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Produits semi-conduurs Discets (191)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Technologie	Saisir	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Configuration	Vitre	Configuration de diode	Tension - DC inverse (VR) (max)	COURANT - RECTIFIÉ MOYEN (IO) (Per Diode)	Tension - en Avant (vf) (max) @ si	Temps de réménage inversé (TRR)	Courant - FUITE INVERSEE @ VR	Température de FonctionNement - Jonction	Current - Rectifié Moyen (IO)	Capacité @ vr, f	Type igbt	Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max)	Courant - Collectionneur (IC) (Max)	Vce (on) (max) @ vge, ic	COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX)	Thermistance NTC	Capacité d'entrée (cies) @ vce
Gp3d010a170b	8.5100	RFQ	17	Semiq	Amp + ™	Tube	Actif		Par le trou	À 247-2	Gp3d010	Sic (Carbure de Silicium) Schottky		À 247-2	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre Affeté		EAR99	8541.10.0080	30		Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO)		1700 V		1,65 V @ 10 A	0 ns	40 µA à 1700 V	-55 ° C ~ 175 ° C	67a	699pf @ 1v, 1MHz
Gsxd060a010s1-d3	33.2649	RFQ	6688	Semiq	-	Tube	Actif		Soutenir de châssis	SOT-227-4, minibloc	Gsxd060	Schottky		SOT-227	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre Affeté		EAR99	8541.10.0080	13		Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)	2 indépendant	100 V	60A	840 MV @ 60 A		1 ma @ 100 V	-40 ° C ~ 150 ° C
Gp2d030a120b	-	RFQ	9514	Semiq	Amp + ™	Tube	Abandonné à sic		Par le trou	À 247-2		Sic (Carbure de Silicium) Schottky		À 247-2	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre Affeté	1560-1054-5	EAR99	8541.10.0080	30		Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO)		1200 V		1,8 V @ 30 A	0 ns	60 µA à 1200 V	-55 ° C ~ 175 ° C	30A	1905pf @ 1v, 1MHz
Gp3d010a120b	5.3303	RFQ	9212	Semiq	Amp + ™	Tube	Actif		Par le trou	À 247-2	Gp3d010	Sic (Carbure de Silicium) Schottky		À 247-2	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre Affeté		EAR99	8541.10.0080	30		Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO)		1200 V		1,65 V @ 10 A	0 ns	20 µA à 1200 V	-55 ° C ~ 175 ° C	10A	608pf @ 1v, 1MHz
Gsxf030a060s1-d3	-	RFQ	3434	Semiq	-	Tube	Obsolète		Soutenir de châssis	SOT-227-4, minibloc	Gsxf030	Standard		SOT-227	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre Affeté	Gsxf030a060s1d3	EAR99	8541.10.0080	1		Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)	2 indépendant	600 V	30A	1,5 V @ 30 A	60 ns	25 µA à 600 V	-55 ° C ~ 175 ° C
Gp3d006a065a	1.8500	RFQ	143	Semiq	Amp + ™	Tube	Actif		Par le trou	À 220-2	Gp3d006	Sic (Carbure de Silicium) Schottky		À 220-2L	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre Affeté		EAR99	8541.10.0080	50		Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO)		650 V		1,55 V @ 6 A		15 µA à 650 V	-55 ° C ~ 175 ° C	20A	229pf @ 1v, 1mhz
Gp2d060a120b	-	RFQ	7054	Semiq	Amp + ™	Tube	Abandonné à sic		Par le trou	À 247-2		Sic (Carbure de Silicium) Schottky		À 247-2	télécharger	Rohs3 conforme	Non applicable	Atteindre Affeté		EAR99	8541.10.0080	30		Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO)		1200 V		1,8 V @ 60 A		500 µA à 1200 V	-55 ° C ~ 175 ° C	60A	3809pf @ 1v, 1MHz
Gp3d020a065b	6.2800	RFQ	171	Semiq	Amp + ™	Tube	Actif		Par le trou	À 247-2	Gp3d020	Sic (Carbure de Silicium) Schottky		À 247-2	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre Affeté		EAR99	8541.10.0080	30		Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO)		650 V		1,7 V @ 20 A	0 ns	50 µA à 650 V	-55 ° C ~ 175 ° C	20A	835pf @ 1v, 1MHz
Gp3d008a065c	-	RFQ	3639	Semiq	*	Tube	Actif				Gp3d008				-	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre Affeté		EAR99	8541.10.0080	1
GSID200A120S5C1	-	RFQ	8305	Semiq	-	En gros	Obsolète	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	Module	GSID200		Standard	Module	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre Affeté	1560-1231	EAR99	8541.29.0095	2	Onduleur Triphasé											-	1200 V	335 A	2.1V @ 15V, 200A	1 mA	Oui	22,4 nf @ 25 V
Gp3d010a065b	2.7810	RFQ	2987	Semiq	Amp + ™	Tube	Actif		Par le trou	À 247-2	Gp3d010	Sic (Carbure de Silicium) Schottky		À 247-2	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre Affeté	1560-GP3D010A065B	EAR99	8541.10.0080	50		Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO)		650 V		1,6 V @ 10 A	0 ns	25 µA à 650 V	-55 ° C ~ 175 ° C	10A	419pf @ 1v, 1MHz