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Produits semi-conduurs discrètes (16626)
| Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Tension - note | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Type d'entrée | Fréquence | Technologie | Power - Max | Structure | Saisir | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Configuration | Vitre | Taper fet | Évaluation Actullelle (AMPS) | Courant - Max | Courant - Hold (IH) (Max) | Condition de test | Current - Test | Puisance - Sortie | Gagner | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | VGS (max) | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Dissipation de Puisse (max) | Tension - Hors de l'ÉTAT | COURANT - À L'ÉTAT (IT (RMS)) (Max) | Tension - Trigger de la Porte (VGT) (Max) | COURANT - Non-Répérée 50, 60Hz (ITSM) | Courant - Trigger de la Porte (IGT) (Max) | COURANT - À L'ÉTAT (IT (AV)) (Max) | Silhouette | Tension - DC inverse (VR) (max) | Tension - en Avant (vf) (max) @ si | Temps de réménage inversé (TRR) | Courant - FUITE INVERSEE @ VR | Température de FonctionNement - Jonction | Current - Rectifié Moyen (IO) | Capacité @ vr, f | Nombre de Scr, Diodes | Type igbt | Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) | Courant - Collectionneur (IC) (Max) | COURANT - COPEUR PULSÉ (ICM) | Vce (on) (max) @ vge, ic | Commutation d'Énergie | Charge de Porte | TD (On / Off) à 25 ° C | Tension - test | Type de diode | Tension - Pic inverse (max) | Tension - Dépression (V (br) GSS) | Courant - Drain (iDSS) @ VDS (VGS = 0) | COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) | Thermistance NTC | Capacité d'entrée (cies) @ vce | RÉSISTANCE - RDS (ON) | Résistance @ si, f | Drain de Courant (ID) - Max |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | BAR6304WH6327 | 0,0600 |  | 5 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | En gros | Actif | 150 ° C (TJ) | SC-70, SOT-323 | PG-Sot323-3 | télécharger | Non applicable | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.10.0070 | 5 482 | 100 mA | 250 MW | 0,3pf @ 5v, 1MHz | Pin - Connexion de la Séririe 1 paire | 50v | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BF2030WE6814BTSA1 | - | | 9355 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 8 V | Support de surface | SC-82A, SOT-343 | BF2030 | 800 MHz | Mosfet | PG-Sot343-3d | télécharger | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 3 000 | Canal n | 40m | 10 mA | - | 23 dB | 1,5 dB | 5 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | T2480N28TOFVTXPSA1 | 1 0000 | | 3354 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 125 ° C | Soutenir de châssis | Do00ae | T2480N28 | Célibataire | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.30.0080 | 2 | 300 mA | 2,8 kV | 5100 A | 2,5 V | 47500A @ 50hz | 250 mA | 2490 A | 1 SCR | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IJW120R100T1FKSA1 | - | | 2626 | 0,00000000 | Infineon Technologies | Coolsic ™ | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 247-3 | 190 W | PG à247-3 | télécharger | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 240 | Canal n | 1200 V | 1550pf @ 19,5v (VGS) | 1200 V | 1,5 µA à 1200 V | 100 mohms | 26 A | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Irfh7885trpbf | - | | 5206 | 0,00000000 | Infineon Technologies | Fastirfet ™ | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-VQFN | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-pqfn (5x6) | télécharger | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 4 000 | Canal n | 80 V | 22a (ta) | 10V | 3,9MOHM @ 50A, 10V | 3,6 V @ 150µA | 54 NC @ 10 V | ± 20V | 2311 pf @ 40 V | - | 3.6W (TA), 156W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | FS3L30R07W2H3FB11BPSA2 | 94.6200 | | 15 | 0,00000000 | Infineon Technologies | Easypack ™ | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Soutenir de châssis | Module | FS3L30 | 20 MW | Standard | Module | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 15 | Onduleur Triphasé | Arête du Champ de Tranché | 650 V | 30 A | 1,9 V @ 15V, 30A | 1 mA | Oui | 1,65 nf @ 25 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Ipd60r380e6btma1 | - | | 4647 | 0,00000000 | Infineon Technologies | CoolMos ™ E6 | En gros | Abandonné à sic | -55 ° C ~ 155 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | Ipd60r | MOSFET (Oxyde Métallique) | PG à 252-3 | télécharger | Non applicable | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal n | 600 V | 10.6a (TC) | 10V | 380 mOhm @ 3,8A, 10V | 3,5 V @ 300µA | 32 NC @ 10 V | ± 20V | 700 pf @ 100 V | - | 83W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BAT1504WH6327XTSA1 | 0,6700 | | 1 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 150 ° C (TJ) | SC-70, SOT-323 | BAT1504 | PG-Sot323 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0070 | 3 000 | 110 mA | 100 MW | 0,35pf @ 0v, 1mhz | Schottky - Connexion de la Séririe 1 paire | 4V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BAR6302WH6327XTSA1 | - | | 5477 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 150 ° C (TJ) | SC-80 | BAR63 | SCD-80 | télécharger | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0070 | 3 000 | 100 mA | 250 MW | 0,3pf @ 5v, 1MHz | Broche - simple | 50v | 1OHM @ 10mA, 100MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AIKW75N60CTXKSA1 | 13.1600 | | 3220 | 0,00000000 | Infineon Technologies | Automotive, AEC-Q101, Trenchstop ™ | Tube | Actif | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 247-3 | AIKW75 | Standard | 428 W | PG à247-3-41 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | 400V, 75A, 5OHM, 15V | Arête du Champ de Tranché | 600 V | 80 A | 225 A | 2v @ 15v, 75a | 2MJ (on), 2,5mj (off) | 470 NC | 33NS / 330NS | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | FS35R12W1T4BOMA1 | 47.2000 | | 9453 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Soutenir de châssis | Module | FS35R12 | 225 W | Standard | Module | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 24 | Onduleur Triphasé | Arête du Champ de Tranché | 1200 V | 65 A | 2.25V @ 15V, 35A | 1 mA | Oui | 2 nf @ 25 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BAR 63-06W H6327 | - | | 6988 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | En gros | Actif | 150 ° C (TJ) | SC-70, SOT-323 | SOT-323 | télécharger | Non applicable | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.10.0070 | 3 000 | 100 mA | 250 MW | 0,3pf @ 5v, 1MHz | Broche - 1 paire commun | 50v | 1OHM @ 10mA, 100MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IPD70N12S3L12ATMA1 | - | | 2365 | 0,00000000 | Infineon Technologies | Automotive, AEC-Q101, Optimos ™ | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | Ipd70 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PG à252-3-11 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 120 V | 70A (TC) | 4,5 V, 10V | 11,5MOHM @ 70A, 10V | 2,4 V @ 83µA | 77 NC @ 10 V | ± 20V | 5550 pf @ 25 V | - | 125W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TTW3C115N16LOF | 107.4700 | | 381 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | En gros | Actif | 125 ° C (TJ) | Soutenir de châssis | Module | Pont, 3 phases - tous les scr | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.30.0080 | 1 | 200 mA | 1,6 kV | 75 A | 2,5 V | 720a @ 50hz | 150 mA | 6 SCR | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Irfsl3607pbf | - | | 4494 | 0,00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 262-3 longs longs, i²pak, à 262aa | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 262 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | SP001565218 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | Canal n | 75 V | 80A (TC) | 10V | 9MOHM @ 46A, 10V | 4V @ 100µA | 84 NC @ 10 V | ± 20V | 3070 PF @ 50 V | - | 140W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Fd1200r17hp4-k_b2 | 1 0000 | | 39 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | En gros | Actif | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Soutenir de châssis | Module | FD1200R | Standard | AG-IHVB130-3 | télécharger | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | Hélicoptère | - | 1700 V | 1200 A | 2,25 V @ 15V, 1,2A | 5 mA | Non | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Ipp139n08n3gxksa1 | 0,6100 | | 632 | 0,00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ 3 | En gros | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PG à 220-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal n | 80 V | 45A (TC) | 6v, 10v | 13,9MOHM @ 45A, 10V | 3,5 V @ 33µA | 25 NC @ 10 V | ± 20V | 1730 pf @ 40 V | - | 79W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Irgsl6b60kpbf | - | | 5487 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 262-3 longs longs, i²pak, à 262aa | Irgsl6 | Standard | 90 W | À 262 | télécharger | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | 400 V, 5A, 100OHM, 15V | NPT | 600 V | 13 A | 26 A | 2.2V @ 15V, 5A | 110 µJ (ON), 135µJ (OFF) | 18.2 NC | 25NS / 215NS | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | FF2MR12KM1HOSA1 | 1 0000 | | 10 | 0,00000000 | Infineon Technologies | Coolsic ™ | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Soutenir de châssis | Module | FF2MR12 | MOSFET (Oxyde Métallique) | - | AG-62 mm | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 10 | 2 N-Canal (Demi-pont) | 1200V (1,2 kV) | 500A (TC) | 2.13MOHM @ 500A, 15V | 5.15V @ 224mA | 1340nc @ 15v | 39700pf @ 800v | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IKW50N65RH5XKSA1 | 9.5400 | | 6037 | 0,00000000 | Infineon Technologies | TRENCHSTOP ™ 5 | Tube | Actif | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 247-3 | IKW50N65 | Standard | 305 W | PG à247-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | 400V, 25A, 12OHM, 15V | Arête du Champ de Tranché | 650 V | 80 A | 200 A | 2.1V @ 15V, 50A | 230 µJ (ON), 180µJ (OFF) | 120 NC | 22NS / 180NS | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Irfr5505trlpbf | 1.3500 | | 2 | 0,00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Ruban Adhésif (tr) | Pas de designs les nouveaux | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | IRFR5505 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D-pak | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal p | 55 V | 18A (TC) | 10V | 110MOHM @ 9.6A, 10V | 4V @ 250µA | 32 NC @ 10 V | ± 20V | 650 pf @ 25 V | - | 57W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IDL10G65C5XUMA2 | 5.3900 | | 1 | 0,00000000 | Infineon Technologies | Coolsic ™ + | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | 4 Powertsfn | Idl10g65 | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | PG-VSON-4 | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 000 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 650 V | 1,7 V @ 10 A | 0 ns | 180 µA à 650 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 10A | 300pf @ 1v, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Irfr3911trlpbf | - | | 3802 | 0,00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D-pak | télécharger | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 100 V | 14A (TC) | 10V | 115MOHM @ 8.4A, 10V | 4V @ 250µA | 32 NC @ 10 V | ± 20V | 740 PF @ 25 V | - | 56W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Bar6402ele6327xtma1 | 0,4100 | | 24 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 150 ° C (TJ) | 0402 (1006 MÉTrique) | BAR6402 | PG-TSLP-2-19 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0070 | 15 000 | 100 mA | 250 MW | 0,35pf @ 20v, 1 MHz | Broche - simple | 150V | 1,35 ohm @ 100mA, 100MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BAT1505WH6327XTSA1 | - | | 8277 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 150 ° C (TJ) | SC-70, SOT-323 | BAT15 | PG-Sot323 | télécharger | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0070 | 3 000 | 110 mA | 100 MW | 0,35pf @ 0v, 1mhz | Schottky - 1 paire cathode commune | 4V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SIPC14N50C3X1SA2 | - | | 3282 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | En gros | Actif | Sipc14 | - | Rohs3 conforme | 2 (1 AN) | Atteindre non affecté | SP000957002 | 0000.00.0000 | 1 | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Bar8802lrhe6327xtsa1 | - | | 5130 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 150 ° C (TJ) | SOD-882 | Bar88 | PG-TSLP-2-7 | télécharger | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0070 | 15 000 | 100 mA | 250 MW | 0,4pf @ 1v, 1MHz | Broche - simple | 80V | 600 mohm @ 10mA, 100mhz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Ipt65r190cfd7xtma1 | 1.6315 | | 7495 | 0,00000000 | Infineon Technologies | CoolMos ™ CFD7 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | - | Support de surface | 8 Powersfn | MOSFET (Oxyde Métallique) | Sonore | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 000 | Canal n | 650 V | - | - | - | - | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Bat 15-098lrh E6327 | - | | 4520 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 150 ° C (TJ) | 4-xfdfn | Chauve-Souris 15 | PG-TSLP-4-7 | télécharger | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0070 | 15 000 | 110 mA | 100 MW | 0,35pf @ 0v, 1mhz | Schottky - 2 Independent | 4V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 64-4060pbf | - | | 3087 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | Tube | Actif | - | 64-4060 | - | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | - | - | - | - | - | - | - | - |
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