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Produits semi-conduurs discrètes (16626)

Image Numéro de Produit Prix ​​(USD) Quantité ECAD Quantité disponible Poids (kg) MFR Série Peigner ÉTAT DU PRODUIT Tension - note Température de fonctionnels Type de Montage Package / ÉTUI Numéro de Protuit de Base Type d'entrée Fréquence Technologie Power - Max Saisir Forfait de Périphérique Fournisseur Fiche de Donnés Statt Rohs Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) Statt de Portée Noms Autres ECCN HTSUS Norme de package Configuration Taper fet Évaluation Actullelle (AMPS) Condition de test Current - Test Puisance - Sortie Gagner Égoutter la tension de la source (VDSS) Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) RDS SUR (MAX) @ ID, VGS Vgs (th) (max) @ id Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS VGS (max) Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds FET FONCTION Dissipation de Puisse (max) Silhouette Temps de réménage inversé (TRR) Type igbt Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) Courant - Collectionneur (IC) (Max) COURANT - COPEUR PULSÉ (ICM) Vce (on) (max) @ vge, ic Commutation d'Énergie Charge de Porte TD (On / Off) à 25 ° C Tension - test COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) Thermistance NTC Capacité d'entrée (cies) @ vce Type de transistor VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE FRÉQUENCE - transition RÉSISTANCE - BASE (R1) Résistance - Base d'Emetteur (R2) Figure de Bruit (db typ @ f)
IRL2203NPBF-INF Infineon Technologies IRl2203npbf-inf 1 0000
RFQ
 ECAD 2638 0,00000000 Infineon Technologies Hexfet® En gros Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220ab - Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 0000.00.0000 1 Canal n 30 V 116a (TC) 4,5 V, 10V 7MOHM @ 60A, 10V 1V @ 250µA 60 NC @ 4,5 V ± 16V 3290 pf @ 25 V - 180W (TC)
IRFR1205TRR Infineon Technologies IRFR1205TRR -
RFQ
 ECAD 8149 0,00000000 Infineon Technologies Hexfet® Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 IRFR1205 MOSFET (Oxyde Métallique) D-pak télécharger Rohs non conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal n 55 V 44a (TC) 10V 27MOHM @ 26A, 10V 4V @ 250µA 65 NC @ 10 V ± 20V 1300 pf @ 25 V - 107W (TC)
IPD80R2K7C3AATMA1 Infineon Technologies IPD80R2K7C3AATMA1 1.5800
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 Infineon Technologies Automotive, AEC-Q101, CoolMos ™ Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 Ipd80r2 MOSFET (Oxyde Métallique) D-pak télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 2 500 Canal n 800 V 2A (TC) 10V 2,7 ohm @ 1,2a, 10v 3,9 V @ 250µA 1,5 NC @ 10 V ± 20V 290 pf @ 100 V - 42W (TC)
IPB60R360CFD7ATMA1 Infineon Technologies IPB60R360CFD7ATMA1 2.8900
RFQ
 ECAD 1534 0,00000000 Infineon Technologies CoolMos ™ CFD7 Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab IPB60R360 MOSFET (Oxyde Métallique) PG à263-3-2 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 1 000 Canal n 600 V 7a (TC) 10V 360 MOHM @ 2,9A, 10V 4,5 V @ 140µA 14 NC @ 10 V ± 20V 679 PF @ 400 V - 43W (TC)
IAUC90N10S5N062ATMA1 Infineon Technologies IAUC90N10S5N062ATMA1 2.7800
RFQ
 ECAD 13 0,00000000 Infineon Technologies Automotive, AEC-Q101, Optimos ™ -5 Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface 8-PowerTDFN IAUC90 MOSFET (Oxyde Métallique) PG-TDSON-8-34 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 5 000 Canal n 100 V 90a (TC) 6v, 10v 6,2MOHM @ 45A, 10V 3,8 V @ 59µA 36 NC @ 10 V ± 20V 3275 PF @ 50 V - 115W (TC)
IPC50R045CPX1SA1 Infineon Technologies IPC50R045CPX1SA1 -
RFQ
 ECAD 6579 0,00000000 Infineon Technologies - En gros Actif IPC50 - Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté SP000236099 0000.00.0000 1 -
IPI037N08N3GXKSA1 Infineon Technologies IPI037N08N3GXKSA1 -
RFQ
 ECAD 8042 0,00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tube Obsolète -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou À 262-3 longs longs, i²pak, à 262aa IPI037N MOSFET (Oxyde Métallique) PG à 262-3 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 500 Canal n 80 V 100A (TC) 6v, 10v 3 75 mOhm @ 100A, 10V 3,5 V @ 155µA 117 NC @ 10 V ± 20V 8110 PF @ 40 V - 214W (TC)
SPB18P06P Infineon Technologies SPB18P06P -
RFQ
 ECAD 7720 0,00000000 Infineon Technologies Sipmos® Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab SPB18P MOSFET (Oxyde Métallique) PG à 263-3 télécharger Rohs non conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 1 000 Canal p 60 V 18.7A (TA) 10V 130mohm @ 13.2a, 10v 4V @ 1MA 28 NC @ 10 V ± 20V 860 pf @ 25 V - 81.1W (TA)
IRLS3036TRLPBF Infineon Technologies IRls3036trlpbf 3 8000
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Infineon Technologies Hexfet® Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab IRLS3036 MOSFET (Oxyde Métallique) D2pak télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 800 Canal n 60 V 195a (TC) 4,5 V, 10V 2,4MOHM @ 165A, 10V 2,5 V @ 250µA 140 NC @ 4,5 V ± 16V 11210 pf @ 50 V - 380W (TC)
BCR198SH6827XTSA1 Infineon Technologies BCR198SH6827XTSA1 -
RFQ
 ECAD 2343 0,00000000 Infineon Technologies - Ruban Adhésif (tr) Acheter la Dernière Support de surface 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 BCR198 250mw Pg-sot363-po télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.21.0095 3 000 50v 100 mA - 2 PNP - Pré-biaisé (double) 300 mV à 500 µA, 10mA 70 @ 5mA, 5V 190 MHz 47 kohms 47 kohms
IRLR2908TRLPBF Infineon Technologies IRlr2908trlpbf -
RFQ
 ECAD 1144 0,00000000 Infineon Technologies Hexfet® Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 MOSFET (Oxyde Métallique) D-pak télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal n 80 V 30a (TC) 4,5 V, 10V 28MOHM @ 23A, 10V 2,5 V @ 250µA 33 NC @ 4,5 V ± 16V 1890 PF @ 25 V - 120W (TC)
IRFS5615TRLPBF Infineon Technologies Irfs5615trlpbf -
RFQ
 ECAD 4541 0,00000000 Infineon Technologies - Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab MOSFET (Oxyde Métallique) D2pak télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 800 Canal n 150 V 33A (TC) 10V 42MOHM @ 21A, 10V 5V @ 100µA 40 NC @ 10 V ± 20V 1750 pf @ 50 V - 144W (TC)
IRLZ44ZPBF Infineon Technologies Irlz44zpbf 1.3100
RFQ
 ECAD 79 0,00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tube Pas de designs les nouveaux -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 Irlz44 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220ab télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 55 V 51A (TC) 4,5 V, 10V 13,5MOHM @ 31A, 10V 3V à 250µA 36 NC @ 5 V ± 16V 1620 PF @ 25 V - 80W (TC)
AUXCLFZ24NSTRL Infineon Technologies Auxclfz24nstrl -
RFQ
 ECAD 8412 0,00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tube Obsolète -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab MOSFET (Oxyde Métallique) D2pak télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 55 V 17A (TC) 10V 70MOHM @ 10A, 10V 4V @ 250µA 20 nc @ 10 V ± 20V 370 pf @ 25 V - 3.8W (TA), 45W (TC)
IPD079N06L3GBTMA1 Infineon Technologies IPD079N06L3GBTMA1 -
RFQ
 ECAD 7162 0,00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 IPD079 MOSFET (Oxyde Métallique) PG à 252-3 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 2 500 Canal n 60 V 50A (TC) 4,5 V, 10V 7,9MOHM @ 50A, 10V 2,2 V @ 34µA 29 NC @ 4,5 V ± 20V 4900 PF @ 30 V - 79W (TC)
AUIRF7675M2TR Infineon Technologies Auirf7675m2tr 2.7500
RFQ
 ECAD 9 0,00000000 Infineon Technologies Hexfet® Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface DirectFet ™ Isométrique M2 Auirf7675 MOSFET (Oxyde Métallique) DirectFet ™ Isométrique M2 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 4 800 Canal n 150 V 4.4A (TA), 18A (TC) 10V 56MOHM @ 11A, 10V 5V @ 100µA 32 NC @ 10 V ± 20V 1360 pf @ 25 V - 2.7W (TA), 45W (TC)
IPP60R199CPXKSA1 Infineon Technologies Ipp60r199cpxksa1 4.6000
RFQ
 ECAD 591 0,00000000 Infineon Technologies CoolMos ™ Tube Pas de designs les nouveaux -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 Ipp60r199 MOSFET (Oxyde Métallique) PG à 220-3 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 650 V 16A (TC) 10V 199MOHM @ 9.9A, 10V 3,5 V @ 660µA 43 NC @ 10 V ± 20V 1520 pf @ 100 V - 139W (TC)
IRF6616TR1 Infineon Technologies Irf6616tr1 -
RFQ
 ECAD 5448 0,00000000 Infineon Technologies Hexfet® Ruban Adhésif (tr) Obsolète -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface DIRECTFET ™ ISOMÉTRIQUE MX MOSFET (Oxyde Métallique) DIRECTFET ™ MX télécharger Rohs non conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 1 000 Canal n 30 V 19A (TA), 106A (TC) 4,5 V, 10V 5MOHM @ 19A, 10V 2,25 V @ 250µA 44 NC @ 4,5 V ± 20V 3765 PF @ 20 V - 2.8W (TA), 89W (TC)
IRLL2703TR Infineon Technologies Irll2703tr -
RFQ
 ECAD 9227 0,00000000 Infineon Technologies Hexfet® Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 261-4, à 261aa MOSFET (Oxyde Métallique) SOT-223 télécharger Rohs non conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 2 500 Canal n 30 V 3.9A (TA) 4V, 10V 45MOHM @ 3,9A, 10V 2,4 V @ 250µA 14 NC @ 5 V ± 16V 530 pf @ 25 V - 1W (ta)
BFR 182T E6327 Infineon Technologies BFR 182T E6327 -
RFQ
 ECAD 7673 0,00000000 Infineon Technologies - Ruban Adhésif (tr) Abandonné à sic 150 ° C (TJ) Support de surface SC-75, SOT-416 BFR 182 250mw PG-SC-75 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.21.0075 3 000 20 dB 12V 35mA NPN 50 @ 10mA, 8V 8 GHz 1,2 dB ~ 1,9 dB à 900 MHz ~ 1,8 GHz
FF225R12ME3BOSA1 Infineon Technologies FF225R12ME3BOSA1 184.7820
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 ECAD 7231 0,00000000 Infineon Technologies Econodual ™ Plateau Pas de designs les nouveaux -40 ° C ~ 125 ° C Soutenir de châssis Module FF225R12 1150 W Standard Module - Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 10 Demi-pont Arête du Champ de Tranché 1200 V 325 A 2.15V @ 15V, 225A 5 mA Oui 16 nf @ 25 V
IRGS4045DTRRPBF Infineon Technologies Irgs4045dtrrpbf -
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 ECAD 4316 0,00000000 Infineon Technologies - Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab Standard 77 W D²pak télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 800 400V, 6A, 47OHM, 15V 74 ns - 600 V 12 A 18 a 2V @ 15V, 6A 56µJ (ON), 122µJ (OFF) 19,5 NC 27NS / 75NS
BF888H6327XTSA1 Infineon Technologies BF888H6327XTSA1 0,2385
RFQ
 ECAD 8925 0,00000000 Infineon Technologies - Ruban Adhésif (tr) Actif 150 ° C (TJ) Support de surface SC-82A, SOT-343 BF888 160mw PG-Sot343-4-2 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.21.0075 3 000 27 dB 4V 30m NPN 250 @ 25A, 3V 47 GHz 0,5 dB ~ 0,85 dB @ 1,8 GHz ~ 6 GHz
IGC06T60TEX7SA2 Infineon Technologies IGC06T60TEX7SA2 -
RFQ
 ECAD 7622 0,00000000 Infineon Technologies - En gros Actif - - - IGC06 - - - Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté 0000.00.0000 1 - - - - -
IRG7PH44K10DPBF Infineon Technologies Irg7ph44k10dpbf -
RFQ
 ECAD 4894 0,00000000 Infineon Technologies - Tube Obsolète -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 Irg7ph Standard 320 W À 247AC télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté SP001544958 EAR99 8541.29.0095 25 600V, 25A, 10OHM, 15V 130 ns - 1200 V 70 A 100 A 2,4 V @ 15V, 25A 2,1mj (on), 1,3mj (off) 200 NC 75ns / 315ns
IPP80N04S3H4AKSA1 Infineon Technologies Ipp80n04s3h4aksa1 -
RFQ
 ECAD 6133 0,00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tube Obsolète -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 Ipp80n MOSFET (Oxyde Métallique) PG à220-3-1 télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 500 Canal n 40 V 80A (TC) 10V 4,8MOHM @ 80A, 10V 4V @ 65µA 60 NC @ 10 V ± 20V 3900 pf @ 25 V - 115W (TC)
IRF6215L Infineon Technologies IRF6215L -
RFQ
 ECAD 2023 0,00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tube Obsolète -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou À 262-3 longs longs, i²pak, à 262aa MOSFET (Oxyde Métallique) À 262 télécharger Rohs non conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté * IRF6215L EAR99 8541.29.0095 50 Canal p 150 V 13A (TC) 10V 290MOHM @ 6.6A, 10V 4V @ 250µA 66 NC @ 10 V ± 20V 860 pf @ 25 V - 3.8W (TA), 110W (TC)
IPI70P04P409AKSA1 Infineon Technologies Ipi70p04p409aksa1 -
RFQ
 ECAD 2561 0,00000000 Infineon Technologies Automotive, AEC-Q101, Optimos ™ Tube Obsolète -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou À 262-3 longs longs, i²pak, à 262aa Ipi70p MOSFET (Oxyde Métallique) PG à262-3-1 télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté SP000735974 EAR99 8541.29.0095 500 Canal n 40 V 72A (TC) 10V 9.4MOHM @ 70A, 10V 4V à 120µA 70 NC @ 10 V ± 20V 4810 PF @ 25 V - 75W (TC)
IRL8113STRRPBF Infineon Technologies IRl8113strrpbf -
RFQ
 ECAD 4802 0,00000000 Infineon Technologies Hexfet® Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab MOSFET (Oxyde Métallique) D2pak télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 800 Canal n 30 V 105A (TC) 4,5 V, 10V 6MOHM @ 21A, 10V 2,25 V @ 250µA 35 NC @ 4,5 V ± 20V 2840 pf @ 15 V - 110W (TC)
PTF180101M V1 Infineon Technologies PTF180101M V1 -
RFQ
 ECAD 3058 0,00000000 Infineon Technologies Goldmos® Ruban Adhésif (tr) Abandonné à sic 65 V Support de surface 10-TFSOP, 10 MSOP (0,118 ", 3,00 mm de grand) 1,99 GHz LDMOS PG-RFP-10 télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 500 1 µA 180 mA 10W 16,5 dB - 28 V
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    2000+

    Volume de RFQ moyen quotidien

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    30 000 000

    Unité de produit standard

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