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Produits semi-conduurs discrètes (16626)

Image Numéro de Produit Prix (USD) Quantité ECAD Quantité disponible Poids (kg) MFR Série Peigner ÉTAT DU PRODUIT Tension - note Température de fonctionnels Type de Montage Package / ÉTUI Numéro de Protuit de Base Type d'entrée Fréquence Technologie Power - Max Structure Saisir Forfait de Périphérique Fournisseur Fiche de Donnés Statt Rohs Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) Statt de Portée Noms Autres ECCN HTSUS Norme de package Configuration Vitre Taper fet Évaluation Actullelle (AMPS) Courant - Hold (IH) (Max) Condition de test Current - Test Puisance - Sortie Gagner Égoutter la tension de la source (VDSS) Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) RDS SUR (MAX) @ ID, VGS Vgs (th) (max) @ id Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS VGS (max) Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds FET FONCTION Dissipation de Puisse (max) Tension - Hors de l'ÉTAT COURANT - À L'ÉTAT (IT (RMS)) (Max) Tension - Trigger de la Porte (VGT) (Max) COURANT - Non-Répérée 50, 60Hz (ITSM) Courant - Trigger de la Porte (IGT) (Max) COURANT - À L'ÉTAT (IT (AV)) (Max) Silhouette Configuration de diode Tension - DC inverse (VR) (max) COURANT - RECTIFIÉ MOYEN (IO) (Per Diode) Tension - en Avant (vf) (max) @ si Temps de réménage inversé (TRR) Courant - FUITE INVERSEE @ VR Température de FonctionNement - Jonction Current - Rectifié Moyen (IO) Capacité @ vr, f Nombre de Scr, Diodes Type igbt Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) Courant - Collectionneur (IC) (Max) COURANT - COPEUR PULSÉ (ICM) Vce (on) (max) @ vge, ic Commutation d'Énergie Charge de Porte TD (On / Off) à 25 ° C Tension - test COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) Thermistance NTC Capacité d'entrée (cies) @ vce Type de transistor VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE FRÉQUENCE - transition RÉSISTANCE - BASE (R1) Résistance - Base d'Emetteur (R2) Figure de Bruit (db typ @ f)
TZ500N16KOFHPSA1 Infineon Technologies TZ500N16KOFHPSA1 212.2700
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 ECAD 3 0,00000000 Infineon Technologies - Plateau Actif -40 ° C ~ 125 ° C Soutenir de châssis Module TZ500N16 Célibataire télécharger Rohs3 conforme Non applicable Atteindre non affecté EAR99 8541.30.0080 3 300 mA 1,6 kV 1050 A 2,2 V 17a @ 50hz 250 mA 669 A 1 SCR
IPB110N20N3LFATMA1 Infineon Technologies IPB110N20N3LFATMA1 9.7000
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 ECAD 5194 0,00000000 Infineon Technologies Optimos ™ 3 Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab IPB110 MOSFET (Oxyde Métallique) PG à 263-3 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 1 000 Canal n 200 V 88A (TC) 10V 11MOHM @ 88A, 10V 4.2 V @ 260µA 76 NC @ 10 V ± 20V 650 pf @ 100 V - 250W (TC)
BCR133E6433HTMA1 Infineon Technologies BCR133E6433HTMA1 0,0495
RFQ
 ECAD 9471 0,00000000 Infineon Technologies - Ruban Adhésif (tr) Acheter la Dernière Support de surface À 236-3, SC-59, SOT-23-3 BCR133 200 MW PG-Sot23 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.21.0075 10 000 50 V 100 mA 100NA (ICBO) NPN - Pré-biaisé 300 mV à 500 µA, 10mA 30 @ 5mA, 5V 130 MHz 10 kohms 10 kohms
IPA65R099C6XKSA1 Infineon Technologies Ipa65r099c6xksa1 -
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 ECAD 7366 0,00000000 Infineon Technologies CoolMos ™ Tube Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 EXCHET Ipa65r MOSFET (Oxyde Métallique) PG à220-3-111 télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 500 Canal n 650 V 38A (TC) 10V 99MOHM @ 12.8A, 10V 3,5 V @ 1,2MA 127 NC @ 10 V ± 20V 2780 PF @ 100 V - 35W (TC)
IDH10SG60CXKSA1 Infineon Technologies IDH10SG60CXKSA1 -
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 ECAD 6781 0,00000000 Infineon Technologies Coolsic ™ + Tube Abandonné à sic Par le trou À 220-2 IDH10SG60 Sic (Carbure de Silicium) Schottky PG à 220-2-2 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0080 500 Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) 600 V 2.1 V @ 10 A 0 ns 90 µA à 600 V -55 ° C ~ 175 ° C 10A 290pf @ 1v, 1MHz
BCX5316H6433XTMA1 Infineon Technologies BCX5316H6433XTMA1 0.1920
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 ECAD 1574 0,00000000 Infineon Technologies Automobile, AEC-Q101 Ruban Adhésif (tr) Acheter la Dernière 150 ° C (TJ) Support de surface À 243aa BCX5316 2 W PG-Sot89 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0075 4 000 80 V 1 a 100NA (ICBO) Pnp 500 mV à 50ma, 500mA 100 @ 150mA, 2V 125 MHz
IRFH8337TRPBF Infineon Technologies Irfh8337trpbf -
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 ECAD 4620 0,00000000 Infineon Technologies Hexfet® Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 8-PowerTDFN MOSFET (Oxyde Métallique) PQFN (5x6) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 4 000 Canal n 30 V 12A (TA), 35A (TC) 4,5 V, 10V 12.8MOHM @ 16.2A, 10V 2,35 V @ 25µA 10 NC @ 10 V ± 20V 790 pf @ 10 V - 3.2W (TA), 27W (TC)
IRFH4210DTRPBF Infineon Technologies Irfh4210dtrpbf 2.5800
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 ECAD 1 0,00000000 Infineon Technologies Hexfet® Ruban Adhésif (tr) Abandonné à sic -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 8-PowerTDFN IRFH4210 MOSFET (Oxyde Métallique) PQFN (5x6) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 4 000 Canal n 25 V 44A (TA) 4,5 V, 10V 1,1MOHM @ 50A, 10V 2,1 V @ 100µA 77 NC @ 10 V ± 20V 4812 PF @ 13 V - 3,5W (TA), 125W (TC)
D1600U45X122XPSA1 Infineon Technologies D1600U45X122XPSA1 2 0000
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 ECAD 8058 0,00000000 Infineon Technologies - Plateau Actif Soutenir de châssis Do00ae D1600U45 Standard BG-D12026K-1 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0080 2 Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) 4500 V 4.3 V @ 2500 A 150 mA @ 4500 V 140 ° C (max) 1560a -
IPB029N06NF2SATMA1 Infineon Technologies IPB029N06NF2SATMA1 1.9100
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 ECAD 800 0,00000000 Infineon Technologies Strongirfet ™ 2 Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab IPB029 MOSFET (Oxyde Métallique) PG à 263-3 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 800 Canal n 60 V 26A (TA), 120A (TC) 6v, 10v 2,9MOHM @ 70A, 10V 3,3 V @ 80µA 102 NC @ 10 V ± 20V 4600 PF @ 30 V - 3.8W (TA), 150W (TC)
IRFZ48NSTRRPBF Infineon Technologies Irfz48nstrrpbf -
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 ECAD 9545 0,00000000 Infineon Technologies Hexfet® Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab MOSFET (Oxyde Métallique) D2pak télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 800 Canal n 55 V 64a (TC) 10V 14MOHM @ 32A, 10V 4V @ 250µA 81 NC @ 10 V ± 20V 1970 PF @ 25 V - 3.8W (TA), 130W (TC)
BFR 380T E6327 Infineon Technologies BFR 380T E6327 -
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 ECAD 3033 0,00000000 Infineon Technologies - Ruban Adhésif (tr) Abandonné à sic 150 ° C (TJ) Support de surface SC-75, SOT-416 BFR 380 380mw PG-SC-75 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.21.0075 3 000 12,5 dB 9v 80m NPN 60 @ 40mA, 3V 14 GHz 1,1 dB à 1,8 GHz
IRF7470PBF Infineon Technologies Irf7470pbf -
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 ECAD 4054 0,00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tube Abandonné à sic -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) MOSFET (Oxyde Métallique) 8-so télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 95 Canal n 40 V 10A (TA) 2,8 V, 10V 13MOHM @ 10A, 10V 2V à 250µA 44 NC @ 4,5 V ± 12V 3430 PF @ 20 V - 2.5W (TA)
SPW07N60CFDFKSA1 Infineon Technologies SPW07N60CFDFKSA1 -
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 ECAD 8173 0,00000000 Infineon Technologies CoolMos ™ Tube Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 SPW07N MOSFET (Oxyde Métallique) PG à247-3-1 télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 240 Canal n 650 V 6.6a (TC) 10V 700mohm @ 4.6a, 10v 5V à 300 µA 47 NC @ 10 V ± 20V 790 pf @ 25 V - 83W (TC)
IRF7526D1TR Infineon Technologies Irf7526d1tr -
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 ECAD 1153 0,00000000 Infineon Technologies Fetky ™ Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 8-TSSOP, 8 MSOP (0,118 ", 3,00 mm de grand) MOSFET (Oxyde Métallique) Micro8 ™ télécharger Rohs non conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 4 000 Canal p 30 V 2a (ta) 4,5 V, 10V 200 mohm @ 1,2a, 10v 1V @ 250µA 11 NC @ 10 V ± 20V 180 pf @ 25 V Diode Schottky (isolé) 1.25W (TA)
IPB020N10N5LFATMA1 Infineon Technologies IPB020N10N5LFATMA1 8.4300
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 ECAD 1 0,00000000 Infineon Technologies Optimos ™ -5 Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab IPB020 MOSFET (Oxyde Métallique) PG à 263-3 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 1 000 Canal n 100 V 120A (TC) 10V 2MOHM @ 100A, 10V 4.1 V @ 270µA 195 NC @ 10 V ± 20V 840 PF @ 50 V - 313W (TC)
AUIRLR024NTRL Infineon Technologies Auirlr024ntrl -
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 ECAD 5810 0,00000000 Infineon Technologies Hexfet® Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 MOSFET (Oxyde Métallique) D-pak télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté SP001517694 EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal n 55 V 17A (TC) 4V, 10V 65MOHM @ 10A, 10V 2V à 250µA 15 NC @ 5 V ± 16V 480 pf @ 25 V - 45W (TC)
BF998E6327 Infineon Technologies BF998E6327 -
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 ECAD 4284 0,00000000 Infineon Technologies - En gros Actif 12 V Support de surface À 253-4, à 253aa 1 GHz Mosfet SOT143 (SC-61) télécharger EAR99 8541.29.0095 1 Canal n 15m 10 mA - 28 dB 2,8 dB 8 V
BSP62E6327HTSA1 Infineon Technologies BSP62E6327HTSA1 -
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 ECAD 7905 0,00000000 Infineon Technologies - Ruban Adhésif (tr) Obsolète 150 ° C (TJ) Support de surface À 261-4, à 261aa Bsp62 1,5 w PG-Sot223-4 télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0075 1 000 80 V 1 a 10 µA PNP - Darlington 1,8 V @ 1MA, 1A 2000 @ 500mA, 10V 200 MHz
TD104N14KOFAHPSA1 Infineon Technologies TD104N14KOFAHPSA1 163.0127
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 ECAD 1850 0,00000000 Infineon Technologies - Plateau Actif -40 ° C ~ 140 ° C Soutenir de châssis Module TD104N14 Connexion de la Séririe - SCR / Diode - Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.30.0080 15 200 mA 1,4 kV 160 A 1,4 V 2050a @ 50hz 120 mA 104 A 1 SCR, 1 Diode
BAV 99W H6327 Infineon Technologies BAV 99W H6327 -
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 ECAD 1765 0,00000000 Infineon Technologies - Ruban Adhésif (tr) Obsolète Support de surface SC-70, SOT-323 BAV 99 Standard PG-Sot323 télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0070 3 000 Petit signal = <200mA (IO), Toute Vinesse Connexion de la Séririe 1 paire 80 V 200mA (DC) 1,25 V @ 150 Ma 4 ns 150 na @ 70 V 150 ° C (max)
IRF7205TRPBF Infineon Technologies Irf7205trpbf 0,9700
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 ECAD 53 0,00000000 Infineon Technologies Hexfet® Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) IRF7205 MOSFET (Oxyde Métallique) 8-so télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 4 000 Canal p 30 V 4.6a (TA) 4,5 V, 10V 70MOHM @ 4.6A, 10V 3V à 250µA 40 NC @ 10 V ± 20V 870 pf @ 10 V - 2,5W (TC)
BSS83PE6327 Infineon Technologies BSS83PE6327 -
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 ECAD 7719 0,00000000 Infineon Technologies Sipmos® Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (Oxyde Métallique) PG-Sot23 télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.21.0095 3 000 Canal p 60 V 330mA (TA) 4,5 V, 10V 2OHM @ 330mA, 10V 2V @ 80µA 3,57 NC @ 10 V ± 20V 78 PF @ 25 V - 360MW (TA)
IPB120N04S4L02ATMA1 Infineon Technologies IPB120N04S4L02ATMA1 3 4000
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 ECAD 1 0,00000000 Infineon Technologies Automotive, AEC-Q101, Optimos ™ Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab IPB120 MOSFET (Oxyde Métallique) PG à 263-3 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 1 000 Canal n 40 V 120A (TC) 4,5 V, 10V 1,7MOHM @ 100A, 10V 2,2 V @ 110µA 190 NC @ 10 V + 20V, -16V 14560 pf @ 25 V - 158W (TC)
T1900N16TOFVTXPSA1 Infineon Technologies T1900N16TOFVTXPSA1 500.4100
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 ECAD 4 0,00000000 Infineon Technologies - Plateau Actif 135 ° C (TJ) De serrer À 200ac T1900N Célibataire télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.30.0080 4 500 mA 1,8 kV 2840 A 2 V 39000A @ 50hz 250 mA 1810 A 1 SCR
BC 807-40W E6433 Infineon Technologies BC 807-40W E6433 -
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 ECAD 1330 0,00000000 Infineon Technologies - Ruban Adhésif (tr) Obsolète 150 ° C (TJ) Support de surface SC-70, SOT-323 BC 807 250 MW PG-Sot323 télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.21.0075 10 000 45 V 500 mA 100NA (ICBO) Pnp 700 mV à 50ma, 500mA 250 @ 100mA, 1V 200 MHz
BSM35GD120DN2E3224BPSA1 Infineon Technologies BSM35GD120DN2E3224BPSA1 136.8500
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 ECAD 2504 0,00000000 Infineon Technologies - Plateau Acheter la Dernière 150 ° C (TJ) Soutenir de châssis Module BSM35G 280 W Standard AG-ECONO2B - Rohs3 conforme Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 15 Achèvement Pont - 1200 V 50 a 3,2 V @ 15V, 35A 1 mA Non 2 nf @ 25 V
IHD06N60RA Infineon Technologies IHD06N60RA -
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 ECAD 3414 0,00000000 Infineon Technologies Trenchstop® Ruban Adhésif (tr) Obsolète -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 Standard 88 W PG à252-3-11 télécharger 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 2 500 400V, 6A, 14,7 ohms, 15v Tranché 600 V 12 A 18 a 1,9 V @ 15V, 6A 150 µJ 42 NC 25ns / 125ns
T7300N85X203A11XPSA1 Infineon Technologies T7300N85X203A11XPSA1 19.0000
RFQ
 ECAD 1859 0,00000000 Infineon Technologies - Plateau Actif T7300 - Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.30.0080 1
IKW30N60TFKSA1 Infineon Technologies IKW30N60TFKSA1 5.1400
RFQ
 ECAD 7882 0,00000000 Infineon Technologies Trenchstop® Tube Actif -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 IKW30N60 Standard 187 W PG à247-3-1 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 30 400V, 30A, 10,6 ohms, 15v 143 ns Arête du Champ de Tranché 600 V 60 a 90 A 2.05V @ 15V, 30A 1.46MJ 167 NC 23ns / 254ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume de RFQ moyen quotidien

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Unité de produit standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricants mondiaux

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    15 000 m2

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AD9208BBPZ-3000

Tampon exposé de 196-LFBGA

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