SIC
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Transistors (100539)

Image Numéro de Produit Prix ​​(USD) Quantité ECAD Quantité disponible Poids (kg) MFR Série Peigner ÉTAT DU PRODUIT Tension - note Température de fonctionnels Type de Montage Package / ÉTUI Numéro de Protuit de Base Fréquence Technologie Power - Max Saisir Forfait de Périphérique Fournisseur Fiche de Donnés Statt Rohs Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) Statt de Portée Noms Autres ECCN HTSUS Norme de package Configuration Taper fet Évaluation Actullelle (AMPS) Current - Test Puisance - Tourtie Gagner Égoutter la tension de la source (VDSS) Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) RDS SUR (MAX) @ ID, VGS Vgs (th) (max) @ id Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS VGS (max) Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds FET FONCTION Dissipation de Puisse (max) Silhouette Type igbt Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) Courant - Collectionneur (IC) (Max) Vce (on) (max) @ vge, ic Tension - test Tension - Dépression (V (br) GSS) Courant - Drain (iDSS) @ VDS (VGS = 0) Tension - coupure (VGS off) @ id COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) Thermistance NTC Capacité d'entrée (cies) @ vce RÉSISTANCE - RDS (ON) Type de transistor VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE FRÉQUENCE - transition
2SD1851-TB-E-SY Sanyo 2SD1851-TB-E-SY 0,1000
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 ECAD 219 0,00000000 Sanyo * En gros Actif - Non applicable 1 (illimité) Vendeur indéfini EAR99 8541.21.0095 3 000
FDS6680S Fairchild Semiconductor FDS6680 0,5200
RFQ
 ECAD 42 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild PowerTrench® En gros Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) MOSFET (Oxyde Métallique) 8-SOIC télécharger Rohs3 conforme EAR99 8541.29.0095 2 500 Canal n 30 V 11.5A (TA) 4,5 V, 10V 11MOHM @ 11.5A, 10V 3V à 250µA 24 NC @ 5 V ± 20V 2010 PF @ 15 V - 2.5W (TA)
IRF3717PBF Infineon Technologies Irf3717pbf -
RFQ
 ECAD 9683 0,00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tube Abandonné à sic -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) MOSFET (Oxyde Métallique) 8-so télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté SP001564392 EAR99 8541.29.0095 95 Canal n 20 V 20A (TA) 4,5 V, 10V 4.4MOHM @ 20A, 10V 2 45 V @ 250µA 33 NC @ 4,5 V ± 20V 2890 pf @ 10 V - 2.5W (TA)
94-2335 Infineon Technologies 94-2335 -
RFQ
 ECAD 6830 0,00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tube Obsolète -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 IRLR2705 MOSFET (Oxyde Métallique) D-pak télécharger Rohs non conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 75 Canal n 55 V 28a (TC) 4V, 10V 40 mohm @ 17a, 10v 2V à 250µA 25 NC @ 5 V ± 16V 880 pf @ 25 V - 68W (TC)
SIHB10N40D-GE3 Vishay Siliconix SIHB10N40D-GE3 1.7100
RFQ
 ECAD 7918 0,00000000 Vishay Siliconix - Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab Sihb10 MOSFET (Oxyde Métallique) D²pak (à 263) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 1 000 Canal n 400 V 10A (TC) 10V 600mohm @ 5a, 10v 5V @ 250µA 30 NC @ 10 V ± 30V 526 pf @ 100 V - 147W (TC)
F475R12KS4BPSA1 Infineon Technologies F475R12KS4BPSA1 194.0000
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 ECAD 1500 0,00000000 Infineon Technologies - Plateau Actif -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Soutenir de châssis Module F475R12 500 W Standard AG-ECONO2B télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 15 ONDULEUR DE PONT ACHET - 1200 V 100 A 3,75 V @ 15V, 75A 5 mA Oui 5.1 NF @ 25 V
NTMFS4C025NT1G onsemi Ntmfs4c025nt1g 1.1400
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 ECAD 639 0,00000000 onsemi - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 8-POWERTDFN, 5 pistes Ntmfs4 MOSFET (Oxyde Métallique) 5-DFN (5x6) (8-SOFL) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 1 500 Canal n 30 V 20A (TA), 69A (TC) 4,5 V, 10V 3 41MOHM @ 30A, 10V 2,1 V @ 250µA 26 NC @ 10 V ± 20V 1683 PF @ 15 V - 2 55W (TA), 30,5W (TC)
IPP05CN10NGHKSA1 Infineon Technologies Ipp05cn10nghkkksa1 -
RFQ
 ECAD 1809 0,00000000 Infineon Technologies Optimos ™ 2 Tube Actif Ipp05cn10 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté SP000096461 EAR99 8541.29.0095 500 100A (TC)
IXFN26N90 IXYS Ixfn26n90 29.2860
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 ECAD 5958 0,00000000 Ixys HiperFet ™ Tube Pas de designs les nouveaux -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Soutenir de châssis SOT-227-4, minibloc Ixfn26 MOSFET (Oxyde Métallique) SOT-227B télécharger Rohs3 conforme Non applicable Atteindre non affecté IXFN26N90-NDR EAR99 8541.29.0095 10 Canal n 900 V 26A (TC) 10V 300mohm @ 13a, 10v 5V @ 8mA 240 NC @ 10 V ± 20V 10800 pf @ 25 V - 600W (TC)
IRF9332TRPBF Infineon Technologies Irf9332trpbf 0,8000
RFQ
 ECAD 469 0,00000000 Infineon Technologies Hexfet® Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) IRF9332 MOSFET (Oxyde Métallique) 8-so télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 4 000 Canal p 30 V 9.8A (TA) 4,5 V, 10V 17,5 mohm @ 9,8a, 10v 2,4 V @ 25µA 41 NC @ 10 V ± 20V 1270 PF @ 25 V - 2.5W (TA)
FF300R08W2P2B11ABOMA1 Infineon Technologies FF300R08W2P2B11ABOMA1 89.8700
RFQ
 ECAD 15 0,00000000 Infineon Technologies Easypack ™ Plateau Actif -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Soutenir de châssis Module FF300R08 20 MW Standard Ag-Easy2B-3 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 15 2 indépendant - 750 V 200 A 1,18 V @ 15V, 200A 1 mA Oui 53 NF @ 50 V
IPP50R500CEXKSA1 Infineon Technologies Ipp50r500cexksa1 -
RFQ
 ECAD 7144 0,00000000 Infineon Technologies CoolMos ™ Tube Obsolète - Par le trou À 220-3 Ipp50r MOSFET (Oxyde Métallique) PG à220-3-1 télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 500 Canal n 500 V 7.6a (TC) 13V 500MOHM @ 2,3A, 13V 3,5 V @ 200µA 18,7 NC @ 10 V ± 20V 433 PF @ 100 V - -
AUIRFR8401 Infineon Technologies Auirfr8401 -
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 ECAD 4370 0,00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tube Obsolète -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 IRFR8401 MOSFET (Oxyde Métallique) D-pak télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal n 40 V 100A (TC) 10V 4.25mohm @ 60A, 10V 3,9 V @ 50µA 63 NC @ 10 V ± 20V 2200 pf @ 25 V - 79W (TC)
IPD200N15N3GBTMA1 Infineon Technologies IPD200N15N3GBTMA1 -
RFQ
 ECAD 2157 0,00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 IPD200N MOSFET (Oxyde Métallique) PG à 252-3 télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 2 500 Canal n 150 V 50A (TC) 8v, 10v 20 mohm @ 50a, 10v 4V @ 90µA 31 NC @ 10 V ± 20V 1820 pf @ 75 V - 150W (TC)
JANSG2N2221AUB/TR Microchip Technology Jansg2n2221aub / tr 255.6750
RFQ
 ECAD 9063 0,00000000 Technologie des micropuces - Ruban Adhésif (tr) Actif - 150-Jansg2n2221AUB / TR 50
MIXG120W1200PTEH IXYS Mixg120w1200pteh 154.9675
RFQ
 ECAD 6401 0,00000000 Ixys - Boîte Actif - - - Mixg120 - - - Rohs3 conforme Atteindre non affecté 238-mixg120w1200pteh 24 - - -
2SC4105M onsemi 2SC4105M 0,5500
RFQ
 ECAD 600 0,00000000 onsemi * En gros Actif télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 1
MRF5S19060MBR1 Freescale Semiconductor MRF5S19060MBR1 50 3500
RFQ
 ECAD 393 0,00000000 Semi-conducteur libre - En gros Actif 65 V À 272bb MRF5 1,93 GHz ~ 1,99 GHz LDMOS À 272 WB-4 télécharger Rohs non conforme 3 (168 Heures) Atteindre Affeté EAR99 0000.00.0000 1 - 750 mA 12W 14 dB - 28 V
BC856BW Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd BC856BW 0,1500
RFQ
 ECAD 7833 0,00000000 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd - Ruban Adhésif (tr) Actif 150 ° C (TJ) Support de surface SC-70, SOT-323 BC856 200 MW SOT-323 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 3 000 65 V 100 mA 100NA (ICBO) Pnp 650 mV @ 5mA, 100mA 220 @ 2MA, 5V 100 MHz
MQ2N4860 Microchip Technology MQ2N4860 54.6231
RFQ
 ECAD 1105 0,00000000 Technologie des micropuces MILIRE, MIL-PRF-19500/385 En gros Actif -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Par le trou To-206aa, au 18-3 MÉTAL CAN 360 MW À 18 (à 206aa) - Atteindre non affecté 150 MQ2N4860 1 Canal n 30 V 18pf @ 10v 30 V 20 mA @ 15 V 2 V @ 500 PA 40 ohms
BTS282ZE3180AATMA2 Infineon Technologies BTS282ZE3180AATMA2 6.7900
RFQ
 ECAD 7958 0,00000000 Infineon Technologies Tempfet® Ruban Adhésif (tr) Pas de designs les nouveaux -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface À 263-8, d²pak (7 leads + tab), à 263ca Bts282 MOSFET (Oxyde Métallique) PG à263-7-1 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 1 000 Canal n 49 V 80A (TC) 4,5 V, 10V 6,5 mohm @ 36a, 10v 2V @ 240µA 232 NC @ 10 V ± 20V 4800 pf @ 25 V Diode de latection de température 300W (TC)
HUF75645S3ST_NL Fairchild Semiconductor HUF75645S3ST_NL 4.1700
RFQ
 ECAD 342 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild Ultrafet ™ En gros Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab MOSFET (Oxyde Métallique) D²pak télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre Affeté EAR99 8541.29.0095 1 Canal n 100 V 75A (TC) 10V 14MOHM @ 75A, 10V 4V @ 250µA 238 NC @ 20 V ± 20V 3790 pf @ 25 V 310W (TC)
SIRA80DP-T1-RE3 Vishay Siliconix Sira80dp-t1-re3 1.5900
RFQ
 ECAD 546 0,00000000 Vishay Siliconix TRENCHFET® GEN IV Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface PowerPak® SO-8 Sira80 MOSFET (Oxyde Métallique) PowerPak® SO-8 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal n 30 V 100A (TC) 4,5 V, 10V 0,62MOHM @ 20A, 10V 2,2 V @ 250µA 188 NC @ 10 V + 20V, -16V 9530 PF @ 15 V - 104W (TC)
BC848BM3-TP Micro Commercial Co Bc848bm3-tp 0,0371
RFQ
 ECAD 9728 0,00000000 Micro Commercial Co - En gros Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface SOT-723 BC848 265 MW SOT-723 télécharger 353-BC848BM3-TP EAR99 8541.21.0075 1 30 V 100 mA 1 mA NPN 600 mV @ 5mA, 100mA 200 @ 2MA, 5V 100 MHz
BC857W-QX Nexperia USA Inc. BC857W-QX 0,0322
RFQ
 ECAD 9871 0,00000000 Nexperia USA Inc. Automobile, AEC-Q101 Ruban Adhésif (tr) Actif 150 ° C (TJ) Support de surface SC-70, SOT-323 BC857 200 MW SOT-323 télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté 1727-BC857W-QXTR EAR99 8541.21.0095 3 000 45 V 100 mA 15NA (ICBO) Pnp 600 mV @ 5mA, 100mA 125 @ 2MA, 5V 100 MHz
FQP16N25C onsemi FQP16N25C -
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 ECAD 4588 0,00000000 onsemi QFET® Tube Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 FQP1 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220-3 télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 1 000 Canal n 250 V 15.6a (TC) 10V 270MOHM @ 7.8A, 10V 4V @ 250µA 53,5 NC @ 10 V ± 30V 1080 PF @ 25 V - 139W (TC)
IRFR6215CPBF Infineon Technologies Irfr6215cpbf -
RFQ
 ECAD 2627 0,00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tube Obsolète - Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 MOSFET (Oxyde Métallique) D-pak télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 75 Canal p 150 V 13A (TC) 295MOHM @ 6.6A, 10V 4V @ 250µA 66 NC @ 10 V 860 pf @ 25 V - 110W (TC)
SPS8549RLRP onsemi SPS8549rlrp -
RFQ
 ECAD 4644 0,00000000 onsemi * En gros Actif - Non applicable 1 (illimité) Vendeur indéfini EAR99 8541.21.0095 1
SI2338DS-T1-GE3 Vishay Siliconix SI2338DS-T1-GE3 0,5300
RFQ
 ECAD 6 0,00000000 Vishay Siliconix TRENCHFET® Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 236-3, SC-59, SOT-23-3 Si2338 MOSFET (Oxyde Métallique) SOT-23-3 (à 236) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal n 30 V 6A (TC) 4,5 V, 10V 28MOHM @ 5.5A, 10V 2,5 V @ 250µA 13 NC @ 10 V ± 20V 424 PF @ 15 V - 1.3W (TA), 2,5W (TC)
PBSS5612PA,115 NXP Semiconductors PBS5612PA, 115 0,1100
RFQ
 ECAD 99 0,00000000 Semi-conduurs nxp - En gros Actif 150 ° C (TJ) Support de surface 3-Powerudfn 2,1 W 3-Huson (2x2) télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté 2156-PBS5612PA, 115-954 1 12 V 6 A 100NA Pnp 300 mV à 300mA, 6A 190 @ 2a, 2v 60 MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume de RFQ moyen quotidien

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Unité de produit standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

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  • In-stock Warehouse

    15 000 m2

    Entrepôt en stock

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AD9208BBPZ-3000

Tampon exposé de 196-LFBGA

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