fairchild	QFET®	En gros	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63			MOSFET (Oxyde Métallique)		À 252, (d-pak)	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.29.0095	2 000		Canal n		500 V	1.6A (TC)	10V	5,3 ohm @ 800mA, 10V	5V @ 250µA	8 NC @ 10 V	± 30V	230 pf @ 25 V	-	2.5W (TA), 30W (TC)
FDZ299P	0,3200	RFQ	14	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®	En gros	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	9-WFBGA			MOSFET (Oxyde Métallique)		9-BGA (2x2.1)	télécharger	Rohs non conforme				EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal p		20 V	4.6a (TA)	2,5 V, 4,5 V	55MOHM @ 4,6A, 4,5 V	1,5 V @ 250µA	9 NC @ 4,5 V	± 12V	742 PF @ 10 V	-	1.7W (TA)
BC640TF	0,0200	RFQ	7591	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Obsolète	150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes				1 W	To-92-3	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.29.0075	2 000																80 V	1 a									100NA (ICBO)		Pnp	500 mV à 50ma, 500mA	40 @ 150mA, 2V	100 MHz
FDS6993	1.0100	RFQ	10	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®	En gros	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)	FDS69		MOSFET (Oxyde Métallique)	900mw	8-SOIC	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.21.0095	2 500	2 Canal P (double)			30v, 12v	4.3a, 6.8a		55MOHM @ 4.3A, 10V	3V à 250µA	7.7nc @ 5v		530pf @ 15v	Porte de Niveau Logique
KST06MTF-FS	-	RFQ	4273	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif	-	Support de surface	À 236-3, SC-59, SOT-23-3				350 MW	SOT-23-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	0000.00.0000	3 000																80 V	500 mA									100NA		NPN	250 mV @ 10mA, 100mA	50 @ 100mA, 1V	100 MHz
Fdt86106lz	-	RFQ	2362	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®	En gros	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 261-4, à 261aa			MOSFET (Oxyde Métallique)		SOT-223-4	-	Rohs non conforme		Vendeur indéfini	2156-FDT86106LZ	EAR99	8541.29.0095	1		Canal n		100 V	3.2a (TA)	4,5 V, 10V	108MOHM @ 3.2A, 10V	2,2 V @ 250µA	7 NC @ 10 V	± 20V	315 PF @ 50 V	-	1W (ta)
MMBT200	-	RFQ	9440	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 236-3, SC-59, SOT-23-3				350 MW	SOT-23-3	-	Rohs non conforme		Vendeur indéfini	2156-MMBT200-600039			1																45 V	500 mA									50na		Pnp	400 mV @ 20mA, 200mA	100 @ 150mA, 5V	250 MHz
BC638BU	1 0000	RFQ	4505	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Obsolète	150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa)				1 W	To-92-3	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.29.0075	1 000																60 V	1 a									100NA (ICBO)		Pnp	500 mV à 50ma, 500mA	40 @ 150mA, 2V	100 MHz
FCH077N65F-F155	6.0400	RFQ	66	Semi-conducteur de Fairchild	FRFET®, Superfet® II	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3			MOSFET (Oxyde Métallique)		À 247-3	télécharger					EAR99	8542.39.0001	66		Canal n		650 V	54A (TC)	10V	77MOHM @ 27A, 10V	5V @ 5,4mA	164 NC @ 10 V	± 20V	7109 PF @ 100 V	-	481W (TC)
Ksh210tm	0,3600	RFQ	95	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif	150 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63	Ksh21			1,4 w	D-pak	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre Affeté		EAR99	0000.00.0000	2 500																25 V	5 a									100NA (ICBO)		Pnp	1,8 V @ 1A, 5A	45 @ 2a, 1v	65 MHz
FDMA910PZ	1 0000	RFQ	7442	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	Pad Exposé 6-WDFN			MOSFET (Oxyde Métallique)		6 microfet (2x2)	télécharger					EAR99	8542.39.0001	1		Canal p		20 V	9.4A (TA)	1,8 V, 4,5 V	20MOHM @ 9.4A, 4,5 V	1,5 V @ 250µA	29 NC @ 4,5 V	± 8v	2805 PF @ 10 V	-	2.4W (TA)
FQP4N25	0,2700	RFQ	2	Semi-conducteur de Fairchild	QFET®	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3			MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220-3	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.29.0095	50		Canal n		250 V	3.6A (TC)	10V	1,75 ohm @ 1,8A, 10V	5V @ 250µA	5.6 NC @ 10 V	± 30V	200 pf @ 25 V	-	52W (TC)
HUFA76407D3	0,2300	RFQ	10	Semi-conducteur de Fairchild	Ultrafet ™	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 251-3 courtise Pistes, Ipak, à 251aa			MOSFET (Oxyde Métallique)		I-pak	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.29.0095	75		Canal n		60 V	12A (TC)	4,5 V, 10V	92MOHM @ 13A, 10V	3V à 250µA	11.3 NC @ 10 V	± 16V	350 pf @ 25 V	-	38W (TC)
KSC900LTA	0,0200	RFQ	8238	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Obsolète	150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes				250 MW	To-92-3	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.21.0075	2 925																25 V	50 mA									50NA (ICBO)		NPN	200 mV @ 2MA, 20mA	350 @ 500µA, 3V	100 MHz
KSD2012YTU	0,2000	RFQ	1	Semi-conducteur de Fairchild	-	Tube	Obsolète	150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3 EXCHET				25 W	À 220f-3	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.29.0095	50																60 V	3 A									100 µA (ICBO)		NPN	1V @ 200mA, 2A	100 @ 500mA, 5V	3 MHz
2N3904BU	0,0400	RFQ	1854	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa)				625 MW	To-92-3	télécharger					EAR99	8541.21.0075	1																40 V	200 mA									-		NPN	300 MV à 5MA, 50mA	100 @ 10mA, 1V	300 MHz
BSR18A	-	RFQ	7229	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 236-3, SC-59, SOT-23-3				350 MW	SOT-23-3	télécharger					EAR99	8541.21.0075	1																40 V	200 mA									50NA (ICBO)		Pnp	400 MV à 5MA, 50mA	100 @ 10mA, 1V	250 MHz
FGA5065ADF	2.5200	RFQ	325	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	TO-3P-3, SC-65-3		Standard		268 W	To-3pn	télécharger					EAR99	8542.39.0001	1			400V, 50A, 6OHM, 15V											31,8 ns	Arête du Champ de Tranché	650 V	100 A	150 a	2.2 V @ 15V, 50A	1,35 MJ (ON), 309µJ (OFF)	72.2 NC	20,8ns / 62,4ns
FDMS8025AS	0,4300	RFQ	9	Semi-conducteur de Fairchild	*	En gros	Actif				FDMS8025		-			-	Non applicable	1 (illimité)	Vendeur indéfini		EAR99	8542.39.0001	3 000												-
HUF76432P3	-	RFQ	5532	Semi-conducteur de Fairchild	Ultrafet ™	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3			MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220-3	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.29.0095	566		Canal n		60 V	59a (TC)	4,5 V, 10V	17MOHM @ 59A, 10V	3V à 250µA	53 NC @ 10 V	± 16V	1765 PF @ 25 V	-	130W (TC)
MJD47TF-FS	0,3400	RFQ	86	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63	MJD47			1,56 W	À 252-3 (DPAK)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre Affeté		EAR99	0000.00.0000	2 000																										200 µA		NPN	1V @ 200mA, 1A	30 @ 300mA, 10V	10 MHz
Fdmc6683pz	-	RFQ	3427	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface		Fdmc66		MOSFET (Oxyde Métallique)		8 MLP (3,3x3,3)	-	Non applicable	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	0000.00.0000	3 000		Canal p		20 V	40A (TC)	2,5 V, 4,5 V		1,5 V @ 250µA	74 NC @ 10 V	± 12V	7995 PF @ 10 V	-	26W (TC)
Ksh112tm	-	RFQ	3267	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif	150 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63	KSH11			1,75 W	D-pak	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre Affeté		EAR99	0000.00.0000	2 500																100 V	2 A									20 µA		Npn - darlington	3V @ 40mA, 4A	1000 @ 2A, 3V	25 MHz
FDB5680	1.7400	RFQ	7	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®	En gros	Actif	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab			MOSFET (Oxyde Métallique)		À 263ab	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre Affeté		EAR99	8541.29.0095	800		Canal n		60 V	40A (TC)	6v, 10v	20mohm @ 20a, 10v	4V @ 250µA	46 NC @ 10 V	± 20V	1850 pf @ 25 V	-	65W (TC)
MMBF170	-	RFQ	4869	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 236-3, SC-59, SOT-23-3			MOSFET (Oxyde Métallique)		SOT-23-3	télécharger					EAR99	8542.39.0001	1		Canal n		60 V	500mA (TA)	10V	5OHM @ 200mA, 10V	3V @ 1MA		± 20V	40 pf @ 10 V	-	300mw (TA)
FDD6776A	0,3700	RFQ	27	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®	En gros	Obsolète	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63			MOSFET (Oxyde Métallique)		À 252, (d-pak)	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.29.0095	2 500		Canal n		25 V	17.7A (TA), 30A (TC)	4,5 V, 10V	7,5 mohm @ 17,7a, 10v	3V à 250µA	29 NC @ 10 V	± 20V	1490 pf @ 13 V	-	3.7W (TA), 39W (TC)
Fjv4110rmtf	0,0200	RFQ	54	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Obsolète		Support de surface	À 236-3, SC-59, SOT-23-3	FJV411			200 MW	SOT-23-3	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.21.0075	3 000																40 V	100 mA									100NA (ICBO)		PNP - Pré-biaisé	300 mV @ 1MA, 10mA	100 @ 1MA, 5V	200 MHz	10 kohms

2000+
Volume de RFQ moyen quotidien
30 000 000
Unité de produit standard
2800+
Fabricants mondiaux
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Transistors (3821)

2000+

30 000 000

2800+

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15 000 m²