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Produits semi-conduurs discrètes (16626)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Type d'entrée	Technologie	Power - Max	Structure	Saisir	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Configuration	Vitre	Taper fet	Courant - Hold (IH) (Max)	Condition de test	Égoutter la tension de la source (VDSS)	Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C	Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS)	RDS SUR (MAX) @ ID, VGS	Vgs (th) (max) @ id	Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS	VGS (max)	Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds	FET FONCTION	Dissipation de Puisse (max)	Tension - Hors de l'ÉTAT	COURANT - À L'ÉTAT (IT (RMS)) (Max)	Tension - Trigger de la Porte (VGT) (Max)	COURANT - Non-Répérée 50, 60Hz (ITSM)	Courant - Trigger de la Porte (IGT) (Max)	COURANT - À L'ÉTAT (IT (AV)) (Max)	Configuration de diode	Tension - DC inverse (VR) (max)	COURANT - RECTIFIÉ MOYEN (IO) (Per Diode)	Tension - en Avant (vf) (max) @ si	Temps de réménage inversé (TRR)	Courant - FUITE INVERSEE @ VR	Température de FonctionNement - Jonction	Current - Rectifié Moyen (IO)	Capacité @ vr, f	Nombre de Scr, Diodes	Type igbt	Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max)	Courant - Collectionneur (IC) (Max)	COURANT - COPEUR PULSÉ (ICM)	Vce (on) (max) @ vge, ic	Commutation d'Énergie	Charge de Porte	TD (On / Off) à 25 ° C	COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX)	Thermistance NTC	Capacité d'entrée (cies) @ vce	Type de transistor	VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC	Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE	FRÉQUENCE - transition
IKW75N65EL5XKSA1	9.2400	RFQ	1735	Infineon Technologies	TRENCHSTOP ™ 5	Tube	Actif	-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3	IKW75N65	Standard		536 W			PG à247-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	30					400V, 75A, 4OHM, 15V																					114 ns						-	650 V	80 A	300 A	1,35 V @ 15V, 75A	1,61mj (on), 3,2mj (off)	436 NC	40ns / 275ns
FF2400RB12IP7BPSA1	1 0000	RFQ	2	Infineon Technologies	PrimePack ™ 3	Plateau	Actif	-	-	-	FF2400R					Standard	-	-	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	2	2 indépendant																															-	750 V	2400 A		-					Non
BTS244Z E3043	-	RFQ	1214	Infineon Technologies	Tempfet®	Tube	Obsolète	-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-5			MOSFET (Oxyde Métallique)				P-à220-5-43	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	500			Canal n			55 V	35A (TC)	4,5 V, 10V	13MOHM @ 19A, 10V	2V à 130µA	130 NC @ 10 V	± 20V	2660 pf @ 25 V	Diode de latection de température	170W (TC)
Irg7ch28ued	-	RFQ	1258	Infineon Technologies	-	En gros	Obsolète				Irg7ch							télécharger		Non applicable	Atteindre non affecté		OBSOLÈTE	0000.00.0000	1
Irfh4210trpbf	-	RFQ	7078	Infineon Technologies	Hexfet®	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-PowerTDFN			MOSFET (Oxyde Métallique)				PQFN (5x6)	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	4 000			Canal n			25 V	45A (TA)	4,5 V, 10V	1 35 mohm @ 50a, 10v	2,1 V @ 100µA	74 NC @ 10 V	± 20V	4812 PF @ 13 V	-	3.6W (TA), 104W (TC)
Irf9z24npbf	0,8700	RFQ	9	Infineon Technologies	Hexfet®	Tube	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3	Irf9z24		MOSFET (Oxyde Métallique)				À 220ab	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	50			Canal p			55 V	12A (TC)	10V	175MOHM @ 7.2A, 10V	4V @ 250µA	19 NC @ 10 V	± 20V	350 pf @ 25 V	-	45W (TC)
F445MR12W1M1B76BPSA1	-	RFQ	1455	Infineon Technologies	EASYPACK ™ Coolsic ™	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	Module	F445MR		Carbure de silicium (sic)	-			Ag-Easy1b-2	télécharger	Rohs3 conforme	Non applicable	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	24	4 N-Canal (Demi-pont)					1200V (1,2 kV)	25a (TJ)		45MOHM @ 25A, 15V	5,55 V @ 10mA	62nc @ 15v		1840pf @ 800v	-
Spp24n60c3xksa1	6.6600	RFQ	175	Infineon Technologies	CoolMos ™	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3	Spp24n60		MOSFET (Oxyde Métallique)				PG à 220-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	50			Canal n			650 V	24.3A (TC)	10V	160MOHM @ 15.4A, 10V	3,9 V @ 1,2MA	135 NC @ 10 V	± 20V	3000 pf @ 25 V	-	240W (TC)
TT570N18KOFHPSA1	395.7600	RFQ	2	Infineon Technologies	-	Plateau	Actif	125 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	Module	TT570N				Connexion de la Série - Tous Les Scr			télécharger	Rohs3 conforme	Non applicable	Atteindre non affecté		EAR99	8541.30.0080	2				300 mA												1,8 kV	1050 A	2 V	20000a	250 mA	566 A										2 SCR
Irfi540npbf	1.8500	RFQ	10	Infineon Technologies	Hexfet®	Tube	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3 EXCHET	IRFI540		MOSFET (Oxyde Métallique)				À 220AB Full-pak	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	50			Canal n			100 V	20A (TC)	10V	52MOHM @ 11A, 10V	4V @ 250µA	94 NC @ 10 V	± 20V	1400 pf @ 25 V	-	54W (TC)
Ipp60r125cpxksa1	7.0000	RFQ	4	Infineon Technologies	CoolMos ™	Tube	Pas de designs les nouveaux	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3	Ipp60r125		MOSFET (Oxyde Métallique)				PG à 220-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	50			Canal n			650 V	25a (TC)	10V	125MOHM @ 16A, 10V	3,5 V @ 1.1mA	70 NC @ 10 V	± 20V	2500 pf @ 100 V	-	208W (TC)
IRl520nstrr	-	RFQ	6939	Infineon Technologies	Hexfet®	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab			MOSFET (Oxyde Métallique)				D2pak	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	800			Canal n			100 V	10A (TC)	4V, 10V	180MOHM @ 6A, 10V	2V à 250µA	20 nc @ 5 V	± 16V	440 PF @ 25 V	-	3.8W (TA), 48W (TC)
Irll024ntrpbf	1 0000	RFQ	147	Infineon Technologies	Hexfet®	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 261-4, à 261aa	Irll024		MOSFET (Oxyde Métallique)				SOT-223	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	2 500			Canal n			55 V	3.1A (TA)	4V, 10V	65MOHM @ 3.1A, 10V	2V à 250µA	15,6 NC @ 5 V	± 16V	510 PF @ 25 V	-	1W (ta)
DD82S08KKHPSA1	-	RFQ	1481	Infineon Technologies	-	En gros	Obsolète		Soutenir de châssis	Module			Standard				Module	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.10.0080	15		Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO)																				Connexion de la Séririe 1 paire	800 V	96a	1,55 V @ 300 A		40 mA @ 800 V	150 ° C
SMBTA 42 E6433	-	RFQ	6318	Infineon Technologies	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	150 ° C (TJ)	Support de surface	À 236-3, SC-59, SOT-23-3	SMBTA 42			360 MW			PG-Sot23	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	10 000																																	300 V	500 mA						100NA (ICBO)			NPN	500 mV @ 2MA, 20mA	40 @ 30mA, 10V	70 MHz
Irf7309qtrpbf	-	RFQ	4310	Infineon Technologies	-	Ruban de Coupé (CT)	Obsolète		Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)	IRF73		MOSFET (Oxyde Métallique)	1,4 W			8-so	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	4 000	Canal n et p					30V	4a, 3a		50 mohm @ 2,4a, 10v	1V @ 250µA	25nc @ 4,5 V		520pf @ 15v	-
BSS126 E6327	-	RFQ	1597	Infineon Technologies	Sipmos®	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 236-3, SC-59, SOT-23-3			MOSFET (Oxyde Métallique)				PG-Sot23	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	3 000			Canal n			600 V	21mA (TA)	0v, 10v	500OHM @ 16MA, 10V	1,6 V @ 8µA	2.1 NC @ 5 V	± 20V	28 pf @ 25 V	Mode d'Épuiment	500mw (TA)
IRF7526D1	-	RFQ	2121	Infineon Technologies	Fetky ™	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-TSSOP, 8 MSOP (0,118 ", 3,00 mm de grand)			MOSFET (Oxyde Métallique)				Micro8 ™	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	95			Canal p			30 V	2a (ta)	4,5 V, 10V	200 mohm @ 1,2a, 10v	1V @ 250µA	11 NC @ 10 V	± 20V	180 pf @ 25 V	Diode Schottky (isolé)	1.25W (TA)
FF450R12ME4BDLA1	133.5700	RFQ	8244	Infineon Technologies	-	En gros	Actif	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	Module				20 MW		Standard	AG-ECONOD-3-2	-				2156-FF450R12ME4BDLA1			2	Onduleur de Demi-pont																															Arête du Champ de Tranché	1200 V	450 A		2.1V @ 15V, 450A				3 mA	Oui	28 nf @ 25 V
IRL40S212	-	RFQ	5000	Infineon Technologies	Strongirfet ™	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab	IRL40		MOSFET (Oxyde Métallique)				PG à 263-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	800			Canal n			40 V	195a (TC)	4,5 V, 10V	1,9MOHM @ 100A, 10V	2,4 V @ 150µA	137 NC @ 4,5 V	± 20V	8320 PF @ 25 V	-	231W (TC)
IPU80R3K3P7AKMA1	0,9000	RFQ	5249	Infineon Technologies	CoolMos ™ P7	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 251-3 courtise Pistes, Ipak, à 251aa	IPU80R3		MOSFET (Oxyde Métallique)				PG à 251-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1 500			Canal n			800 V	1.9A (TC)	10V	3,3 ohm @ 590mA, 10V	3,5 V @ 30µA	5,8 NC @ 10 V	± 20V	120 pf @ 500 V	-	18W (TC)
IRlr3715ztrl	-	RFQ	5338	Infineon Technologies	Hexfet®	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63			MOSFET (Oxyde Métallique)				D-pak	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	SP001558946	EAR99	8541.29.0095	3 000			Canal n			20 V	49a (TC)	4,5 V, 10V	11MOHM @ 15A, 10V	2 55 V @ 250µA	11 NC @ 4,5 V	± 20V	810 PF @ 10 V	-	40W (TC)
Px8847hdng008xtma1	-	RFQ	5006	Infineon Technologies	-	Plateau	Obsolète				PX8847HD							-	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté		OBSOLÈTE		1
IPD100N04S402ATMA1	2.6300	RFQ	4	Infineon Technologies	Optimos ™	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63	Ipd100		MOSFET (Oxyde Métallique)				PG à252-3-313	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	2 500			Canal n			40 V	100A (TC)	10V	2MOHM @ 100A, 10V	4V @ 95µA	118 NC @ 10 V	± 20V	9430 pf @ 25 V	-	150W (TC)
IAUC120N04S6N013ATMA1	1.7800	RFQ	6115	Infineon Technologies	Automotive, AEC-Q101, Optimos ™	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	8-PowerTDFN	IAUC120		MOSFET (Oxyde Métallique)				PG-TDSON-8	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	5 000			Canal n			40 V	120A (TC)	7v, 10v	1,34MOHM @ 60A, 10V	3V @ 60µA	68 NC @ 10 V	± 20V	4260 pf @ 25 V	-	115W (TC)
Irf7495tr	-	RFQ	5460	Infineon Technologies	Hexfet®	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)			MOSFET (Oxyde Métallique)				8-so	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	SP001559948	EAR99	8541.29.0095	4 000			Canal n			100 V	7.3a (TA)	10V	22MOHM @ 4.4A, 10V	4V @ 250µA	51 NC @ 10 V	± 20V	1530 pf @ 25 V	-	2.5W (TA)
Irf7402pbf	-	RFQ	1765	Infineon Technologies	Hexfet®	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)	IRF7402		MOSFET (Oxyde Métallique)				8-so	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	SP001551318	EAR99	8541.29.0095	95			Canal n			20 V	6.8A (TA)	2,7 V, 4,5 V	35MOHM @ 4.1A, 4,5 V	700 mV à 250 µA (min)	22 NC @ 4,5 V	± 12V	650 pf @ 15 V	-	2.5W (TA)
FS75R12W2T4BOMA1	80.2600	RFQ	15	Infineon Technologies	Easypack ™	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 150 ° C	Soutenir de châssis	Module	FS75R12			375 W		Standard	Module	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	15	Achèvement Pont																															Arête du Champ de Tranché	1200 V	107 A		2.15V @ 15V, 75A				1 mA	Oui	4.3 NF @ 25 V
BAS116E6327HTSA1	0,4100	RFQ	1	Infineon Technologies	-	Ruban Adhésif (tr)	Acheter la Dernière		Support de surface	À 236-3, SC-59, SOT-23-3	BAS116		Standard				PG-Sot23	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.10.0070	3 000		Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO)																					80 V		1,25 V @ 150 Ma	1,5 µs	5 na @ 75 V	150 ° C (max)	250mA	2pf @ 0v, 1mhz
BA89502VH6327XTSA1	-	RFQ	8613	Infineon Technologies	*	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète				BA89502VH							télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		OBSOLÈTE	0000.00.0000	3 000