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Produits semi-conduurs discrètes (16626)

Image Numéro de Produit Prix ​​(USD) Quantité ECAD Quantité disponible Poids (kg) MFR Série Peigner ÉTAT DU PRODUIT Tension - note Température de fonctionnels Type de Montage Package / ÉTUI Numéro de Protuit de Base Type d'entrée Fréquence Technologie Power - Max Structure Saisir Forfait de Périphérique Fournisseur Fiche de Donnés Statt Rohs Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) Statt de Portée Noms Autres ECCN HTSUS Norme de package Configuration Vitre Taper fet Évaluation Actullelle (AMPS) Courant - Hold (IH) (Max) Condition de test Current - Test Puisance - Sortie Gagner Égoutter la tension de la source (VDSS) Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) RDS SUR (MAX) @ ID, VGS Vgs (th) (max) @ id Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS VGS (max) Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds FET FONCTION Dissipation de Puisse (max) Tension - Hors de l'ÉTAT COURANT - À L'ÉTAT (IT (RMS)) (Max) Tension - Trigger de la Porte (VGT) (Max) COURANT - Non-Répérée 50, 60Hz (ITSM) Courant - Trigger de la Porte (IGT) (Max) COURANT - À L'ÉTAT (IT (AV)) (Max) Silhouette Configuration de diode Tension - DC inverse (VR) (max) COURANT - RECTIFIÉ MOYEN (IO) (Per Diode) Tension - en Avant (vf) (max) @ si Temps de réménage inversé (TRR) Courant - FUITE INVERSEE @ VR Température de FonctionNement - Jonction Nombre de Scr, Diodes Type igbt Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) Courant - Collectionneur (IC) (Max) COURANT - COPEUR PULSÉ (ICM) Vce (on) (max) @ vge, ic Commutation d'Énergie Charge de Porte TD (On / Off) à 25 ° C Tension - test COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) Thermistance NTC Capacité d'entrée (cies) @ vce Type de transistor VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE FRÉQUENCE - transition RÉSISTANCE - BASE (R1) Résistance - Base d'Emetteur (R2) Figure de Bruit (db typ @ f)
BCP 51-16 H6778 Infineon Technologies BCP 51-16 H6778 -
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 ECAD 7634 0,00000000 Infineon Technologies - Ruban Adhésif (tr) Abandonné à sic 150 ° C (TJ) Support de surface SOT-143R BCP 51 2 W PG-SOT-143R-3D télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0075 4 000 45 V 1 a 100NA (ICBO) Pnp 500 mV à 50ma, 500mA 100 @ 150mA, 2V 125 MHz
FP40R12KE3BOSA1 Infineon Technologies FP40R12KE3BOSA1 -
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 ECAD 5130 0,00000000 Infineon Technologies Econopim ™ 2 En gros Abandonné à sic -40 ° C ~ 125 ° C Soutenir de châssis Module FP40R12 210 W Standard Module télécharger Non applicable Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 10 Onduleur Triphasé Arête du Champ de Tranché 1200 V 55 A 2.3 V @ 15V, 40A 1 mA Oui 2,5 nf @ 25 V
FF1200R17KE3B2NOSA1 Infineon Technologies FF1200R17KE3B2NOSA1 -
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 ECAD 8084 0,00000000 Infineon Technologies IHM-B Plateau Obsolète -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Soutenir de châssis Module 6600 W Standard A-IHV130-3 télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 2 2 indépendant - 1700 V 1700 A 2,45 V @ 15V, 1,2A 5 mA Non 110 nf @ 25 V
IRFR2307ZTRLPBF Infineon Technologies Irfr2307ztrlpbf 1.6500
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 ECAD 2 0,00000000 Infineon Technologies Hexfet® Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 IRFR2307 MOSFET (Oxyde Métallique) D-pak télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal n 75 V 42A (TC) 10V 16MOHM @ 32A, 10V 4V @ 100µA 75 NC @ 10 V ± 20V 2190 PF @ 25 V - 110W (TC)
BSC028N06NSTATMA1 Infineon Technologies BSC028N06NSTATMA1 2.8500
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 ECAD 7 0,00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface 8-PowerTDFN BSC028 MOSFET (Oxyde Métallique) PG-TDSON-8-7 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 5 000 Canal n 60 V 24A (TA), 100A (TC) 6v, 10v 2,8MOHM @ 50A, 10V 3,3 V @ 50µA 49 NC @ 10 V ± 20V 3375 PF @ 30 V - 3W (TA), 100W (TC)
SPB80N06S08ATMA1 Infineon Technologies SPB80N06S08ATMA1 -
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 ECAD 7954 0,00000000 Infineon Technologies Sipmos® Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab SPB80N MOSFET (Oxyde Métallique) PG à263-3-2 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 1 000 Canal n 55 V 80A (TC) 10V 7,7MOHM @ 80A, 10V 4V à 240µA 187 NC @ 10 V ± 20V 3660 PF @ 25 V - 300W (TC)
ISC009N06LM5ATMA1 Infineon Technologies ISC009N06LM5ATMA1 4.7800
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 ECAD 8085 0,00000000 Infineon Technologies Optimos ™ 5 Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface 8-PowerTDFN ISC009N MOSFET (Oxyde Métallique) PG-TSON-8-3 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 5 000 Canal n 60 V 41A (TA), 348A (TC) 4,5 V, 10V 0,9 mohm @ 50a, 10v 2,3 V @ 147µA 209 NC @ 10 V ± 20V 13000 pf @ 30 V - 3W (TA), 214W (TC)
PXAC261202FCV1XWSA1 Infineon Technologies PXAC261202FCV1XWSA1 -
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 ECAD 6463 0,00000000 Infineon Technologies - Plateau Obsolète 65 V Soutenir de châssis H-37248-4 2,61 GHz LDMOS H-37248-4 télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté SP001178442 OBSOLÈTE 0000.00.0000 1 Source communal double - 230 mA 28W 13,5 dB - 28 V
IPP023NE7N3GXKSA1 Infineon Technologies Ipp023ne7n3gxksa1 6.6600
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 ECAD 5 0,00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tube Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 Ipp023 MOSFET (Oxyde Métallique) PG à220-3-1 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 75 V 120A (TC) 10V 2,3MOHM @ 100A, 10V 3,8 V @ 273µA 206 NC @ 10 V ± 20V 14400 PF @ 37,5 V - 300W (TC)
SPP100N03S2L03 Infineon Technologies SPP100N03S2L03 -
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 ECAD 3739 0,00000000 Infineon Technologies Optimos ™ En gros Obsolète -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 SPP100N MOSFET (Oxyde Métallique) PG à220-3-1 télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 500 Canal n 30 V 100A (TC) 10V 3MOHM @ 80A, 10V 2V à 250µA 220 NC @ 10 V ± 20V 8180 PF @ 25 V - 300W (TC)
BCR 129F E6327 Infineon Technologies BCR 129F E6327 -
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 ECAD 9472 0,00000000 Infineon Technologies - Ruban Adhésif (tr) Obsolète Support de surface SOT-723 BCR 129 250 MW PG-TSFP-3 télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.21.0075 3 000 50 V 100 mA 100NA (ICBO) NPN - Pré-biaisé 300 mV à 500 µA, 10mA 120 @ 5mA, 5V 150 MHz 10 kohms
IAUT260N10S5N019ATMA1 Infineon Technologies IAUT260N10S5N019ATMA1 6.2800
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 ECAD 3 0,00000000 Infineon Technologies Optimos ™ -5 Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface 8 Powersfn Iat260 MOSFET (Oxyde Métallique) Pg-hsof-8-1 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 2 000 Canal n 100 V 260A (TC) 6v, 10v 1,9MOHM @ 100A, 10V 3,8 V @ 210µA 166 NC @ 10 V ± 20V 11830 pf @ 50 V - 300W (TC)
AUIRF3415 Infineon Technologies Auirf3415 -
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 ECAD 5883 0,00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tube Obsolète -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220ab télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté SP001516548 EAR99 8541.29.0095 1 000 Canal n 150 V 43A (TC) 10V 42MOHM @ 22A, 10V 4V @ 250µA 200 NC @ 10 V ± 20V 2400 pf @ 25 V - 200W (TC)
TD104N14KOFAHPSA1 Infineon Technologies TD104N14KOFAHPSA1 163.0127
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 ECAD 1850 0,00000000 Infineon Technologies - Plateau Actif -40 ° C ~ 140 ° C Soutenir de châssis Module TD104N14 Connexion de la Séririe - SCR / Diode - Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.30.0080 15 200 mA 1,4 kV 160 A 1,4 V 2050a @ 50hz 120 mA 104 A 1 SCR, 1 Diode
IRF7307PBF Infineon Technologies Irf7307pbf -
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 ECAD 6850 0,00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tube Abandonné à sic -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) IRF73 MOSFET (Oxyde Métallique) 2W 8-so télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté SP001559776 EAR99 8541.29.0095 95 Canal n et p 20V 5.2a, 4.3a 50MOHM @ 2,6A, 4,5 V 700 mV à 250µA 20nc @ 4,5 V 660pf @ 15v Porte de Niveau Logique
FS150R12N2T7BPSA2 Infineon Technologies FS150R12N2T7BPSA2 248.6053
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 ECAD 4976 0,00000000 Infineon Technologies Econopack ™ 2 Plateau Actif -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Soutenir de châssis Module FS150R12 20 MW Standard AG-ECONO2 télécharger Rohs3 conforme Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 15 Onduleur Triphasé Arête du Champ de Tranché 1200 V 150 a 1,8 V @ 15V, 150A 1,2 µA Oui 30.1 nf @ 25 V
FP75R06KE3BOSA1 Infineon Technologies Fp75r06ke3bosa1 167.8200
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 ECAD 9 0,00000000 Infineon Technologies Econopim ™ 3 Plateau Actif -40 ° C ~ 150 ° C Soutenir de châssis Module FP75R06 250 W Standard Module télécharger Rohs3 conforme Non applicable Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 10 Onduleur Triphasé Arête du Champ de Tranché 600 V 95 A 1,9 V @ 15V, 75A 1 mA Oui 4.6 NF @ 25 V
T3160N14TOFVTXPSA1 Infineon Technologies T3160N14TOFVTXPSA1 -
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 ECAD 2090 0,00000000 Infineon Technologies - Plateau Obsolète -40 ° C ~ 125 ° C Soutenir de châssis Do00ae T3160N Célibataire télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.30.0080 1 300 mA 1,8 kV 7000 A 2,5 V 57000A @ 50hz 250 mA 3160 A 1 SCR
BAV99SE6327BTSA1 Infineon Technologies BAV99SE6327BTSA1 -
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 ECAD 9901 0,00000000 Infineon Technologies - Ruban Adhésif (tr) Obsolète Support de surface 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Bav99 Standard Pg-sot363-po télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0070 3 000 Petit signal = <200mA (IO), Toute Vinesse Connexion de la Série de 2 paires 80 V 200mA (DC) 1,25 V @ 150 Ma 4 ns 150 na @ 70 V 150 ° C (max)
BSZ017NE2LS5IATMA1 Infineon Technologies Bsz017ne2ls5iatma1 1.6400
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 ECAD 3103 0,00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 8-PowerTDFN BSZ017 MOSFET (Oxyde Métallique) PG-TSDSON-8-FL télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 5 000 Canal n 25 V 27A (TA), 40A (TC) 4,5 V, 10V 1,7MOHM @ 20A, 10V 2V à 250µA 30 NC @ 10 V ± 16V 2000 pf @ 12 V - 2.1W (TA), 50W (TC)
IPW65R190C7XKSA1 Infineon Technologies IPW65R190C7XKSA1 4.8400
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 ECAD 8939 0,00000000 Infineon Technologies CoolMos ™ C7 Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 Ipw65r190 MOSFET (Oxyde Métallique) PG à247-3 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 30 Canal n 650 V 13A (TC) 10V 190mohm @ 5.7a, 10v 4V @ 290µA 23 NC @ 10 V ± 20V 1150 pf @ 400 V - 72W (TC)
IRGP4078DPBF Infineon Technologies Irgp4078dpbf -
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 ECAD 3646 0,00000000 Infineon Technologies - Tube Obsolète -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 Standard 278 W À 247AC télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté SP001540792 EAR99 8541.29.0095 25 400 V, 50A, 10OHM, 15V Tranché 600 V 74 A 150 a 2.2 V @ 15V, 50A 1,1mj (off) 92 NC - / 116ns
IRF3704STRR Infineon Technologies Irf3704strr -
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 ECAD 9485 0,00000000 Infineon Technologies Hexfet® Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab MOSFET (Oxyde Métallique) D2pak télécharger Rohs non conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 800 Canal n 20 V 77a (TC) 4,5 V, 10V 9MOHM @ 15A, 10V 3V à 250µA 19 NC @ 4,5 V ± 20V 1996 PF @ 10 V - 87W (TC)
IGP10N60TATMA1 Infineon Technologies IGP10N60TATMA1 -
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 ECAD 4884 0,00000000 Infineon Technologies TRENCHSTOP ™ En gros Actif -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 Standard 110 W PG à220-3-1 télécharger Non applicable 1 (illimité) Vendeur indéfini EAR99 8541.29.0095 1 400V, 10A, 23OHM, 15V NPT, Trench Field Stop 600 V 24 A 30 A 2.05V @ 15V, 10A 160 µJ (ON), 270 µJ (OFF) 62 NC 12NS / 215NS
BCR 133T E6327 Infineon Technologies BCR 133T E6327 -
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 ECAD 3588 0,00000000 Infineon Technologies - Ruban Adhésif (tr) Obsolète Support de surface SC-75, SOT-416 BCR 133 250 MW PG-SC-75 télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.21.0075 3 000 50 V 100 mA 100NA (ICBO) NPN - Pré-biaisé 300 mV à 500 µA, 10mA 30 @ 5mA, 5V 130 MHz 10 kohms 10 kohms
IRLR7821PBF Infineon Technologies IRlr7821pbf -
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 ECAD 6847 0,00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tube Abandonné à sic -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 MOSFET (Oxyde Métallique) D-pak télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté SP001558962 EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal n 30 V 65A (TC) 4,5 V, 10V 10MOHM @ 15A, 10V 1V @ 250µA 14 NC @ 4,5 V ± 20V 1030 pf @ 15 V - 75W (TC)
IRG5K35HF12A Infineon Technologies IRG5K35HF12A -
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 ECAD 3879 0,00000000 Infineon Technologies - Boîte Obsolète -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Soutenir de châssis Module powir® 34 Irg5k35 280 W Standard Powir® 34 télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 20 Demi-pont - 1200 V 70 A 2.6V @ 15V, 35A 1 mA Non 3,4 nf @ 25 V
IRFR3410PBF Infineon Technologies Irfr3410pbf -
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 ECAD 3977 0,00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tube Abandonné à sic -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 MOSFET (Oxyde Métallique) D-pak télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 75 Canal n 100 V 31A (TC) 10V 39MOHM @ 18A, 10V 4V @ 250µA 56 NC @ 10 V ± 20V 1690 pf @ 25 V - 3W (TA), 110W (TC)
IRLR7843CPBF Infineon Technologies IRlr7843cpbf -
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 ECAD 8336 0,00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tube Obsolète -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 MOSFET (Oxyde Métallique) D-pak télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 75 Canal n 30 V 161a (TC) 4,5 V, 10V 3,3MOHM @ 15A, 10V 2,3 V @ 250µA 50 NC @ 4,5 V ± 20V 4380 pf @ 15 V - 140W (TC)
BFR 93AW E6327 Infineon Technologies BFR 93AW E6327 -
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 ECAD 6171 0,00000000 Infineon Technologies - Ruban Adhésif (tr) Obsolète 150 ° C (TJ) Support de surface SC-70, SOT-323 BFR 93 300mw PG-Sot323 télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.21.0075 3 000 10,5 dB ~ 15,5 dB 12V 90mA NPN 70 @ 30mA, 8v 6 GHz 1,5 dB ~ 2,6 dB à 900 MHz ~ 1,8 GHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume de RFQ moyen quotidien

  • Standard Product Unit

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    Unité de produit standard

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AD9208BBPZ-3000

Tampon exposé de 196-LFBGA

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