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Produits semi-conduurs Discets (191)

Image Numéro de Produit Prix (USD) Quantité ECAD Quantité disponible Poids (kg) MFR Série Peigner ÉTAT DU PRODUIT Température de fonctionnels Type de Montage Package / ÉTUI Numéro de Protuit de Base Type d'entrée Technologie Power - Max Saisir Forfait de Périphérique Fournisseur Fiche de Donnés Statt Rohs Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) Statt de Portée Noms Autres ECCN HTSUS Norme de package Configuration Vitre Taper fet Condition de test Égoutter la tension de la source (VDSS) Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) RDS SUR (MAX) @ ID, VGS Vgs (th) (max) @ id Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS VGS (max) Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds FET FONCTION Dissipation de Puisse (max) Configuration de diode Tension - DC inverse (VR) (max) COURANT - RECTIFIÉ MOYEN (IO) (Per Diode) Tension - en Avant (vf) (max) @ si Temps de réménage inversé (TRR) Courant - FUITE INVERSEE @ VR Température de FonctionNement - Jonction Current - Rectifié Moyen (IO) Capacité @ vr, f Type igbt Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) Courant - Collectionneur (IC) (Max) COURANT - COPEUR PULSÉ (ICM) Vce (on) (max) @ vge, ic Commutation d'Énergie Charge de Porte TD (On / Off) à 25 ° C Type de diode Tension - Pic inverse (max) COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) Thermistance NTC Capacité d'entrée (cies) @ vce
GPA030A135MN-FDR SemiQ GPA030A135MN-FDR -
RFQ
 ECAD 5364 0,00000000 Semiq - Tube Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou TO-3P-3, SC-65-3 Standard 329 W To-3pn télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre Affeté EAR99 8541.29.0095 1 600V, 30A, 5OHM, 15V 450 ns Arête du Champ de Tranché 1350 V 60 A 90 A 2,4 V @ 15V, 30A 4.4MJ (ON), 1 18MJ (OFF) 300 NC 30ns / 145ns
GP2D005A120C SemiQ Gp2d005a120c -
RFQ
 ECAD 1349 0,00000000 Semiq Amp + ™ Ruban Adhésif (tr) Abandonné à sic Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 Sic (Carbure de Silicium) Schottky À 252-2l (DPAK) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre Affeté EAR99 8541.10.0080 2 500 Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) 1200 V 1,8 V @ 5 A 0 ns 10 µA à 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C 5A 317pf @ 1v, 1MHz
GPA025A120MN-ND SemiQ GPA025A120MN-ND -
RFQ
 ECAD 6976 0,00000000 Semiq - Tube Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou TO-3P-3, SC-65-3 Standard 312 W To-3pn télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre Affeté EAR99 8541.29.0095 1 600V, 25A, 10OHM, 15V 480 ns NPT ET TRANGÉE 1200 V 50 a 75 A 2,5 V @ 15V, 25A 4.15MJ (ON), 870µJ (OFF) 350 NC 57ns / 240ns
GPA040A120L-FD SemiQ GPA040A120L-FD -
RFQ
 ECAD 3010 0,00000000 Semiq - Tube Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 264-3, à 264aa Standard 480 W À 264 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre Affeté EAR99 8541.29.0095 25 600V, 40A, 5OHM, 15V 200 ns Arête du Champ de Tranché 1200 V 80 A 120 A 2.6V @ 15V, 40A 5,3mj (on), 1,1mj (off) 480 NC 55ns / 200ns
GSID080A120B1A5 SemiQ GSID080A120B1A5 -
RFQ
 ECAD 6824 0,00000000 Semiq Amp + ™ En gros Obsolète -40 ° C ~ 150 ° C Soutenir de châssis Module GSID080 1710 W Standard Module télécharger Rohs3 conforme Atteindre Affeté EAR99 8541.29.0095 10 Célibataire - 1200 V 160 A 2v @ 15v, 80a 1 mA Oui 7 nf @ 25 V
GSID100A120T2P2 SemiQ GSID100A120T2P2 -
RFQ
 ECAD 8230 0,00000000 Semiq Amp + ™ En gros Obsolète -40 ° C ~ 150 ° C Soutenir de châssis Module GSID100 710 W Redredeur de pont en trois phases Module télécharger Rohs3 conforme Atteindre Affeté EAR99 8541.29.0095 3 Onduleur Triphasé - 1200 V 200 A 2.1V @ 15V, 100A 1 mA Oui 13,7 nf @ 25 V
GSID150A120S3B1 SemiQ GSID150A120S3B1 -
RFQ
 ECAD 3805 0,00000000 Semiq Amp + ™ En gros Obsolète -40 ° C ~ 150 ° C Soutenir de châssis Module d-3 GSID150 940 W Standard D3 télécharger Rohs3 conforme Atteindre Affeté EAR99 8541.29.0095 4 2 indépendant - 1200 V 300 A 2v @ 15v, 150a 1 mA Non 14 nf @ 25 V
GSID200A120S3B1 SemiQ GSID200A120S3B1 -
RFQ
 ECAD 6870 0,00000000 Semiq Amp + ™ En gros Obsolète -40 ° C ~ 150 ° C Soutenir de châssis Module d-3 GSID200 1595 W Standard D3 télécharger Rohs3 conforme Atteindre Affeté EAR99 8541.29.0095 4 2 indépendant - 1200 V 400 A 2V @ 15V, 200A 1 mA Non 20 nf @ 25 V
GP2T040A120U SemiQ GP2T040A120U 20.8400
RFQ
 ECAD 30 0,00000000 Semiq - Tube Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 Sicfet (carbure de silicium) À 247-3 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) 1560-GP2T040A120U EAR99 8541.29.0095 30 Canal n 1200 V 63a (TC) 20V 52MOHM @ 40A, 20V 4V @ 10mA 118 NC @ 20 V + 25V, -10V 3192 PF @ 1000 V - 322W (TC)
GP2T040A120H SemiQ GP2T040A120H 21.2800
RFQ
 ECAD 75 0,00000000 Semiq - Tube Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou À 247-4 Sicfet (carbure de silicium) À 247-4 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) 1560-GP2T040A120H EAR99 8541.29.0095 30 Canal n 1200 V 63a (TC) 20V 52MOHM @ 40A, 20V 4V @ 10mA 118 NC @ 20 V + 25V, -10V 3192 PF @ 1000 V - 322W (TC)
GP3D015A120B SemiQ Gp3d015a120b 7.3903
RFQ
 ECAD 7673 0,00000000 Semiq Amp + ™ Tube Actif Par le trou À 247-2 Gp3d015 Sic (Carbure de Silicium) Schottky À 247-2 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre Affeté 1560-GP3D015A120B EAR99 8541.10.0080 30 Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) 1200 V 1,6 V @ 15 A 0 ns 30 µA à 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C 15A 962pf @ 1v, 1MHz
GP3D012A065A SemiQ Gp3d012a065a 3.2444
RFQ
 ECAD 2691 0,00000000 Semiq Amp + ™ Tube Actif Par le trou À 220-2 Gp3d012 Sic (Carbure de Silicium) Schottky À 220-2 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre Affeté 1560-GP3D012A065A EAR99 8541.10.0080 50 Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) 650 V 1,5 V @ 12 A 0 ns 30 µA à 650 V -55 ° C ~ 175 ° C 12A 572pf @ 1v, 1MHz
GP3D020A065A SemiQ Gp3d020a065a 5.3302
RFQ
 ECAD 9691 0,00000000 Semiq Amp + ™ Tube Actif Par le trou À 220-2 Gp3d020 Sic (Carbure de Silicium) Schottky À 220-2 télécharger Rohs3 conforme Atteindre Affeté 1560-GP3D020A065A EAR99 8541.10.0080 50 Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) 650 V 1,65 V @ 30 A 75 µA à 650 V -55 ° C ~ 175 ° C 20A 1247pf @ 1v, 1MHz
GHXS030A060S-D1E SemiQ Ghxs030a060s-d1e 67.1600
RFQ
 ECAD 39 0,00000000 Semiq - Tube Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Soutenir de châssis SOT-227-4, minibloc Ghxs030 Carbure de Silicium Schottky SOT-227 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre Affeté EAR99 8541.10.0080 10 1,7 V @ 30 A 100 µA @ 600 V 30 A Monophasé 600 V
GSXD100A010S1-D3 SemiQ Gsxd100a010s1-d3 33.9200
RFQ
 ECAD 8225 0,00000000 Semiq - Tube Actif Soutenir de châssis SOT-227-4, minibloc Gsxd100 Schottky SOT-227 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre Affeté EAR99 8541.10.0080 13 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 2 indépendant 100 V 100A 840 MV @ 100 A 1 ma @ 100 V -40 ° C ~ 150 ° C
GPA015A120MN-ND SemiQ GPA015A120MN-ND -
RFQ
 ECAD 1402 0,00000000 Semiq - Tube Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou TO-3P-3, SC-65-3 Standard 212 W To-3pn télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre Affeté EAR99 8541.29.0095 1 600V, 15A, 10OHM, 15V 320 ns NPT ET TRANGÉE 1200 V 30 A 45 A 2,5 V @ 15V, 15A 1 61mj (on), 530 µJ (off) 210 NC 25ns / 166ns
GPA030A120I-FD SemiQ GPA030A120I-FD -
RFQ
 ECAD 3620 0,00000000 Semiq - Tube Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 Standard 329 W À 247 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre Affeté EAR99 8541.29.0095 1 600V, 30A, 10OHM, 15V 450 ns Arête du Champ de Tranché 1200 V 60 A 90 A 2,5 V @ 15V, 30A 4,5mj (on), 850 µJ (off) 330 NC 40ns / 245ns
GP3D010A120A SemiQ Gp3d010a120a 6.0000
RFQ
 ECAD 6 0,00000000 Semiq Amp + ™ Tube Actif Par le trou À 220-2 Gp3d010 Sic (Carbure de Silicium) Schottky À 220-2 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre Affeté EAR99 8541.10.0080 50 Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) 1200 V 1,65 V @ 10 A 0 ns 20 µA à 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C 10A 608pf @ 1v, 1MHz
GSXD060A004S1-D3 SemiQ Gsxd060a004s1-d3 33.8235
RFQ
 ECAD 2498 0,00000000 Semiq - Tube Actif Soutenir de châssis SOT-227-4, minibloc Gsxd060 Schottky SOT-227 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre Affeté EAR99 8541.10.0080 13 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 2 indépendant 45 V 60A 700 mV @ 60 A 1 ma @ 45 V -40 ° C ~ 150 ° C
GP2D005A170B SemiQ Gp2d005a170b -
RFQ
 ECAD 2345 0,00000000 Semiq Amp + ™ Tube Abandonné à sic Par le trou À 247-2 Sic (Carbure de Silicium) Schottky À 247-2 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre Affeté 1560-1038-5 EAR99 8541.10.0080 30 Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) 1700 V 1,75 V @ 5 A 0 ns 10 µA à 1700 V -55 ° C ~ 175 ° C 5A 406pf @ 1v, 1MHz
GP3D030A065B SemiQ Gp3d030a065b 8.4600
RFQ
 ECAD 152 0,00000000 Semiq Amp + ™ Tube Actif Par le trou À 247-2 Gp3d030 Sic (Carbure de Silicium) Schottky À 247-2 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre Affeté EAR99 8541.10.0080 30 Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) 650 V 1,65 V @ 30 A 0 ns 75 µA à 650 V -55 ° C ~ 175 ° C 30A 1247pf @ 1v, 1MHz
GSID150A120S6A4 SemiQ GSID150A120S6A4 -
RFQ
 ECAD 4782 0,00000000 Semiq Amp + ™ En gros Obsolète -40 ° C ~ 150 ° C Soutenir de châssis Module GSID150 1035 W Standard Module télécharger Rohs3 conforme Atteindre Affeté EAR99 8541.29.0095 4 Célibataire - 1200 V 275 A 1,9 V @ 15V, 150A 1 mA Oui 20.2 NF @ 25 V
GSXD050A008S1-D3 SemiQ Gsxd050a008s1-d3 31.8774
RFQ
 ECAD 8203 0,00000000 Semiq - Tube Actif Soutenir de châssis SOT-227-4, minibloc Gsxd050 Schottky SOT-227 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre Affeté EAR99 8541.10.0080 13 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 2 indépendant 80 V 50A 840 MV @ 50 A 1 ma @ 80 V -40 ° C ~ 150 ° C
GPA040A120L-ND SemiQ Gpa040a120l-nd -
RFQ
 ECAD 2278 0,00000000 Semiq - Tube Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 264-3, à 264aa Standard 455 W À 264 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre Affeté EAR99 8541.29.0095 25 600V, 40A, 5OHM, 15V 220 ns NPT ET TRANGÉE 1200 V 80 A 120 A 2,8 V @ 15V, 40A 5,8mJ (on), 1,5mJ (off) 510 NC 41ns / 200ns
GSXD050A020S1-D3 SemiQ Gsxd050a020s1-d3 31.8774
RFQ
 ECAD 3259 0,00000000 Semiq - Tube Actif Soutenir de châssis SOT-227-4, minibloc Gsxd050 Schottky SOT-227 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre Affeté EAR99 8541.10.0080 13 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 2 indépendant 200 V 50A 920 MV @ 50 A 3 Ma @ 200 V -40 ° C ~ 150 ° C
GSXF120A020S1-D3 SemiQ Gsxf120a020s1-d3 38.6179
RFQ
 ECAD 7517 0,00000000 Semiq - Tube Actif Soutenir de châssis SOT-227-4, minibloc Gsxf120 Standard SOT-227 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre Affeté EAR99 8541.10.0080 13 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 2 indépendant 200 V 120a 1 V @ 120 A 100 ns 25 µA @ 200 V -55 ° C ~ 175 ° C
GP2D005A120A SemiQ Gp2d005a120a -
RFQ
 ECAD 8876 0,00000000 Semiq Amp + ™ Tube Abandonné à sic Par le trou À 220-2 Sic (Carbure de Silicium) Schottky À 220-2 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre Affeté 1560-1036-5 EAR99 8541.10.0080 50 Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) 1200 V 1,8 V @ 5 A 0 ns 10 µA à 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C 5A 317pf @ 1v, 1MHz
GSXD060A006S1-D3 SemiQ Gsxd060a006s1-d3 33.2649
RFQ
 ECAD 3708 0,00000000 Semiq - Tube Actif Soutenir de châssis SOT-227-4, minibloc Gsxd060 Schottky SOT-227 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre Affeté EAR99 8541.10.0080 13 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 2 indépendant 60 V 60A 750 MV @ 60 A 1 ma @ 60 V -40 ° C ~ 150 ° C
GPI040A060MN-FD SemiQ Gpi040a060mn-fd -
RFQ
 ECAD 7915 0,00000000 Semiq - Tube Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou TO-3P-3, SC-65-3 Standard 231 W To-3pn télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre Affeté EAR99 8541.29.0095 1 400V, 40A, 5OHM, 15V 60 ns Arête du Champ de Tranché 600 V 80 A 120 A 2.3 V @ 15V, 40A 1 46MJ (ON), 540µJ (OFF) 173 NC 35ns / 85ns
GSXD120A020S1-D3 SemiQ Gsxd120a020s1-d3 41.4600
RFQ
 ECAD 7 0,00000000 Semiq - Tube Actif Soutenir de châssis SOT-227-4, minibloc Gsxd120 Schottky SOT-227 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre Affeté EAR99 8541.10.0080 13 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 2 indépendant 200 V 120a 920 MV @ 120 A 3 Ma @ 200 V -40 ° C ~ 150 ° C
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume de RFQ moyen quotidien

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Unité de produit standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricants mondiaux

  • In-stock Warehouse

    15 000 m2

    Entrepôt en stock

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AD9208BBPZ-3000

Tampon exposé de 196-LFBGA

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