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Produits semi-conduurs Discets (191)

Image Numéro de Produit Prix (USD) Quantité ECAD Quantité disponible Poids (kg) MFR Série Peigner ÉTAT DU PRODUIT Température de fonctionnels Type de Montage Package / ÉTUI Numéro de Protuit de Base Type d'entrée Technologie Power - Max Forfait de Périphérique Fournisseur Fiche de Donnés Statt Rohs Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) Statt de Portée Noms Autres ECCN HTSUS Norme de package Vitre Taper fet Condition de test Égoutter la tension de la source (VDSS) Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) RDS SUR (MAX) @ ID, VGS Vgs (th) (max) @ id Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS VGS (max) Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds FET FONCTION Dissipation de Puisse (max) Configuration de diode Tension - DC inverse (VR) (max) COURANT - RECTIFIÉ MOYEN (IO) (Per Diode) Tension - en Avant (vf) (max) @ si Temps de réménage inversé (TRR) Courant - FUITE INVERSEE @ VR Température de FonctionNement - Jonction Current - Rectifié Moyen (IO) Capacité @ vr, f Type igbt Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) Courant - Collectionneur (IC) (Max) COURANT - COPEUR PULSÉ (ICM) Vce (on) (max) @ vge, ic Commutation d'Énergie Charge de Porte TD (On / Off) à 25 ° C
GSXF100A060S1-D3 SemiQ Gsxf100a060s1-d3 -
RFQ
 ECAD 1220 0,00000000 Semiq - Tube Obsolète Soutenir de châssis SOT-227-4, minibloc Gsxf100 Standard SOT-227 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre Affeté EAR99 8541.10.0080 13 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 2 indépendant 600 V 100A 1,5 V @ 100 A 90 ns 25 µA à 600 V -55 ° C ~ 175 ° C
GHXS015A120S-D3 SemiQ Ghxs015a120s-d3 39.8900
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Semiq - Tube Actif Soutenir de châssis SOT-227-4, minibloc Ghxs015 Sic (Carbure de Silicium) Schottky SOT-227 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre Affeté EAR99 8541.10.0080 10 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 2 indépendant 1200 V 15A 1,7 V @ 15 A 100 µA à 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C
GPA030A120MN-FD SemiQ GPA030A120MN-FD -
RFQ
 ECAD 1512 0,00000000 Semiq - Tube Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou TO-3P-3, SC-65-3 Standard 329 W To-3pn télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre Affeté EAR99 8541.29.0095 1 600V, 30A, 10OHM, 15V 450 ns Arête du Champ de Tranché 1200 V 60 A 90 A 2,5 V @ 15V, 30A 4,5mj (on), 850 µJ (off) 330 NC 40ns / 245ns
GSXD100A015S1-D3 SemiQ Gsxd100a015s1-d3 33.9200
RFQ
 ECAD 8632 0,00000000 Semiq - Tube Actif Soutenir de châssis SOT-227-4, minibloc Gsxd100 Schottky SOT-227 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre Affeté EAR99 8541.10.0080 13 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 2 indépendant 150 V 100A 880 MV @ 100 A 3 Ma @ 150 V -40 ° C ~ 150 ° C
GP2D003A065A SemiQ Gp2d003a065a -
RFQ
 ECAD 8046 0,00000000 Semiq Amp + ™ Tube Obsolète Par le trou À 220-2 Sic (Carbure de Silicium) Schottky À 220-2 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre Affeté 1560-1034-5 EAR99 8541.10.0080 50 Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) 650 V 1,65 V @ 3 A 0 ns 30 µA à 650 V -55 ° C ~ 175 ° C 3A 158pf @ 1v, 1MHz
GCMS080B120S1-E1 SemiQ GCMS080B120S1-E1 25.9600
RFQ
 ECAD 75 0,00000000 Semiq - Tube Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Soutenir de châssis SOT-227-4, minibloc GCMS080 Sicfet (carbure de silicium) SOT-227 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre Affeté 1560-GCMS080B120S1-E1 EAR99 8541.29.0095 10 Canal n 1200 V 30a (TC) 20V 100MOHM @ 20A, 20V 4V @ 10mA 58 NC @ 20 V + 25V, -10V 1374 pf @ 1000 V - 142W (TC)
GCMX040B120S1-E1 SemiQ GCMX040B120S1-E1 29.3400
RFQ
 ECAD 30 0,00000000 Semiq - Tube Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Soutenir de châssis SOT-227-4, minibloc GCMX040 Sic (transistor de jonction en carbure de silicium) SOT-227 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) 1560-GCMX040B120S1-E1 EAR99 8541.29.0095 10 Canal n 1200 V 57a (TC) 20V 52MOHM @ 40A, 20V 4V @ 10mA 121 NC @ 20 V + 25V, -10V 3185 PF @ 1000 V - 242W (TC)
GSXF100A120S1-D3 SemiQ Gsxf100a120s1-d3 39.7100
RFQ
 ECAD 61 0,00000000 Semiq - Tube Actif Soutenir de châssis SOT-227-4, minibloc Gsxf100 Standard SOT-227 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre Affeté EAR99 8541.10.0080 13 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 2 indépendant 1200 V 100A 2,35 V @ 100 A 125 ns 25 µA à 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C
GSXD060A015S1-D3 SemiQ Gsxd060a015s1-d3 33.2649
RFQ
 ECAD 1187 0,00000000 Semiq - Tube Actif Soutenir de châssis SOT-227-4, minibloc Gsxd060 Schottky SOT-227 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre Affeté EAR99 8541.10.0080 13 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 2 indépendant 150 V 60A 880 MV @ 60 A 3 Ma @ 150 V -40 ° C ~ 150 ° C
GSXD060A018S1-D3 SemiQ Gsxd060a018s1-d3 33.2649
RFQ
 ECAD 6866 0,00000000 Semiq - Tube Actif Soutenir de châssis SOT-227-4, minibloc Gsxd060 Schottky SOT-227 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre Affeté EAR99 8541.10.0080 13 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 2 indépendant 180 V 60A 920 MV @ 60 A 3 Ma @ 180 V -40 ° C ~ 150 ° C
GPA042A100L-ND SemiQ Gpa042a100l-nd -
RFQ
 ECAD 4213 0,00000000 Semiq - Tube Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 264-3, à 264aa Standard 463 W À 264 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre Affeté EAR99 8541.29.0095 25 600V, 60A, 50 ohms, 15v 465 ns NPT ET TRANGÉE 1000 V 60 A 120 A 2,9 V @ 15V, 60A 13.1mj (on), 6,3mj (off) 405 NC 230ns / 1480ns
GPA020A135MN-FD SemiQ GPA020A135MN-FD -
RFQ
 ECAD 2337 0,00000000 Semiq - Tube Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou TO-3P-3, SC-65-3 Standard 223 W To-3pn télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre Affeté EAR99 8541.29.0095 1 600V, 20A, 10OHM, 15V 425 ns Arête du Champ de Tranché 1350 V 40 A 60 A 2.3V @ 15V, 20A 2,5MJ (ON), 760µJ (OFF) 180 NC 25NS / 175NS
GSXD060A020S1-D3 SemiQ Gsxd060a020s1-d3 33.2649
RFQ
 ECAD 8826 0,00000000 Semiq - Tube Actif Soutenir de châssis SOT-227-4, minibloc Gsxd060 Schottky SOT-227 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre Affeté EAR99 8541.10.0080 13 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 2 indépendant 200 V 60A 920 MV @ 60 A 3 Ma @ 200 V -40 ° C ~ 150 ° C
GP3D050A120B SemiQ Gp3d050a120b 23.2600
RFQ
 ECAD 146 0,00000000 Semiq Amp + ™ Tube Actif Par le trou À 247-2 Gp3d050 Sic (Carbure de Silicium) Schottky À 247-2 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre Affeté EAR99 8541.10.0080 30 Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) 1200 V 1,7 V @ 50 A 0 ns 100 µA à 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C 50A 3040pf @ 1v, 1MHz
GP2D010A120A SemiQ Gp2d010a120a -
RFQ
 ECAD 3273 0,00000000 Semiq Amp + ™ Tube Abandonné à sic Par le trou À 220-2 Sic (Carbure de Silicium) Schottky À 220-2 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre Affeté 1560-1043-5 EAR99 8541.10.0080 50 Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) 1200 V 1,8 V @ 10 A 0 ns 20 µA à 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C 10A 635pf @ 1v, 1MHz
GSXD120A004S1-D3 SemiQ Gsxd120a004s1-d3 41.4100
RFQ
 ECAD 10 0,00000000 Semiq - Tube Actif Soutenir de châssis SOT-227-4, minibloc Gsxd120 Schottky SOT-227 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre Affeté EAR99 8541.10.0080 13 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 2 indépendant 45 V 120a 700 mV @ 120 A 1 ma @ 45 V -40 ° C ~ 150 ° C
GP3D030A120U SemiQ Gp3d030a120u 15.7900
RFQ
 ECAD 33 0,00000000 Semiq Amp + ™ Tube Actif Par le trou À 247-3 Gp3d030 Sic (Carbure de Silicium) Schottky À 247-3 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre Affeté EAR99 8541.10.0080 30 Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) 1 paire la commune de cathode 1200 V 15A 1,6 V @ 15 A 0 ns 30 µA à 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C
GSXD100A006S1-D3 SemiQ Gsxd100a006s1-d3 33.9200
RFQ
 ECAD 3263 0,00000000 Semiq - Tube Actif Soutenir de châssis SOT-227-4, minibloc Gsxd100 Schottky SOT-227 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre Affeté EAR99 8541.10.0080 13 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 2 indépendant 60 V 100A 750 MV @ 100 A 1 ma @ 60 V -40 ° C ~ 150 ° C
GPA040A120MN-FD SemiQ GPA040A120MN-FD -
RFQ
 ECAD 2545 0,00000000 Semiq - Tube Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou TO-3P-3, SC-65-3 Standard 480 W To-3pn télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre Affeté EAR99 8541.29.0095 1 600V, 40A, 5OHM, 15V 200 ns Arête du Champ de Tranché 1200 V 80 A 120 A 2.6V @ 15V, 40A 5,3mj (on), 1,1mj (off) 480 NC 55ns / 200ns
GP2D010A120C SemiQ Gp2d010a120c -
RFQ
 ECAD 8853 0,00000000 Semiq Amp + ™ Tube Abandonné à sic Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 Sic (Carbure de Silicium) Schottky À 252-2l (DPAK) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre Affeté 1560-1045-5 EAR99 8541.10.0080 75 Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) 1200 V 1,8 V @ 10 A 0 ns 20 µA à 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C 10A 635pf @ 1v, 1MHz
GP2D003A060C SemiQ Gp2d003a060c -
RFQ
 ECAD 5362 0,00000000 Semiq Amp + ™ Ruban Adhésif (tr) Obsolète Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 Sic (Carbure de Silicium) Schottky À 252-2l (DPAK) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre Affeté EAR99 8541.10.0080 2 500 Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) 600 V 1,65 V @ 3 A 0 ns 10 µA @ 600 V -55 ° C ~ 175 ° C 3A 158pf @ 1v, 1MHz
GSXD050A012S1-D3 SemiQ Gsxd050a012s1-d3 35.5100
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 Semiq - Tube Actif Soutenir de châssis SOT-227-4, minibloc Gsxd050 Schottky SOT-227 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre Affeté EAR99 8541.10.0080 13 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 2 indépendant 120 V 50A 880 MV @ 50 A 3 Ma @ 120 V -40 ° C ~ 150 ° C
GSXD120A018S1-D3 SemiQ Gsxd120a018s1-d3 37.0575
RFQ
 ECAD 2977 0,00000000 Semiq - Tube Actif Soutenir de châssis SOT-227-4, minibloc Gsxd120 Schottky SOT-227 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre Affeté EAR99 8541.10.0080 13 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 2 indépendant 180 V 120a 920 MV @ 120 A 3 Ma @ 180 V -40 ° C ~ 150 ° C
GSXF120A120S1-D3 SemiQ Gsxf120a120s1-d3 39.6525
RFQ
 ECAD 9398 0,00000000 Semiq - Tube Actif Soutenir de châssis SOT-227-4, minibloc Gsxf120 Standard SOT-227 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre Affeté EAR99 8541.10.0080 13 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 2 indépendant 1200 V 120a 2,35 V @ 120 A 135 ns 25 µA à 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C
GSXF060A020S1-D3 SemiQ Gsxf060a020s1-d3 31.8774
RFQ
 ECAD 6858 0,00000000 Semiq - Tube Actif Soutenir de châssis SOT-227-4, minibloc Gsxf060 Standard SOT-227 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre Affeté EAR99 8541.10.0080 13 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 2 indépendant 200 V 60A 1 V @ 60 A 75 ns 25 µA @ 200 V -55 ° C ~ 175 ° C
GP2D030A065B SemiQ Gp2d030a065b -
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 ECAD 1206 0,00000000 Semiq * Tube Abandonné à sic - Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre Affeté EAR99 8541.10.0080 1
GSXD160A015S1-D3 SemiQ Gsxd160a015s1-d3 41.7555
RFQ
 ECAD 9433 0,00000000 Semiq - Tube Actif Soutenir de châssis SOT-227-4, minibloc Gsxd160 Schottky SOT-227 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre Affeté EAR99 8541.10.0080 13 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 2 indépendant 150 V 160a 880 MV @ 160 A 3 Ma @ 150 V -40 ° C ~ 150 ° C
GHXS050A170S-D3 SemiQ Ghxs050a170s-d3 177.6100
RFQ
 ECAD 21 0,00000000 Semiq - Tube Actif Soutenir de châssis SOT-227-4, minibloc Ghxs050 Sic (Carbure de Silicium) Schottky SOT-227 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre Affeté EAR99 8541.10.0080 10 Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) 2 indépendant 1700 V 150a 1,9 V @ 50 A 750 µA à 1700 V -55 ° C ~ 175 ° C
GP2D060A120U SemiQ Gp2d060a120u -
RFQ
 ECAD 7053 0,00000000 Semiq Amp + ™ Tube Abandonné à sic Par le trou À 247-3 Sic (Carbure de Silicium) Schottky À 247-3 télécharger Rohs3 conforme Atteindre Affeté EAR99 8541.10.0080 30 Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) 1 paire la commune de cathode 1200 V 94a (DC) 1,8 V @ 30 A 500 µA à 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C
GSXD060A008S1-D3 SemiQ Gsxd060a008s1-d3 37.7700
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Semiq - Tube Actif Soutenir de châssis SOT-227-4, minibloc Gsxd060 Schottky SOT-227 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre Affeté EAR99 8541.10.0080 13 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 2 indépendant 80 V 60A 840 MV @ 60 A 1 ma @ 80 V -40 ° C ~ 150 ° C
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume de RFQ moyen quotidien

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Unité de produit standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

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AD9208BBPZ-3000

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