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Transistors (100539)
| Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Tension - note | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Fréquence | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Configuration | Taper fet | Évaluation Actullelle (AMPS) | Current - Test | Puisance - Sortie | Gagner | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | VGS (max) | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Dissipation de Puisse (max) | Silhouette | Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) | Courant - Collectionneur (IC) (Max) | Tension - test | COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) | Type de transistor | VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC | Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE | FRÉQUENCE - transition |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Fdmd8260let60 | 3.1200 |  | 3 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | 12-POWERWDFN | FDMD8260 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 1.1W | 12 Puisse3.3x5 | télécharger | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 2 Canaux N (double) | 60V | 15A | 5,8MOHM @ 15A, 10V | 3V à 250µA | 68nc @ 10v | 5245pf @ 30v | - | ||||||||||||||||||||||||
 | SI7156DP-T1-E3 | - | | 2224 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SO-8 | SI7156 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® SO-8 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 40 V | 50A (TC) | 4,5 V, 10V | 3,5 mohm @ 20a, 10v | 3V à 250µA | 155 NC @ 10 V | ± 20V | 6900 pf @ 20 V | - | 5.4W (TA), 83W (TC) | |||||||||||||||||||
 | RBA250N04AHPF-4UA01 # GB0 | 5.6000 | | 1 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 175 ° C | Support de surface | À 263-7, d²pak (6 leads + onglet), à 263cb | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 263-7 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal n | 40 V | 250a (TC) | 10V | 0,85 mohm @ 125a, 10v | 4V @ 250µA | 368 NC @ 10 V | ± 20V | 19350 PF @ 25 V | - | 1.8W (TA), 348W (TC) | ||||||||||||||||||||
 | BST72A, 112 | - | | 3752 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | TRENCHMOS ™ | En gros | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes | BST7 | MOSFET (Oxyde Métallique) | To-92-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 000 | Canal n | 100 V | 190mA (TA) | 5V | 10OHM @ 150mA, 5V | 3,5 V @ 1MA | 20V | 40 pf @ 10 V | - | 830mw (TA) | ||||||||||||||||||||
 | MRF6S19060NBR1 | - | | 5039 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 68 V | Soutenir de châssis | À 272bb | MRF6 | 1,93 GHz | LDMOS | À 272 WB-4 | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0075 | 500 | - | 610 mA | 12W | 16 dB | - | 28 V | |||||||||||||||||||||||
| 64-2137pbf | - | | 6870 | 0,00000000 | Infineon Technologies | * | Tube | Actif | 64-2137 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | SP001575026 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MJD148J | 0,5300 | | 2 | 0,00000000 | Nexperia USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | 1,6 W | Dpak | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | 45 V | 4 A | 1 µA | NPN | 500 MV @ 200mA, 2A | 85 @ 500mA, 1V | 3 MHz | ||||||||||||||||||||||||
| Jans2n5794uc / tr | 349.3816 | | 9962 | 0,00000000 | Technologie des micropuces | MILIRE, MIL-PRF-19500/495 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Support de surface | 6 MD, Pas de plomb | 2N5794 | 600mw | UC | - | Atteindre non affecté | 150-Jans2N5794UC / TR | 50 | 40V | 600mA | 10µA (ICBO) | 2 npn (double) | 900 mV @ 30mA, 300mA | 100 @ 150mA, 10V | - | ||||||||||||||||||||||||||
 | SPA07N60C2 | 0,5600 | | 1 | 0,00000000 | Infineon Technologies | CoolMos ™ | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 EXCHET | MOSFET (Oxyde Métallique) | PG à220-3-31 | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal n | 600 V | 7.3a (TC) | 10V | 600mohm @ 4.6a, 10v | 5,5 V @ 350µA | 35 NC @ 10 V | ± 20V | 970 PF @ 25 V | - | 32W (TC) | ||||||||||||||||||||
 | TIP3055-S | - | | 2384 | 0,00000000 | Bourns Inc. | - | Tube | Obsolète | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 218-3 | TIP30 | 3,5 W | SOT-93 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 300 | 60 V | 15 A | 700 µA | NPN | 3V @ 3.3A, 10A | 20 @ 4A, 4V | - | ||||||||||||||||||||||||
 | FDC2512_F095 | - | | 9184 | 0,00000000 | onsemi | PowerTrench® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | FDC2512 | MOSFET (Oxyde Métallique) | Supersot ™ -6 | télécharger | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 150 V | 1.4A (TA) | 6v, 10v | 425MOHM @ 1.4A, 10V | 4V @ 250µA | 11 NC @ 10 V | ± 20V | 344 PF @ 75 V | - | 1.6W (TA) | ||||||||||||||||||||
 | Auirf6215strl | 3.9800 | | 800 | 0,00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Ruban Adhésif (tr) | Pas de designs les nouveaux | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | Auirf6215 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D2pak | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal p | 150 V | 13A (TC) | 10V | 290MOHM @ 6.6A, 10V | 4V @ 250µA | 66 NC @ 10 V | ± 20V | 860 pf @ 25 V | - | 3.8W (TA), 110W (TC) | |||||||||||||||||||
 | STB46NF30 | 4.4900 | | 995 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | Stripfet ™ II | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | STB46 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D²pak (à 263) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | Canal n | 300 V | 42A (TC) | 10V | 75MOHM @ 17A, 10V | 4V @ 250µA | 90 NC @ 10 V | ± 20V | 3200 pf @ 25 V | - | 300W (TC) | |||||||||||||||||||
 | NMB2227AH | 0,0665 | | 6756 | 0,00000000 | Nexperia USA Inc. | Automobile, AEC-Q100 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 150 ° C (TJ) | Support de surface | SC-74, SOT-457 | NMB2227 | 300mw | 6 TSOP | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 934070344125 | EAR99 | 8541.21.0075 | 3 000 | 40V | 600mA | 10NA (ICBO) | Npn, pnp | 1V @ 50mA, 500mA | 100 @ 150mA, 10V | 300 MHz | ||||||||||||||||||||||
 | 2SC3857 | - | | 1973 | 0,00000000 | Équilibre | - | En gros | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Par le trou | 3 ISIP | 150 W | MT-200 | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | 2SC3857 DK | EAR99 | 8541.29.0095 | 250 | 200 V | 15 A | 100 µA (ICBO) | NPN | 3V @ 1A, 10A | 50 @ 5A, 4V | 20 MHz | ||||||||||||||||||||||||
 | Jantxv2n3725ub / tr | - | | 5942 | 0,00000000 | Technologie des micropuces | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 200 ° C (TJ) | Support de surface | 3 mm, pas de plomb | Ub | - | Atteindre non affecté | 150-jantxv2n3725ub / tr | 50 | 50 V | 500 mA | - | NPN | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||
| UPA1601GS-E1-A | 1.8400 | | 40 | 0,00000000 | Renesas | - | En gros | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 16-SOIC (0,220 ", 5,59 mm de grandeur) | UPA1601 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 1W (ta) | 16-SOP | - | Rohs non conforme | Atteindre non affecté | 2156-upa1601gs-e1-a | EAR99 | 8542.39.0001 | 163 | 7 N-Canal | 30V | 270mA (TA) | 5,3 ohm @ 150mA, 4V | 800 mV à 150mA | - | 15pf @ 10v | - | |||||||||||||||||||||
 | PMV20XNEA, 215 | - | | 3902 | 0,00000000 | Nexperia USA Inc. | * | En gros | Actif | PMV20 | - | télécharger | Non applicable | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | 1 | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | FQPF5N50CYDTU | 1 5000 | | 667 | 0,00000000 | onsemi | QFET® | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 EXCHET | Fqpf5 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220f-3 (formage y) | télécharger | Rohs3 conforme | Non applicable | Atteindre non affecté | 2832-FQPF5N50CYDTU | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 500 V | 5A (TC) | 10V | 1,4 ohm @ 2,5a, 10v | 4V @ 250µA | 24 NC @ 10 V | ± 30V | 625 PF @ 25 V | - | 38W (TC) | ||||||||||||||||||
 | SI4214DDY-T1-GE3 | 0,6900 | | 2 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | SI4214 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 3.1W | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | 2 Canaux N (double) | 30V | 8.5a | 19,5 mohm @ 8a, 10v | 2,5 V @ 250µA | 22nc @ 10v | 660pf @ 15v | Porte de Niveau Logique | |||||||||||||||||||||
 | Irfr9110trlpbf | 1.5900 | | 1511 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | IRFR9110 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D-pak | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal p | 100 V | 3.1A (TC) | 10V | 1,2 ohm @ 1,9a, 10v | 4V @ 250µA | 8,7 NC @ 10 V | ± 20V | 200 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 25W (TC) | ||||||||||||||||||||
 | Fdd13an06a0_nl | - | | 6377 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 252, (d-pak) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal n | 60 V | 9.9A (TA), 50A (TC) | 6v, 10v | 13,5 mohm @ 50a, 10v | 4V @ 250µA | 29 NC @ 10 V | ± 20V | 1350 pf @ 25 V | - | 115W (TC) | ||||||||||||||||||||
| Irf1407strlpbf | 2.8600 | | 9 | 0,00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | IRF1407 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D2pak | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal n | 75 V | 100A (TC) | 10V | 7,8MOHM @ 78A, 10V | 4V @ 250µA | 250 NC @ 10 V | ± 20V | 5600 pf @ 25 V | - | 3.8W (TA), 200W (TC) | |||||||||||||||||||
 | MJE16004 | 0,5200 | | 103 | 0,00000000 | onsemi | * | En gros | Actif | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IXFA3N120 | 9.9300 | | 3581 | 0,00000000 | Ixys | HiperFet ™ | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | Ixfa3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 263aa (ixfa) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | -IXFA3N120 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 1200 V | 3A (TC) | 10V | 4,5 ohm @ 1,5a, 10v | 5V @ 1,5mA | 39 NC @ 10 V | ± 20V | 1050 pf @ 25 V | - | 200W (TC) | ||||||||||||||||||
 | Dtc114eet1 | 0,0400 | | 156 | 0,00000000 | onsemi | - | En gros | Obsolète | DTC114 | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MMPQ2907 | 1 0000 | | 2228 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | - | Support de surface | 16-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | MMPQ29 | 1W | 16 ans | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | 40V | 600mA | 50NA (ICBO) | 4 pnp (quad) | 1,6 V @ 30mA, 300mA | 100 @ 150mA, 10V | - | |||||||||||||||||||||||||
 | BC857AW, 115 | 0 1700 | | 13 | 0,00000000 | Nexperia USA Inc. | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 150 ° C (TJ) | Support de surface | SC-70, SOT-323 | BC857 | 200 MW | SOT-323 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0075 | 3 000 | 45 V | 100 mA | 15NA (ICBO) | Pnp | 600 mV @ 5mA, 100mA | 125 @ 2MA, 5V | 100 MHz | |||||||||||||||||||||||
 | NDS7002A_NB9GGTXA | - | | 8385 | 0,00000000 | onsemi | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | NDS700 | MOSFET (Oxyde Métallique) | SOT-23-3 | télécharger | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 3 000 | Canal n | 60 V | 280mA (TA) | 5v, 10v | 2OHM @ 500mA, 10V | 2,5 V @ 250µA | ± 20V | 50 pf @ 25 V | - | 300mw (TA) | |||||||||||||||||||||
 | BCP55,115 | 0,4800 | | 972 | 0,00000000 | Nexperia USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 261-4, à 261aa | BCP55 | 1,35 W | SOT-223 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 000 | 60 V | 1 a | 100NA (ICBO) | NPN | 500 mV à 50ma, 500mA | 63 @ 150mA, 2V | 180 MHz |
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