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Produits semi-conduurs discrètes (16626)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Technologie	Power - Max	Saisir	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Configuration	Taper fet	Égoutter la tension de la source (VDSS)	Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C	Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS)	RDS SUR (MAX) @ ID, VGS	Vgs (th) (max) @ id	Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS	VGS (max)	Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds	FET FONCTION	Dissipation de Puisse (max)	Type igbt	Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max)	Courant - Collectionneur (IC) (Max)	Vce (on) (max) @ vge, ic	COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX)	Thermistance NTC	Capacité d'entrée (cies) @ vce
FF1500R17IP5RBPSA1	2 0000	RFQ	2	Infineon Technologies	PrimePack ™ 3	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	Module	FF1500R		20 MW	Standard	Module	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	2	2 indépendant												Arête du Champ de Tranché	1700 V	1500 A	2,2 V @ 15V, 1,5A	10 mA	Oui	88 NF @ 25 V
DDB6U180N16RRB37BPSA1	167.7600	RFQ	14	Infineon Technologies	Econopack ™ 2	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	Module	DDB6U180		20 MW	Standard	AG-ECONO2B	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	15	Hélicoptère												Arête du Champ de Tranché	1200 V	100 A	2.1V @ 15V, 100A	1 mA	Oui	6.2 NF @ 25 V
DDB6U134N16RRB11BPSA2	107.6700	RFQ	15	Infineon Technologies	Econopack ™ 2	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	Module	DDB6U134		400 W	Standard	AG-ECONO2B	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	15	Hélicoptère												-	1200 V	125 A	2.6V @ 15V, 75A	1 mA	Oui	5.1 NF @ 25 V
FS200R12W3T7B11BPSA1	191.6200	RFQ	8	Infineon Technologies	*	Plateau	Actif				FS200R12					-	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	8
FP75R12W3T7B11BPSA1	152.9200	RFQ	8	Infineon Technologies	*	Plateau	Actif									-	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	8
FF600R12ME7B11BPSA2	337.7200	RFQ	6522	Infineon Technologies	Econodual ™ 3	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	Module	FF600R12		20 MW	Standard	Ag-econod	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	10	2 indépendant												Arête du Champ de Tranché	1200 V	600 A	1,75 V @ 15V, 600A	35 µA	Oui	92 NF @ 25 V
Ddb6u104n16rrbpsa1	104.0400	RFQ	15	Infineon Technologies	-	Plateau	Actif	150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	Module	DDB6U104		20 MW	Standard	AG-ECONO2B	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	15	Hélicoptère												-	1200 V	50 a	2,8 V @ 15V, 50A	1 mA	Oui	3,3 nf @ 25 V
FP35R12W2T7BPSA1	67.3800	RFQ	8795	Infineon Technologies	EasyPim ™	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	Module	Fp35r12		20 MW	Redredeur de pont en trois phases	Ag-Easy1b-2	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	15	Onduleur Triphasé												Arête du Champ de Tranché	1200 V	35 A	-	5,8 µA	Oui	6,62 nf @ 25 V
FP15R12W1T7BOMA1	48.8700	RFQ	18	Infineon Technologies	EasyPim ™	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	Module	FP15R12		20 MW	Redredeur de pont en trois phases	Ag-Easy1b-2	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	24	Onduleur Triphasé												Arête du Champ de Tranché	1200 V	15 A	-	3 µA	Oui	2,82 nf @ 25 V
FP15R12W1T7PB11BPSA1	53.2700	RFQ	24	Infineon Technologies	EasyPim ™	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	Module	FP15R12		20 MW	Redredeur de pont en trois phases	Ag-Easy1b	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	30	Onduleur Triphasé												Arête du Champ de Tranché	1200 V	15 A	-	3 µA	Oui	2,82 nf @ 25 V
F4200R17N3E4B58BPSA1	371.6300	RFQ	8	Infineon Technologies	Easypack ™ 3	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	Module	F4200R		20 MW	Redredeur de pont en trois phases	AG-ECONO3B	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	10	ONDULEUR DE PONT ACHET												Arête du Champ de Tranché	1700 V	200 A	2.3V @ 15V, 200A	1 mA	Oui	16 nf @ 25 V
FF600R12IP4PBPSA1	487.5200	RFQ	3	Infineon Technologies	PrimePack ™ 2	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	Module	FF600R12		20 MW	Standard	Ag-prime2	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	3	2 indépendant												Arête du Champ de Tranché	1200 V	600 A	2.05V @ 15V, 600A	5 mA	Oui	37 nf @ 25 V
F4150R17N3P4B58BPSA1	332.1000	RFQ	5	Infineon Technologies	Easypack ™ 3	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	Module	F4150R		20 MW	Redredeur de pont en trois phases	AG-ECONO3B	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	10	ONDULEUR DE PONT ACHET												Arête du Champ de Tranché	1700 V	150 a	2.2v @ 15v, 150a	1 mA	Oui	12.3 NF @ 25 V
FS50R12W1T7PB11BPSA1	66.5100	RFQ	6375	Infineon Technologies	*	Plateau	Actif									-	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	30
IPF014N08NF2SATMA1	5.1100	RFQ	800	Infineon Technologies	Strongirfet ™ 2	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-8, d²pak (7 leads + tab), à 263ca	IPF014N	MOSFET (Oxyde Métallique)			PG à263-7-14	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	800		Canal n	80 V	282A (TC)	6v, 10v	1,4 mohm @ 100a, 10v	3,8 V @ 267µA	255 NC @ 10 V	± 20V	12000 PF @ 40 V	-	300W (TC)
Ff450r07me4b11bpsa1	209.5800	RFQ	10	Infineon Technologies	Econodual ™ 3	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	Module	FF450R07		1450 W	Standard	Ag-econod	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	10	2 indépendant												Arête du Champ de Tranché	650 V	560 A	1,95 V @ 15V, 450A	1 mA	Oui	27,5 nf @ 25 V
Isk024ne2lm5aula1	0,9200	RFQ	8	Infineon Technologies	Optimos ™, Strongirfet ™	Ruban Adhésif (tr)	Abandonné à sic	-	Support de surface	6 powervdfn	ISK024N	MOSFET (Oxyde Métallique)			6 pqfn double (2x2)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	3 000		-	40 V	-	-	-	-		± 16V		-	-
FF600R12ME4B11BPSA2	373.3450	RFQ	9903	Infineon Technologies	Econodual ™ 3	Plateau	Pas de designs les nouveaux	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	Module	FF600R12		4050 W	Standard	Ag-econod	télécharger	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	10	2 indépendant												Arête du Champ de Tranché	1200 V	995 A	2.05V @ 15V, 600A	3 mA	Oui	37 nf @ 25 V
F475R12KS4BPSA1	194.0000	RFQ	1500	Infineon Technologies	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	Module	F475R12		500 W	Standard	AG-ECONO2B	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	15	ONDULEUR DE PONT ACHET												-	1200 V	100 A	3,75 V @ 15V, 75A	5 mA	Oui	5.1 NF @ 25 V
DF80R07W1H5FPB50BPSA1	39.4100	RFQ	30	Infineon Technologies	-	Plateau	Actif									-	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	30
FD1000R33HL3KB60BPSA1	-	RFQ	2398	Infineon Technologies	IHM-B	Plateau	Abandonné à sic	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	Module	FD1000		1600000 W	Standard	AG-IHVB190	-	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1	Hachoir à double frein												Arête du Champ de Tranché	3300 V	1000 A	2,85 V @ 15V, 1AK	5 mA	Non	190 nf @ 25 V
Ipdq60r045cfd7xtma1	12.3400	RFQ	3013	Infineon Technologies	CoolMos ™	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-	Support de surface	Module 22-PowerBsop	Ipdq60r	MOSFET (Oxyde Métallique)			PG-HDSOP-22-1	-	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	750		-	600 V	-	-	-	-		-		-	-
FZ1000R33HE3B60BPSA1	1 0000	RFQ	5155	Infineon Technologies	IHM-B	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	Module	FZ1000		1600000 W	Standard	AG-IHVB130-3	-	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	2	Commaileur unique												Arête du Champ de Tranché	3300 V	1000 A	3.1V @ 15V, 1AK	5 mA	Non	190 nf @ 25 V
Ipp60r065s7xksa1	6.7700	RFQ	4855	Infineon Technologies	Coolmos ™ S7	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3	Ipp60r	MOSFET (Oxyde Métallique)			PG à220-3-1	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	50		Canal n	600 V	8A (TC)	12V	65MOHM @ 8A, 12V	4,5 V @ 490µA	51 NC @ 12 V	± 20V	1932 PF @ 300 V	-	167W (TC)
IFS200B12N3E4B37BPSA1	434.9280	RFQ	2379	Infineon Technologies	MIPAQ ™	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	Module	IFS200		20 MW	Standard	AG-ECONO3B	télécharger	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	10	Achèvement Pont												Arête du Champ de Tranché	1200 V	200 A	2.1V @ 15V, 200A	1 mA	Oui	14 nf @ 25 V
IPT063N15N5ATMA1	5.8100	RFQ	1	Infineon Technologies	Optimos ™	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	8 Powersfn	Ipt063n	MOSFET (Oxyde Métallique)			Pg-hsof-8	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	448-IPT063N15N5ATMA1DKR	EAR99	8541.29.0095	2 000		Canal n	150 V	16.2A (TA), 122A (TC)	8v, 10v	6,3MOHM @ 50A, 10V	4,6 V @ 153µA	59 NC @ 10 V	± 20V	4550 PF @ 75 V	-	3.8W (TA), 214W (TC)
IPBE65R145CFD7AATMA1	3.4789	RFQ	7132	Infineon Technologies	CoolMos ™	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-8, d²pak (7 leads + tab), à 263ca	Ipbe65r	MOSFET (Oxyde Métallique)			PG à263-7-11	télécharger	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1 000		Canal n	650 V	17A (TC)	10V	145MOHM @ 8.5A, 10V	4,5 V @ 420µA	36 NC @ 10 V	± 20V	1694 PF @ 400 V	-	98W (TC)
FF600R12ME4CB11BPSA1	395.8320	RFQ	7457	Infineon Technologies	Econodual ™ 3	Plateau	Pas de designs les nouveaux	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	Module	FF600R12		4050 W	Standard	Ag-econod	télécharger	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	10	2 indépendant												Arête du Champ de Tranché	1200 V	1060 A	2.1V @ 15V, 600A	3 mA	Oui	37 nf @ 25 V
IAUA250N04S6N006AUMA1	4.4500	RFQ	8	Infineon Technologies	Optimos ™	Ruban Adhésif (tr)	Pas de designs les nouveaux	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	5 Powersfn	Iaua250	MOSFET (Oxyde Métallique)			PG-HSOF-5-4	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	2 000		Canal n	40 V	450a (TJ)	7v, 10v	0,64MOHM @ 100A, 10V	3V à 145µA	169 NC @ 10 V	± 20V	11064 PF @ 25 V	-	250W (TC)
IMBG65R260M1HXTMA1	6.2300	RFQ	235	Infineon Technologies	Coolsic ™ m1	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-8, d²pak (7 leads + tab), à 263ca	IMBG65R	Sicfet (carbure de silicium)			PG à263-7-12	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1 000		Canal n	650 V	6A (TC)	18V	346MOHM @ 3,6A, 18V	5,7 V @ 1.1mA	6 NC @ 18 V	+ 23v, -5V	201 pf @ 400 V	-	65W (TC)