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Produits semi-conduurs discrètes (16626)

Image Numéro de Produit Prix (USD) Quantité ECAD Quantité disponible Poids (kg) MFR Série Peigner ÉTAT DU PRODUIT Tension - note Température de fonctionnels Type de Montage Package / ÉTUI Numéro de Protuit de Base Type d'entrée Fréquence Technologie Power - Max Forfait de Périphérique Fournisseur Fiche de Donnés Statt Rohs Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) Statt de Portée Noms Autres ECCN HTSUS Norme de package Configuration Taper fet Évaluation Actullelle (AMPS) Condition de test Current - Test Puisance - Sortie Gagner Égoutter la tension de la source (VDSS) Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) RDS SUR (MAX) @ ID, VGS Vgs (th) (max) @ id Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS VGS (max) Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds FET FONCTION Dissipation de Puisse (max) Silhouette Temps de réménage inversé (TRR) Type igbt Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) Courant - Collectionneur (IC) (Max) COURANT - COPEUR PULSÉ (ICM) Vce (on) (max) @ vge, ic Commutation d'Énergie Charge de Porte TD (On / Off) à 25 ° C Tension - test
IPW60R125CPFKSA1 Infineon Technologies Ipw60r125cpfksa1 5.4657
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 ECAD 1478 0,00000000 Infineon Technologies CoolMos ™ Tube Pas de designs les nouveaux -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 Ipw60r125 MOSFET (Oxyde Métallique) PG à247-3-1 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 240 Canal n 600 V 25a (TC) 10V 125MOHM @ 16A, 10V 3,5 V @ 1.1mA 70 NC @ 10 V ± 20V 2500 pf @ 100 V - 208W (TC)
PTF080101S V1 Infineon Technologies PTF080101S V1 -
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 ECAD 7761 0,00000000 Infineon Technologies Goldmos® Ruban Adhésif (tr) Obsolète 65 V Support de surface H-32259-2 960 MHz LDMOS H-32259-2 télécharger 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 500 1 µA 150 mA 10W 18,5 dB - 28 V
SPD15N06S2L-64 Infineon Technologies SPD15N06S2L-64 -
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 ECAD 9274 0,00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 SPD15N MOSFET (Oxyde Métallique) PG à252-3-11 télécharger Rohs non conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 2 500 Canal n 55 V 19A (TC) 4,5 V, 10V 64MOHM @ 8A, 10V 2V @ 14µA 13 NC @ 10 V ± 20V 445 PF @ 25 V - 47W (TC)
SPD26N06S2L-35 Infineon Technologies SPD26N06S2L-35 -
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 ECAD 4335 0,00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 SPD26N MOSFET (Oxyde Métallique) PG à252-3-11 télécharger Rohs non conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 2 500 Canal n 55 V 30a (TC) 4,5 V, 10V 35MOHM @ 13A, 10V 2V @ 26µA 24 NC @ 10 V ± 20V 790 pf @ 25 V - 68W (TC)
SPI16N50C3HKSA1 Infineon Technologies SPI16N50C3HKSA1 -
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 ECAD 5671 0,00000000 Infineon Technologies CoolMos ™ Tube Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 262-3 longs longs, i²pak, à 262aa SPI16N MOSFET (Oxyde Métallique) PG à262-3-1 télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 500 Canal n 560 V 16A (TC) 10V 280mohm @ 10a, 10v 3,9 V @ 675µA 66 NC @ 10 V ± 20V 1600 pf @ 25 V - 160W (TC)
SPI70N10L Infineon Technologies SPI70N10L -
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 ECAD 1082 0,00000000 Infineon Technologies Sipmos® Tube Obsolète -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou À 262-3 longs longs, i²pak, à 262aa SPI70N MOSFET (Oxyde Métallique) PG à262-3-1 télécharger Rohs non conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté SP000014005 EAR99 8541.29.0095 500 Canal n 100 V 70A (TC) 4,5 V, 10V 16MOHM @ 50A, 10V 2v @ 2mA 240 NC @ 10 V ± 20V 4540 pf @ 25 V - 250W (TC)
SPI80N08S2-07R Infineon Technologies SPI80N08S2-07R -
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 ECAD 6020 0,00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tube Abandonné à sic -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou À 262-3 longs longs, i²pak, à 262aa SPI80N MOSFET (Oxyde Métallique) PG à262-3-1 télécharger Rohs non conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 500 Canal n 75 V 80A (TC) 10V 7,3MOHM @ 80A, 10V 4V @ 250µA 185 NC @ 10 V ± 20V 5830 pf @ 25 V - 300W (TC)
SPP100N08S2L-07 Infineon Technologies SPP100N08S2L-07 -
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 ECAD 6925 0,00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tube Obsolète -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 SPP100N MOSFET (Oxyde Métallique) PG à220-3-1 télécharger Rohs non conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 500 Canal n 75 V 100A (TC) 10V 6,8MOHM @ 68A, 10V 2V à 250µA 246 NC @ 10 V ± 20V 7130 pf @ 25 V - 300W (TC)
SPP80N04S2-04 Infineon Technologies SPP80N04S2-04 -
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 ECAD 4305 0,00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tube Obsolète -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 SPP80N MOSFET (Oxyde Métallique) PG à220-3-1 télécharger Rohs non conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 500 Canal n 40 V 80A (TC) 10V 3,7MOHM @ 80A, 10V 4V @ 250µA 170 NC @ 10 V ± 20V 6980 pf @ 25 V - 300W (TC)
SN7002W E6433 Infineon Technologies SN7002W E6433 -
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 ECAD 3147 0,00000000 Infineon Technologies Sipmos® Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface SC-70, SOT-323 SN7002W MOSFET (Oxyde Métallique) PG-Sot323 télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.21.0095 10 000 Canal n 60 V 230mA (TA) 4,5 V, 10V 5OHM @ 230mA, 10V 1,8 V @ 26µA 1,5 NC @ 10 V ± 20V 45 PF @ 25 V - 500mw (TA)
SPB04N60S5ATMA1 Infineon Technologies SPB04N60S5ATMA1 -
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 ECAD 5997 0,00000000 Infineon Technologies CoolMos ™ Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab SPB04N MOSFET (Oxyde Métallique) PG à263-3-2 télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 1 000 Canal n 600 V 4.5a (TC) 10V 950mohm @ 2,8a, 10v 5,5 V @ 200µA 22,9 NC @ 10 V ± 20V 580 pf @ 25 V - 50W (TC)
SPB100N04S2L-03 Infineon Technologies SPB100N04S2L-03 -
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 ECAD 6802 0,00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab SPB100N MOSFET (Oxyde Métallique) PG à263-3-2 télécharger Rohs non conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 1 000 Canal n 40 V 100A (TC) 4,5 V, 10V 3MOHM @ 80A, 10V 2V à 250µA 230 NC @ 10 V ± 20V 8000 pf @ 25 V - 300W (TC)
IRGS4065PBF Infineon Technologies Irgs4065pbf -
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 ECAD 6670 0,00000000 Infineon Technologies - Tube Obsolète -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab Standard 178 W D2pak télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 50 180V, 25A, 10OHM Tranché 300 V 70 A 2.1V @ 15V, 70A - 62 NC 30ns / 170ns
IRF6645 Infineon Technologies IRF6645 -
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 ECAD 3784 0,00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tube Obsolète -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface DirectFet ™ Isométrique SJ MOSFET (Oxyde Métallique) DirectFet ™ SJ télécharger Rohs non conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 4 800 Canal n 100 V 5.7A (TA), 25A (TC) 10V 35MOHM @ 5.7A, 10V 4,9 V @ 50µA 20 nc @ 10 V ± 20V 890 pf @ 25 V - 3W (TA), 42W (TC)
IRFH7911TRPBF Infineon Technologies Irfh7911trpbf -
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 ECAD 1792 0,00000000 Infineon Technologies Hexfet® Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 18 PowerVQFN IRFH7911 MOSFET (Oxyde Métallique) 2.4W, 3.4W PQFN (5x6) télécharger Rohs3 conforme 2 (1 AN) Atteindre non affecté SP001577920 EAR99 8541.29.0095 4 000 2 Canaux N (double) 30V 13a, 28a 8,6MOHM @ 12A, 10V 2,35 V @ 25µA 12nc @ 4,5 V 1060pf @ 15v Porte de Niveau Logique
IRFHM830TRPBF Infineon Technologies Irfhm830trpbf 0,9300
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 ECAD 4 0,00000000 Infineon Technologies Hexfet® Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 8 powervdfn IRFHM830 MOSFET (Oxyde Métallique) 8-pqfn-dual (3.3x3.3) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 4 000 Canal n 30 V 21A (TA), 40A (TC) 4,5 V, 10V 3,8MOHM @ 20A, 10V 2,35 V @ 50µA 31 NC @ 10 V ± 20V 2155 PF @ 25 V - 2.7W (TA), 37W (TC)
IRF9388PBF Infineon Technologies Irf9388pbf -
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 ECAD 4439 0,00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tube Abandonné à sic -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) MOSFET (Oxyde Métallique) 8-so télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté SP001563814 EAR99 8541.29.0095 95 Canal p 30 V 12A (TA) 10V, 20V 8,5 mohm @ 12a, 20v 2,4 V @ 25µA 52 NC @ 10 V ± 25V 1680 PF @ 25 V - 2.5W (TA)
IRFH5010TRPBF Infineon Technologies Irfh5010trpbf -
RFQ
 ECAD 3710 0,00000000 Infineon Technologies Hexfet® Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 8 powervdfn IRFH5010 MOSFET (Oxyde Métallique) 8-pqfn (5x6) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 4 000 Canal n 100 V 13A (TA), 100A (TC) 10V 9MOHM @ 50A, 10V 4V à 150µA 98 NC @ 10 V ± 20V 4340 PF @ 25 V - 3.6W (TA), 250W (TC)
IRFR540ZTRRPBF Infineon Technologies Irfr540ztrrpbf -
RFQ
 ECAD 1043 0,00000000 Infineon Technologies Hexfet® Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 MOSFET (Oxyde Métallique) D-pak télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté SP001557092 EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal n 100 V 35A (TC) 10V 28,5MOHM @ 21A, 10V 4V @ 50µA 59 NC @ 10 V ± 20V 1690 pf @ 25 V - 91W (TC)
IRLR8743PBF Infineon Technologies IRlr8743pbf -
RFQ
 ECAD 7033 0,00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tube Abandonné à sic -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 MOSFET (Oxyde Métallique) D-pak télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 75 Canal n 30 V 160a (TC) 4,5 V, 10V 3,1MOHM @ 25A, 10V 2,35 V @ 100µA 59 NC @ 4,5 V ± 20V 4880 PF @ 15 V - 135W (TC)
IRFS52N15DTRRP Infineon Technologies Irfs52n15dtrrp -
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 ECAD 8720 0,00000000 Infineon Technologies Hexfet® Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab IRFS52 MOSFET (Oxyde Métallique) D2pak télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 800 Canal n 150 V 51A (TC) 10V 32MOHM @ 36A, 10V 5V @ 250µA 89 NC @ 10 V ± 30V 2770 pf @ 25 V - 3.8W (TA), 230W (TC)
IRFR3911TRLPBF Infineon Technologies Irfr3911trlpbf -
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 ECAD 3802 0,00000000 Infineon Technologies Hexfet® Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 MOSFET (Oxyde Métallique) D-pak télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal n 100 V 14A (TC) 10V 115MOHM @ 8.4A, 10V 4V @ 250µA 32 NC @ 10 V ± 20V 740 PF @ 25 V - 56W (TC)
IRFR3707TRLPBF Infineon Technologies Irfr3707trlpbf -
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 ECAD 3196 0,00000000 Infineon Technologies Hexfet® Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 MOSFET (Oxyde Métallique) D-pak télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté SP001573356 EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal n 30 V 61a (TC) 4,5 V, 10V 13MOHM @ 15A, 10V 3V à 250µA 19 NC @ 4,5 V ± 20V 1990 PF @ 15 V - 87W (TC)
IRFHS9301TRPBF Infineon Technologies Irfhs9301trpbf 0 7700
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 ECAD 38 0,00000000 Infineon Technologies Hexfet® Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 6 powervdfn IRFHS9301 MOSFET (Oxyde Métallique) 6-pqfn (2x2) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 4 000 Canal p 30 V 6A (TA), 13A (TC) 4,5 V, 10V 37MOHM @ 7.8A, 10V 2,4 V @ 25µA 13 NC @ 10 V ± 20V 580 pf @ 25 V - 2.1W (TA)
BSD314SPEL6327HTSA1 Infineon Technologies BSD314SPEL6327HTSA1 -
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 ECAD 6790 0,00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 MOSFET (Oxyde Métallique) Pg-sot363-po télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.21.0095 3 000 Canal p 30 V 1.5A (TA) 4,5 V, 10V 140 MOHM @ 1,5A, 10V 2V @ 6,3µA 2,9 NC @ 10 V ± 20V 294 PF @ 15 V - 500mw (TA)
IRFML8244TRPBF Infineon Technologies Irfml8244trpbf 0.4400
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 ECAD 65 0,00000000 Infineon Technologies Hexfet® Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 236-3, SC-59, SOT-23-3 Irfml8244 MOSFET (Oxyde Métallique) SOT-23 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal n 25 V 5.8A (TA) 4,5 V, 10V 24MOHM @ 5.8A, 10V 2,35 V @ 10µA 5.4 NC @ 10 V ± 20V 430 pf @ 10 V - 1.25W (TA)
92-0065 Infineon Technologies 92-0065 -
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 ECAD 7957 0,00000000 Infineon Technologies - Tube Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 Irg4bc Standard 160 W À 220ab télécharger Rohs non conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 50 - 600 V 60 A 1,5 V @ 15V, 31A
IRG4BC20K-S Infineon Technologies Irg4bc20k-s -
RFQ
 ECAD 2205 0,00000000 Infineon Technologies - Tube Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab Standard 60 W D2pak télécharger Rohs non conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté * IRG4BC20K-S EAR99 8541.29.0095 50 480v, 9a, 50 ohms, 15v - 600 V 16 A 32 A 2,8 V @ 15V, 9A 150 µJ (ON), 250µJ (OFF) 34 NC 28NS / 150NS
IRG4BC30FD-S Infineon Technologies Irg4bc30fd-s -
RFQ
 ECAD 5962 0,00000000 Infineon Technologies - Tube Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab Standard 100 W D2pak télécharger Rohs non conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté * Irg4bc30fd-s EAR99 8541.29.0095 50 480V, 17A, 23OHM, 15V 42 ns - 600 V 31 A 120 A 1,8 V @ 15V, 17A 630 µJ (ON), 1 39MJ (OFF) 51 NC 42ns / 230ns
IRG4PC20U Infineon Technologies Irg4pc20u -
RFQ
 ECAD 8321 0,00000000 Infineon Technologies - Sac Obsolète - Par le trou À 247-3 Irg4pc20 Standard 60 W À 247AC télécharger Rohs non conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté * IRG4PC20U EAR99 8541.29.0095 25 480v, 6,5a, 50 ohms, 15v - 600 V 13 A 52 A 2.1V @ 15V, 6.5a 100 µJ (ON), 120µJ (OFF) 27 NC 21NS / 86NS
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