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Produits semi-conduurs discrètes (16626)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Fuseau	Numéro de Protuit de Base	Type d'entrée	Technologie	Power - Max	Saisir	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Configuration	Vitre	Taper fet	Condition de test	Gagner	Actualiser	Tension	Tension - isolement	Égoutter la tension de la source (VDSS)	Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C	Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS)	RDS SUR (MAX) @ ID, VGS	Vgs (th) (max) @ id	Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS	VGS (max)	Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds	FET FONCTION	Dissipation de Puisse (max)	Tension - DC inverse (VR) (max)	Temps de réménage inversé (TRR)	Courant - FUITE INVERSEE @ VR	Température de FonctionNement - Jonction	Current - Rectifié Moyen (IO)	Capacité @ vr, f	Type igbt	Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max)	Courant - Collectionneur (IC) (Max)	COURANT - COPEUR PULSÉ (ICM)	Vce (on) (max) @ vge, ic	Commutation d'Énergie	Charge de Porte	TD (On / Off) à 25 ° C	Type de diode	Tension - Pic inverse (max)	COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX)	Thermistance NTC	Capacité d'entrée (cies) @ vce	Type de transistor	VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC	Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE	FRÉQUENCE - transition	Figure de Bruit (db typ @ f)	Rapport de capacité	Condition de rapport de capacité	Q @ VR, F
D5810N04TVFXPSA1	410.4450	RFQ	1284	Infineon Technologies	-	Plateau	Acheter la Dernière		De serrer	DO-200AC, K-PUK		D5810n04		Standard			-	télécharger	Rohs3 conforme	Non applicable	Atteindre non affecté		EAR99	8541.10.0080	4		Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO)																	400 V		100 mA @ 400 V	-40 ° C ~ 180 ° C	5800A	-
SN7002WH6433XTMA1	0,0551	RFQ	5203	Infineon Technologies	*	Ruban Adhésif (tr)	Pas de designs les nouveaux					SN7002						télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	10 000											4,5 V, 10V				± 20V
BBY 65-02V E6327	-	RFQ	9454	Infineon Technologies	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	SC-79, SOD-523		BBY 65					PG-SC79-2	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.10.0070	3 000																								2,8pf à 4,7 V, 1 MHz									Célibataire	15 V									10.9	C0.3 / C4.7	-
FS600R07A2E3BOSA3	-	RFQ	7136	Infineon Technologies	HybridPack ™ 2	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	Module		FS600R07			1250 W	Standard	-	-	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		OBSOLÈTE		1	Triphasé																								Arête du Champ de Tranché	650 V	530 A		1,6 V @ 15V, 400A						5 mA	Oui	39 nf @ 25 V
IPB083N10N3GATMA1	1.6900	RFQ	960	Infineon Technologies	Optimos ™	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab		IPB083		MOSFET (Oxyde Métallique)			PG à 263-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1 000			Canal n						100 V	80A (TC)	6v, 10v	8,3MOHM @ 73A, 10V	3,5 V @ 75µA	55 NC @ 10 V	± 20V	3980 PF @ 50 V	-	125W (TC)
Irfp4227pbfxkma1	3.3879	RFQ	3103	Infineon Technologies	-	Tube	Actif											-	Rohs3 conforme			448-IRFP4227PBFXKMA1			25
IPB80N04S3-04	1.4200	RFQ	225	Infineon Technologies	Automotive, AEC-Q101, Optimos ™	En gros	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-4, d²pak (3 leads + tab), à 263aa				MOSFET (Oxyde Métallique)			PG à263-3-1	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	0000.00.0000	225			Canal n						40 V	80A (TC)		4.1MOHM @ 80A, 10V	4V @ 90µA	80 NC @ 10 V	± 20V	5200 pf @ 25 V	-	136W (TC)
Fp30r06w1e3pbpsa1	49.4040	RFQ	8161	Infineon Technologies	*	Plateau	Actif											-	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	30
FS100R17N3E4PB11BPSA1	276.2367	RFQ	3696	Infineon Technologies	-	Plateau	Actif	-	-	-		FS100				-	-	-	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté			0000.00.0000	6	-																								-				-
TZ800N14KOFHPSA2	-	RFQ	6078	Infineon Technologies	-	En gros	Obsolète					TZ800N14						-					OBSOLÈTE		1
BC847PNB6327XT	-	RFQ	7298	Infineon Technologies	-	Ruban Adhésif (tr)	Abandonné à sic	150 ° C (TJ)	Support de surface	6-VSSOP, SC-88, SOT-363		BC847			250mw		Pg-sot363-po	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0075	30 000																										45v	100 mA								15NA (ICBO)			Npn, pnp	650 mV @ 5mA, 100mA	200 @ 2MA, 5V	250 MHz
IRFS7530-7PPBF	-	RFQ	9100	Infineon Technologies	Hexfet®, Strongirfet ™	Tube	Abandonné à sic	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-7, d²pak (6 leads + onglet)				MOSFET (Oxyde Métallique)			D2pak (7-lead)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	SP001565236	EAR99	8541.29.0095	50			Canal n						60 V	240a (TC)	6v, 10v	1,4 mohm @ 100a, 10v	3,7 V @ 250µA	354 NC @ 10 V	± 20V	12960 PF @ 25 V	-	375W (TC)
IPF04N03LA	-	RFQ	9074	Infineon Technologies	Optimos ™	Ruban Adhésif (tr)	Abandonné à sic	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63		Ipf04n		MOSFET (Oxyde Métallique)			PG à 252-3-23	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	2 500			Canal n						25 V	50A (TC)	4,5 V, 10V	3,8MOHM @ 50A, 10V	2V @ 30µA	41 NC @ 5 V	± 20V	5199 PF @ 15 V	-	115W (TC)
IPI100N04S303MATMA1	-	RFQ	8664	Infineon Technologies	*	Ruban Adhésif (tr)	Actif					IPI100						télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	SP000381620		0000.00.0000	1 000
Ipb34cn10ngatma1	-	RFQ	7110	Infineon Technologies	Optimos ™	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab		Ipb34c		MOSFET (Oxyde Métallique)			PG à 263-3	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1 000			Canal n						100 V	27a (TC)	10V	34MOHM @ 27A, 10V	4V @ 29µA	24 NC @ 10 V	± 20V	1570 pf @ 50 V	-	58W (TC)
BB640	1 0000	RFQ	8265	Infineon Technologies	-	En gros	Actif											télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.10.0080	3 000
BSZ100N06LS3GATMA1	1.1600	RFQ	121	Infineon Technologies	Optimos ™	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8 powervdfn		BSZ100		MOSFET (Oxyde Métallique)			PG-TSDSON-8	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	5 000			Canal n						60 V	11A (TA), 20A (TC)	4,5 V, 10V	10MOHM @ 20A, 10V	2,2 V @ 23µA	45 NC @ 10 V	± 20V	3500 pf @ 30 V	-	2.1W (TA), 50W (TC)
BFP420H6433	0,1800	RFQ	80	Infineon Technologies	-	En gros	Actif	150 ° C (TJ)	Support de surface	SC-82A, SOT-343					210MW		PG-Sot343-4-2	télécharger	Non applicable	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0075	10 000					21 dB																					4,5 V	60m											NPN		60 @ 20mA, 4V	25 GHz	1,1 dB à 1,8 GHz
IQFH39N04NM6ATMA1	3.6300	RFQ	1425	Infineon Technologies	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif											-	Rohs3 conforme			448-iqfh39n04nm6atma1tr			3 000
AIHD10N60RATMA1	-	RFQ	4575	Infineon Technologies	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63		AIHD10	Standard		150 W		PG à252-3-313	-	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	SP001346846	EAR99	8541.29.0095	2 500				400V, 10A, 23OHM, 15V																					Arête du Champ de Tranché	600 V	20 a	30 A	2.1V @ 15V, 10A	210 µJ (ON), 380µJ (OFF)	64 NC	14NS / 192NS
BFR193FH6327	0,0800	RFQ	99	Infineon Technologies	Automobile, AEC-Q101	En gros	Actif	150 ° C (TJ)	Support de surface	SOT-723					580mw		PG-TSFP-3-1	télécharger	Non applicable	1 (illimité)	Vendeur indéfini		EAR99	8541.21.0075	3 000					19 dB																					12V	80m											NPN		70 @ 30mA, 8v	8 GHz	1 dB ~ 1,6 dB à 900 MHz ~ 1,8 GHz
IKFW75N60ETXKSA1	8.2497	RFQ	3329	Infineon Technologies	TRENCHSTOP ™	Tube	Actif	-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3		IKFW75	Standard		178 W		Pg à247-3-ai	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	240				400V, 75A, 5OHM, 15V																107 ns					Arête du Champ de Tranché	600 V	80 A	225 A	2v @ 15v, 75a	2,7mj (on), 2 35J (off)	440 NC	33ns / 340ns
Bb689h7908xtsa1	-	RFQ	6421	Infineon Technologies	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	SC-80		BB689					SCD-80	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.10.0070	3 000																								2,9pf @ 28v, 1MHz									Célibataire	30 V									23.2	C1 / C28	-
IRlr8103vtrpbf	-	RFQ	3193	Infineon Technologies	Hexfet®	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63				MOSFET (Oxyde Métallique)			D-pak	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	2 000			Canal n						30 V	91a (TC)	4,5 V, 10V	9MOHM @ 15A, 10V	3V à 250µA	27 NC @ 5 V	± 20V	2672 PF @ 16 V	-	115W (TC)
FZ800R12KF5NOSA1	640.9100	RFQ	92	Infineon Technologies	*	En gros	Actif											télécharger	Non applicable	1 (illimité)	Vendeur indéfini		EAR99	8541.29.0095	1
Irgph40f	-	RFQ	2712	Infineon Technologies	-	Sac	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3			Standard		160 W		À 247AC	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	25																									-	1200 V	29 A		3,3 V @ 15V, 17A
Ihd10n60ra	-	RFQ	9485	Infineon Technologies	Trenchstop®	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63			Standard		110 W		PG à252-3-11	télécharger		3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	2 500				400V, 10A, 23OHM, 15V																					Tranché	600 V	20 a	30 A	1,9 V @ 15V, 10A	270 µJ	62 NC	- / 170ns
Ifcm10s60gdxkma1	14.2272	RFQ	1257	Infineon Technologies	CIPOS ™	Tube	Actif		Par le trou	Module 24-Powerdip (1 028 ", 26,10 mm)	Igbt	Ifcm10						télécharger	Rohs3 conforme	Non applicable	Atteindre non affecté		EAR99	8542.39.0001	280	Onduleur Triphasé					30 A	650 V	2000 VRM
BFR380TE6327	0,0900	RFQ	158	Infineon Technologies	-	En gros	Actif	150 ° C (TJ)	Support de surface	SC-75, SOT-416					380mw		PG-SC-75	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Vendeur indéfini		EAR99	8541.21.0075	3 000					12,5 dB																					9v	80m											NPN		60 @ 40mA, 3V	14 GHz	1,1 dB à 1,8 GHz
Auirfr4104	-	RFQ	7096	Infineon Technologies	Hexfet®	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63				MOSFET (Oxyde Métallique)			D-pak	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	3 000			Canal n						40 V	42A (TC)	10V	5,5 mohm @ 42a, 10v	4V @ 250µA	89 NC @ 10 V	± 20V	2950 pf @ 25 V	-	140W (TC)