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Produits semi-conduurs discrètes (16626)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Type d'entrée	Technologie	Power - Max	Saisir	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	ECCN	HTSUS	Norme de package	Configuration	Taper fet	Condition de test	Égoutter la tension de la source (VDSS)	Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C	Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS)	RDS SUR (MAX) @ ID, VGS	Vgs (th) (max) @ id	Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS	VGS (max)	Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds	FET FONCTION	Dissipation de Puisse (max)	Temps de réménage inversé (TRR)	Type igbt	Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max)	Courant - Collectionneur (IC) (Max)	COURANT - COPEUR PULSÉ (ICM)	Vce (on) (max) @ vge, ic	Commutation d'Énergie	Charge de Porte	TD (On / Off) à 25 ° C	COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX)	Thermistance NTC	Capacité d'entrée (cies) @ vce
FS100R07N2E4BPSA1	136,6000	RFQ	5677	Infineon Technologies	Econopack ™ 2	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	Module	FS100R07			335 W	Standard	AG-ECONO2B	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.29.0095	15	Onduleur Triphasé														Arête du Champ de Tranché	650 V	100 A		1,95 V @ 15V, 100A				1 mA	Oui	6.2 NF @ 25 V
ISC011N06LM5ATMA1	4.0900	RFQ	4	Infineon Technologies	Optimos ™	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	8-PowerTDFN	ISC011N		MOSFET (Oxyde Métallique)			PG-TDSON-8-17	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.29.0095	5 000		Canal n		60 V	37A (TA), 288A (TC)	4,5 V, 10V	1,15MOHM @ 50A, 10V	2,3 V @ 116µA	170 NC @ 10 V	± 20V	11000 pf @ 30 V	-	3W (TA), 188W (TC)
FS50R17KE3B17BPSA1	179.0947	RFQ	3428	Infineon Technologies	Econopack ™ 2	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	Module	FS50R17			345 W	Standard	AG-ECONO2B	télécharger	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté	EAR99	8541.29.0095	15	Onduleur Triphasé														Arête du Champ de Tranché	1700 V	82 A		2 45 V @ 15V, 50A				1 mA	Non	4,5 nf @ 25 V
IFF600B12ME4B11BPSA1	392.9980	RFQ	2449	Infineon Technologies	Econodual ™ 3	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	Module	Iff600			20 MW	Standard	AG-ECONOD-5	télécharger	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté	EAR99	8541.29.0095	10	Onduleur de Demi-pont														Arête du Champ de Tranché	1200 V	600 A		2.1V @ 15V, 600A				3 mA	Oui	37 nf @ 25 V
IAUC50N08S5N102ATMA1	0,6636	RFQ	8176	Infineon Technologies	Optimos ™	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	8-PowerTDFN			MOSFET (Oxyde Métallique)			PG-TDSON-8-33	télécharger	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté	EAR99	8541.29.0095	5 000		Canal n		80 V	50a (TJ)	6v, 10v	10.2MOHM @ 25A, 10V	3,8 V @ 24µA	21 NC @ 10 V	± 20V	1394 PF @ 40 V	-	60W (TC)
FF1500R17IP5RBPSA1	2 0000	RFQ	2	Infineon Technologies	PrimePack ™ 3	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	Module	FF1500R			20 MW	Standard	Module	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.29.0095	2	2 indépendant														Arête du Champ de Tranché	1700 V	1500 A		2,2 V @ 15V, 1,5A				10 mA	Oui	88 NF @ 25 V
DDB6U180N16RRB37BPSA1	167.7600	RFQ	14	Infineon Technologies	Econopack ™ 2	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	Module	DDB6U180			20 MW	Standard	AG-ECONO2B	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.29.0095	15	Hélicoptère														Arête du Champ de Tranché	1200 V	100 A		2.1V @ 15V, 100A				1 mA	Oui	6.2 NF @ 25 V
DDB6U134N16RRB11BPSA2	107.6700	RFQ	15	Infineon Technologies	Econopack ™ 2	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	Module	DDB6U134			400 W	Standard	AG-ECONO2B	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.29.0095	15	Hélicoptère														-	1200 V	125 A		2.6V @ 15V, 75A				1 mA	Oui	5.1 NF @ 25 V
FS200R12W3T7B11BPSA1	191.6200	RFQ	8	Infineon Technologies	*	Plateau	Actif				FS200R12						-	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.29.0095	8
FP75R12W3T7B11BPSA1	152.9200	RFQ	8	Infineon Technologies	*	Plateau	Actif										-	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.29.0095	8
FF600R12ME7B11BPSA2	337.7200	RFQ	6522	Infineon Technologies	Econodual ™ 3	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	Module	FF600R12			20 MW	Standard	Ag-econod	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.29.0095	10	2 indépendant														Arête du Champ de Tranché	1200 V	600 A		1,75 V @ 15V, 600A				35 µA	Oui	92 NF @ 25 V
Ddb6u104n16rrbpsa1	104.0400	RFQ	15	Infineon Technologies	-	Plateau	Actif	150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	Module	DDB6U104			20 MW	Standard	AG-ECONO2B	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.29.0095	15	Hélicoptère														-	1200 V	50 a		2,8 V @ 15V, 50A				1 mA	Oui	3,3 nf @ 25 V
FP35R12W2T7BPSA1	67.3800	RFQ	8795	Infineon Technologies	EasyPim ™	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	Module	Fp35r12			20 MW	Redredeur de pont en trois phases	Ag-Easy1b-2	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.29.0095	15	Onduleur Triphasé														Arête du Champ de Tranché	1200 V	35 A		-				5,8 µA	Oui	6,62 nf @ 25 V
FP15R12W1T7BOMA1	48.8700	RFQ	18	Infineon Technologies	EasyPim ™	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	Module	FP15R12			20 MW	Redredeur de pont en trois phases	Ag-Easy1b-2	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.29.0095	24	Onduleur Triphasé														Arête du Champ de Tranché	1200 V	15 A		-				3 µA	Oui	2,82 nf @ 25 V
FP15R12W1T7PB11BPSA1	53.2700	RFQ	24	Infineon Technologies	EasyPim ™	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	Module	FP15R12			20 MW	Redredeur de pont en trois phases	Ag-Easy1b	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.29.0095	30	Onduleur Triphasé														Arête du Champ de Tranché	1200 V	15 A		-				3 µA	Oui	2,82 nf @ 25 V
F4200R17N3E4B58BPSA1	371.6300	RFQ	8	Infineon Technologies	Easypack ™ 3	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	Module	F4200R			20 MW	Redredeur de pont en trois phases	AG-ECONO3B	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.29.0095	10	ONDULEUR DE PONT ACHET														Arête du Champ de Tranché	1700 V	200 A		2.3V @ 15V, 200A				1 mA	Oui	16 nf @ 25 V
FF600R12IP4PBPSA1	487.5200	RFQ	3	Infineon Technologies	PrimePack ™ 2	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	Module	FF600R12			20 MW	Standard	Ag-prime2	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.29.0095	3	2 indépendant														Arête du Champ de Tranché	1200 V	600 A		2.05V @ 15V, 600A				5 mA	Oui	37 nf @ 25 V
F4150R17N3P4B58BPSA1	332.1000	RFQ	5	Infineon Technologies	Easypack ™ 3	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	Module	F4150R			20 MW	Redredeur de pont en trois phases	AG-ECONO3B	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.29.0095	10	ONDULEUR DE PONT ACHET														Arête du Champ de Tranché	1700 V	150 A		2.2v @ 15v, 150a				1 mA	Oui	12.3 NF @ 25 V
FS50R12W1T7PB11BPSA1	66.5100	RFQ	6375	Infineon Technologies	*	Plateau	Actif										-	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.29.0095	30
IPF014N08NF2SATMA1	5.1100	RFQ	800	Infineon Technologies	Strongirfet ™ 2	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-8, d²pak (7 leads + tab), à 263ca	IPF014N		MOSFET (Oxyde Métallique)			PG à263-7-14	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.29.0095	800		Canal n		80 V	282A (TC)	6v, 10v	1,4 mohm @ 100a, 10v	3,8 V @ 267µA	255 NC @ 10 V	± 20V	12000 PF @ 40 V	-	300W (TC)
Ff450r07me4b11bpsa1	209.5800	RFQ	10	Infineon Technologies	Econodual ™ 3	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	Module	FF450R07			1450 W	Standard	Ag-econod	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.29.0095	10	2 indépendant														Arête du Champ de Tranché	650 V	560 A		1,95 V @ 15V, 450A				1 mA	Oui	27,5 nf @ 25 V
Isk024ne2lm5aula1	0,9200	RFQ	8	Infineon Technologies	Optimos ™, Strongirfet ™	Ruban Adhésif (tr)	Abandonné à sic	-	Support de surface	6 powervdfn	ISK024N		MOSFET (Oxyde Métallique)			6 pqfn double (2x2)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.29.0095	3 000		-		40 V	-	-	-	-		± 16V		-	-
FF600R12ME4B11BPSA2	373.3450	RFQ	9903	Infineon Technologies	Econodual ™ 3	Plateau	Pas de designs les nouveaux	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	Module	FF600R12			4050 W	Standard	Ag-econod	télécharger	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté	EAR99	8541.29.0095	10	2 indépendant														Arête du Champ de Tranché	1200 V	995 A		2.05V @ 15V, 600A				3 mA	Oui	37 nf @ 25 V
FP150R07N3E4B16BOSA1	231.2100	RFQ	7751	Infineon Technologies	*	Plateau	Actif										-	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté	EAR99	8541.29.0095	10
IPTG018N10NM5ATMA1	6.1800	RFQ	1	Infineon Technologies	Optimos ™	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	8 Powersmd, Aile du Mouette	IPTG018N		MOSFET (Oxyde Métallique)			Pg-hsog-8-1	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.29.0095	1 800		Canal n		100 V	32A (TA), 273A TC)	6v, 10v	1,8MOHM @ 150A, 10V	3,8 V @ 202µA	152 NC @ 10 V	± 20V	11000 PF @ 50 V	-	3.8W (TA), 273W (TC)
FP15R12KE3 GBPSA1	89.4100	RFQ	10	Infineon Technologies	Econopim ™ 2	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	Module	FP15R12			105 W	Redredeur de pont en trois phases	AG-ECONO2C	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.29.0095	15	Onduleur Triphasé														Arête du Champ de Tranché	1200 V	25 A		2,45 V @ 15V, 10A				1 mA	Oui	1.1 NF @ 25 V
IQE030N06NM5ATMA1	2.9600	RFQ	9	Infineon Technologies	Optimos ™	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	8-PowerTDFN	IQE030N		MOSFET (Oxyde Métallique)			PG-TSON-8-4	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.29.0095	5 000		Canal n		60 V	21A (TA), 137A (TC)	6v, 10v	3MOHM @ 20A, 10V	3,3 V @ 50µA	49 NC @ 10 V	± 20V	3800 pf @ 30 V	-	2.5W (TA), 107W (TC)
F450R12KS4BPSA1	134.5400	RFQ	15	Infineon Technologies	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	Module	F450R12			355 W	Standard	AG-ECONO2B	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.29.0095	15	ONDULEUR DE PONT ACHET														-	1200 V	70 A		3,75 V @ 15V, 50A				5 mA	Oui	3,4 nf @ 25 V
IKFW40N65DH5XKSA1	5.2345	RFQ	6491	Infineon Technologies	TRENCHSTOP ™	Tube	Actif	-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3		Standard		106 W		Pg-hsip247-3-2	télécharger	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté	EAR99	8541.29.0095	240			400V, 40A, 14OHM, 15V											64 ns	Arête du Champ de Tranché	650 V	53 A	120 A	2.25V @ 15V, 40A	1 17MJ (ON), 500 µJ (OFF)	70 NC	18NS / 105NS
FS75R12KT4BPSA2	153.0900	RFQ	9747	Infineon Technologies	Econopack ™ 2	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	Module	FS75R12			20 MW	Standard	AG-ECONO2B	télécharger	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté	EAR99	8541.29.0095	15	Onduleur Triphasé														Arête du Champ de Tranché	1200 V	75 A		2.15V @ 15V, 75A				1 mA	Oui	4.3 NF @ 25 V