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Produits semi-conduurs discrètes (16626)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Fuseau	Numéro de Protuit de Base	Type d'entrée	Technologie	Power - Max	Structure	Saisir	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Configuration	Vitre	Taper fet	Courant - Hold (IH) (Max)	Condition de test	Actualiser	Tension	Tension - isolement	Égoutter la tension de la source (VDSS)	Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C	Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS)	RDS SUR (MAX) @ ID, VGS	Vgs (th) (max) @ id	Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS	VGS (max)	Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds	FET FONCTION	Dissipation de Puisse (max)	Tension - Hors de l'ÉTAT	COURANT - À L'ÉTAT (IT (RMS)) (Max)	Tension - Trigger de la Porte (VGT) (Max)	COURANT - Non-Répérée 50, 60Hz (ITSM)	Courant - Trigger de la Porte (IGT) (Max)	COURANT - À L'ÉTAT (IT (AV)) (Max)	Tension - DC inverse (VR) (max)	Tension - en Avant (vf) (max) @ si	Temps de réménage inversé (TRR)	Courant - FUITE INVERSEE @ VR	Température de FonctionNement - Jonction	Current - Rectifié Moyen (IO)	Capacité @ vr, f	Nombre de Scr, Diodes	Type igbt	Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max)	Courant - Collectionneur (IC) (Max)	COURANT - COPEUR PULSÉ (ICM)	Vce (on) (max) @ vge, ic	Commutation d'Énergie	Charge de Porte	TD (On / Off) à 25 ° C	COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX)	Thermistance NTC	Capacité d'entrée (cies) @ vce	Type de transistor	VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC	Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE	FRÉQUENCE - transition
BSZ0502NSIATMA1	0,6360	RFQ	2510	Infineon Technologies	Optimos ™	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-PowerTDFN		BSZ0502		MOSFET (Oxyde Métallique)				PG-TSDSON-8-FL	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	5 000			Canal n						30 V	22A (TA), 40A (TC)	4,5 V, 10V	2,8MOHM @ 20A, 10V	2V à 250µA	26 NC @ 10 V	± 20V	1600 pf @ 15 V	-	2.1W (TA), 43W (TC)
Auirfr3504Z	-	RFQ	3217	Infineon Technologies	Hexfet®	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63				MOSFET (Oxyde Métallique)				D-pak	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	3 000			Canal n						40 V	42A (TC)	10V	9MOHM @ 42A, 10V	4V @ 250µA	45 NC @ 10 V	± 20V	1510 PF @ 25 V	-	90W (TC)
IKQ120N120CS7XKSA1	19.7400	RFQ	6026	Infineon Technologies	TRENCHSTOP ™	Tube	Actif	-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3			Standard		1004 W			PG à247-3-46	-	Rohs3 conforme	Non applicable	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	30					-																						205 ns						Arête du Champ de Tranché	1200 V	216 A	360 A	2v @ 15v, 120a	10.3mj (on), 5 72MJ (off)	710 NC	44ns / 205ns
Irf6665trpbf	0,5441	RFQ	8156	Infineon Technologies	Hexfet®	Ruban Adhésif (tr)	Acheter la Dernière	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	DirectFet ™ Isométrique Sh		IRF6665		MOSFET (Oxyde Métallique)				DirectFet ™ Sh	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	4 800			Canal n						100 V	4.2A (TA), 19A (TC)	10V	62MOHM @ 5A, 10V	5V @ 250µA	13 NC @ 10 V	± 20V	530 pf @ 25 V	-	2.2W (TA), 42W (TC)
SPD07N60C3T	-	RFQ	5432	Infineon Technologies	CoolMos ™	Ruban Adhésif (tr)	Abandonné à sic	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63		SPD07N		MOSFET (Oxyde Métallique)				PG à252-3-11	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	2 500			Canal n						650 V	7.3a (TC)	10V	600mohm @ 4.6a, 10v	3,9 V @ 350µA	27 NC @ 10 V	± 20V	790 pf @ 25 V	-	83W (TC)
Ipp260n06n3gxksa1	-	RFQ	7463	Infineon Technologies	Optimos ™	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3		Ipp260n		MOSFET (Oxyde Métallique)				PG à 220-3	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	500			Canal n						60 V	27a (TC)	10V	26MOHM @ 27A, 10V	4V @ 11µA	15 NC @ 10 V	± 20V	1200 pf @ 30 V	-	36W (TC)
FP75R12N2T4BPSA1	217.6653	RFQ	7773	Infineon Technologies	Econopim ™ 2	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	Module		FP75R12			20 MW		Redredeur de pont en trois phases	AG-ECONO2B	télécharger	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	15	Onduleur Triphasé																																Arête du Champ de Tranché	1200 V	75 A		2.15V @ 15V, 75A				1 mA	Oui	4.3 NF @ 25 V
T1503N75TS14XPSA1	-	RFQ	4030	Infineon Technologies	-	En gros	Obsolète	-40 ° C ~ 120 ° C	Soutenir de châssis	À 200f		T1503N				Célibataire			-		1 (illimité)	Atteindre non affecté	SP001041174	OBSOLÈTE	0000.00.0000	1				100 mA															8 kv	2770 A		60000A @ 50hz		2560 A								1 SCR
AIMZH120R020M1TXKSA1	29.1415	RFQ	5359	Infineon Technologies	*	Tube	Actif												-	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	448-AIMZH120R020M1TXKSA1			240
SPB21N50C3ATMA1	4.9600	RFQ	2	Infineon Technologies	CoolMos ™	Ruban Adhésif (tr)	Pas de designs les nouveaux	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab		SPB21N50		MOSFET (Oxyde Métallique)				PG à263-3-2	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1 000			Canal n						560 V	21A (TC)	10V	190mohm @ 13.1a, 10v	3,9 V @ 1MA	95 NC @ 10 V	± 20V	2400 pf @ 25 V	-	208W (TC)
FS450R17KE4BOSA1	1 0000	RFQ	6852	Infineon Technologies	Econopack ™ +	Plateau	Pas de designs les nouveaux	-40 ° C ~ 150 ° C	Soutenir de châssis	Module		FS450R17			2500 W		Standard	Module	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	4	Achèvement Pont																																Arête du Champ de Tranché	1700 V	600 A		2.3V @ 15V, 450A				3 mA	Oui	36 NF @ 25 V
SGW15N120FKSA1	-	RFQ	5765	Infineon Technologies	-	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3		SGW15N	Standard		198 W			PG à247-3-1	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	240					800V, 15A, 33OHM, 15V																												NPT	1200 V	30 A	52 A	3,6 V @ 15V, 15A	1,9MJ	130 NC	18NS / 580NS
Fp50r06w2e3b11boma1	62.6193	RFQ	7960	Infineon Technologies	EASYPIM ™ 2B	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 150 ° C	Soutenir de châssis	Module		FP50R06			175 W		Standard	Module	télécharger	Rohs3 conforme	Non applicable	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	15	Onduleur Triphasé																																Arête du Champ de Tranché	600 V	65 A		1,9 V @ 15V, 50A				1 mA	Oui	3.1 NF @ 25 V
Irf1010npbf	1,7000	RFQ	10	Infineon Technologies	Hexfet®	Tube	Pas de designs les nouveaux	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3		Irf1010		MOSFET (Oxyde Métallique)				À 220ab	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	50			Canal n						55 V	85a (TC)	10V	11MOHM @ 43A, 10V	4V @ 250µA	120 NC @ 10 V	± 20V	3210 PF @ 25 V	-	180W (TC)
FF300R07ME4B11BPSA1	170.1700	RFQ	15	Infineon Technologies	Econodual ™ 3	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	Module		FF300R07			1100 W		Standard	AG-ECONOD-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	10	2 indépendant																																Arête du Champ de Tranché	650 V	390 A		1,95 V @ 15V, 300A				1 mA	Oui	18,5 nf @ 25 V
Ipl65r340cfdauma2	-	RFQ	3683	Infineon Technologies	CoolMos ™ CFD2	Ruban Adhésif (tr)	Abandonné à sic	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	4 Powertsfn		IPL65R		MOSFET (Oxyde Métallique)				PG-VSON-4	télécharger	Rohs3 conforme	2A (4 Semaines)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	3 000			Canal n						650 V	10.9a (TC)	10V	340mohm @ 4.4a, 10v	4,5 V @ 400µA	41 NC @ 10 V	± 20V	1100 pf @ 100 V	-	104.2W (TC)
Si3443dvtr	-	RFQ	3705	Infineon Technologies	-	Ruban de Coupé (CT)	Obsolète		Support de surface	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6				MOSFET (Oxyde Métallique)				Micro6 ™ (TSOP-6)	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	3 000			Canal p						20 V	4.4a (TA)		65MOHM @ 4,4A, 4,5 V	1,5 V @ 250µA	15 NC @ 4,5 V		1079 PF @ 10 V	-
IPAW70R950CEXKSA1	-	RFQ	9040	Infineon Technologies	Coolmos ™ ce	Tube	Obsolète	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3 EXCHET		IPAW70		MOSFET (Oxyde Métallique)				Pg à220-3-fp	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	450			Canal n						700 V	7.4a (TC)	10V	950mohm @ 1,5a, 10v	3,5 V @ 150µA	15.3 NC @ 10 V	± 20V	328 pf @ 100 V	-	68W (TC)
IM393M6E2XKLA1	-	RFQ	7588	Infineon Technologies	CIPOS ™	Tube	Obsolète		Par le trou	Module 35-Powerdip (0,866 ", 22,00 mm), 30 pistes	Igbt								télécharger	Rohs3 conforme	Non applicable	Atteindre non affecté		EAR99	8542.39.0001	15	Onduleur Triphasé					10 a	600 V	2000 VRM
Fp10r12w1t4b29boma1	43.5896	RFQ	4452	Infineon Technologies	EasyPim ™	Plateau	Actif					FP10R12							-	Rohs3 conforme	Non applicable	Atteindre non affecté			0000.00.0000	24
TT190N18SOFHPSA1	59.7500	RFQ	2	Infineon Technologies	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 125 ° C	Soutenir de châssis	Module		TT190N18				Connexion de la Séririe - SCR / Diode			télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.30.0080	8				200 mA															1,8 kV	275 A	2,5 V	5200a @ 50hz	145 mA	190 A								1 SCR, 1 Diode
BC817-16B5003	0,0200	RFQ	30	Infineon Technologies	-	En gros	Actif	150 ° C (TJ)	Support de surface	À 236-3, SC-59, SOT-23-3		BC817			500 MW			PG-Sot23-3-11	télécharger	Non applicable	1 (illimité)	Vendeur indéfini		EAR99	8541.21.0075	3 000																																		45 V	500 mA						100NA (ICBO)			NPN	700 mV à 50ma, 500mA	100 @ 100mA, 1v	170 MHz
FF225R12ME4PBPSA1	177.1167	RFQ	2104	Infineon Technologies	Econodual ™ 3	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	Module		FF225R12			20 MW		Standard	Module	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	6	Demi-pont																																Arête du Champ de Tranché	1200 V	450 A		2.15V @ 15V, 225A				3 mA	Oui	13 nf @ 25 V
IRD3CH82DD6	-	RFQ	3199	Infineon Technologies	-	En gros	Obsolète					IRD3CH82							télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.10.0080	1
Fp75r06ke3bosa1	167.8200	RFQ	9	Infineon Technologies	Econopim ™ 3	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 150 ° C	Soutenir de châssis	Module		FP75R06			250 W		Standard	Module	télécharger	Rohs3 conforme	Non applicable	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	10	Onduleur Triphasé																																Arête du Champ de Tranché	600 V	95 A		1,9 V @ 15V, 75A				1 mA	Oui	4.6 NF @ 25 V
IKW50N65ES5XKSA1	7.5300	RFQ	7548	Infineon Technologies	TRENCHSTOP ™	Tube	Actif	-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3		IKW50N65	Standard		274 W			PG à247-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	30					400V, 50A, 8,2 ohms, 15v																						70 ns						Tranché	650 V	80 A	200 A	1,7 V @ 15V, 50A	1 23MJ (ON), 550µJ (OFF)	120 NC	20ns / 127ns
F3L8MR12W2M1HB11BPSA1	216.9100	RFQ	15	Infineon Technologies	-	Plateau	Actif					F3L8MR12							-	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	15
Auirls3034-7trl	4.0351	RFQ	7408	Infineon Technologies	Hexfet®	Ruban Adhésif (tr)	Pas de designs les nouveaux	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-8, d²pak (7 leads + tab), à 263ca		Auirls3034		MOSFET (Oxyde Métallique)				D2pak (7-lead)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	SP001519894	EAR99	8541.29.0095	800			Canal n						40 V	240a (TC)	4,5 V, 10V	1,4 mohm @ 200a, 10v	2,5 V @ 250µA	180 NC @ 4,5 V	± 20V	10990 PF @ 40 V	-	380W (TC)
IMZ120R350M1HXKSA1	9.9300	RFQ	301	Infineon Technologies	Coolsic ™	Tube	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-4		Imz120		Sicfet (carbure de silicium)				PG à247-4-1	télécharger	Rohs3 conforme	Non applicable	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	30			Canal n						1200 V	4.7A (TC)	15V, 18V	350mohm @ 2a, 18v	5,7 V @ 1MA	5.3 NC @ 18 V	+ 23V, -7V	182 PF @ 800 V	-	60W (TC)
IDL02G65C5XUMA2	1.8700	RFQ	5308	Infineon Technologies	Coolsic ™ +	Ruban Adhésif (tr)	Actif		Support de surface	4 Powertsfn		Idl02g65		Sic (Carbure de Silicium) Schottky				PG-VSON-4	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.10.0080	3 000		Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO)																							650 V	1,7 V @ 2 A	0 ns	35 µA à 650 V	-55 ° C ~ 175 ° C	2A	70pf @ 1v, 1MHz