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Produits semi-conduurs discrètes (16626)

Image Numéro de Produit Prix ​​(USD) Quantité ECAD Quantité disponible Poids (kg) MFR Série Peigner ÉTAT DU PRODUIT Température de fonctionnels Type de Montage Package / ÉTUI Numéro de Protuit de Base Type d'entrée Technologie Power - Max Saisir Forfait de Périphérique Fournisseur Fiche de Donnés Statt Rohs Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) Statt de Portée Noms Autres ECCN HTSUS Norme de package Configuration Taper fet Courant - Max Condition de test Gagner Égoutter la tension de la source (VDSS) Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) RDS SUR (MAX) @ ID, VGS Vgs (th) (max) @ id Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS VGS (max) Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds FET FONCTION Dissipation de Puisse (max) Temps de réménage inversé (TRR) Capacité @ vr, f Type igbt Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) Courant - Collectionneur (IC) (Max) COURANT - COPEUR PULSÉ (ICM) Vce (on) (max) @ vge, ic Commutation d'Énergie Charge de Porte TD (On / Off) à 25 ° C Type de diode Tension - Pic inverse (max) COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) Thermistance NTC Capacité d'entrée (cies) @ vce Résistance @ si, f Type de transistor Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE FRÉQUENCE - transition Figure de Bruit (db typ @ f) Rapport de capacité Condition de rapport de capacité Q @ VR, F
IRFS7530-7PPBF Infineon Technologies IRFS7530-7PPBF -
RFQ
 ECAD 9100 0,00000000 Infineon Technologies Hexfet®, Strongirfet ™ Tube Abandonné à sic -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface À 263-7, d²pak (6 leads + onglet) MOSFET (Oxyde Métallique) D2pak (7-lead) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté SP001565236 EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 60 V 240a (TC) 6v, 10v 1,4 mohm @ 100a, 10v 3,7 V @ 250µA 354 NC @ 10 V ± 20V 12960 PF @ 25 V - 375W (TC)
IPB80N04S3-04 Infineon Technologies IPB80N04S3-04 1.4200
RFQ
 ECAD 225 0,00000000 Infineon Technologies Automotive, AEC-Q101, Optimos ™ En gros Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface À 263-4, d²pak (3 leads + tab), à 263aa MOSFET (Oxyde Métallique) PG à263-3-1 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 0000.00.0000 225 Canal n 40 V 80A (TC) 4.1MOHM @ 80A, 10V 4V @ 90µA 80 NC @ 10 V ± 20V 5200 pf @ 25 V - 136W (TC)
FP30R06W1E3PBPSA1 Infineon Technologies Fp30r06w1e3pbpsa1 49.4040
RFQ
 ECAD 8161 0,00000000 Infineon Technologies * Plateau Actif - Rohs3 conforme Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 30
BFP420H6433 Infineon Technologies BFP420H6433 0,1800
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 ECAD 80 0,00000000 Infineon Technologies - En gros Actif 150 ° C (TJ) Support de surface SC-82A, SOT-343 210MW PG-Sot343-4-2 télécharger Non applicable 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.21.0075 10 000 21 dB 4,5 V 60m NPN 60 @ 20mA, 4V 25 GHz 1,1 dB à 1,8 GHz
BB689H7908XTSA1 Infineon Technologies Bb689h7908xtsa1 -
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 ECAD 6421 0,00000000 Infineon Technologies - Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface SC-80 BB689 SCD-80 télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0070 3 000 2,9pf @ 28v, 1MHz Célibataire 30 V 23.2 C1 / C28 -
IRGPH40F Infineon Technologies Irgph40f -
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 ECAD 2712 0,00000000 Infineon Technologies - Sac Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 Standard 160 W À 247AC télécharger Rohs non conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 25 - 1200 V 29 A 3,3 V @ 15V, 17A
BFR193FH6327 Infineon Technologies BFR193FH6327 0,0800
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 ECAD 99 0,00000000 Infineon Technologies Automobile, AEC-Q101 En gros Actif 150 ° C (TJ) Support de surface SOT-723 580mw PG-TSFP-3-1 télécharger Non applicable 1 (illimité) Vendeur indéfini EAR99 8541.21.0075 3 000 19 dB 12V 80m NPN 70 @ 30mA, 8v 8 GHz 1 dB ~ 1,6 dB à 900 MHz ~ 1,8 GHz
IHD10N60RA Infineon Technologies Ihd10n60ra -
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 ECAD 9485 0,00000000 Infineon Technologies Trenchstop® Ruban Adhésif (tr) Obsolète -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 Standard 110 W PG à252-3-11 télécharger 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 2 500 400V, 10A, 23OHM, 15V Tranché 600 V 20 a 30 A 1,9 V @ 15V, 10A 270 µJ 62 NC - / 170ns
IKFW75N60ETXKSA1 Infineon Technologies IKFW75N60ETXKSA1 8.2497
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 ECAD 3329 0,00000000 Infineon Technologies TRENCHSTOP ™ Tube Actif -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 IKFW75 Standard 178 W Pg à247-3-ai télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 240 400V, 75A, 5OHM, 15V 107 ns Arête du Champ de Tranché 600 V 80 A 225 A 2v @ 15v, 75a 2,7MJ (on), 2 35J (off) 440 NC 33ns / 340ns
FZ800R12KF5NOSA1 Infineon Technologies FZ800R12KF5NOSA1 640.9100
RFQ
 ECAD 92 0,00000000 Infineon Technologies * En gros Actif télécharger Non applicable 1 (illimité) Vendeur indéfini EAR99 8541.29.0095 1
BAR5003WE6327HTSA1 Infineon Technologies Bar5003we6327htsa1 -
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 ECAD 4691 0,00000000 Infineon Technologies - Ruban Adhésif (tr) Obsolète 150 ° C (TJ) SC-76, SOD-323 Bar50 PG-SOD323-2 télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0070 3 000 100 mA 250 MW 0,4pf @ 5v, 1 MHz Broche - simple 50v 4,5 ohm @ 10mA, 100mhz
FS13MR12W2M1HB70BPSA1 Infineon Technologies FS13MR12W2M1HB70BPSA1 340.0700
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 ECAD 15 0,00000000 Infineon Technologies Coolsic ™ Plateau Actif - - - Standard - - Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 15 Onduleur Triphasé - 1200 V - Non
IRF7862TRPBF Infineon Technologies Irf7862trpbf 1.2300
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 ECAD 14 0,00000000 Infineon Technologies Hexfet® Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) IRF7862 MOSFET (Oxyde Métallique) 8-so télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 4 000 Canal n 30 V 21A (TA) 4,5 V, 10V 3,7MOHM @ 20A, 10V 2,35 V @ 100µA 45 NC @ 4,5 V ± 20V 4090 PF @ 15 V - 2.5W (TA)
DF200R12W1H3B27BOMA1 Infineon Technologies DF200R12W1H3B27BOMA1 72.2225
RFQ
 ECAD 7929 0,00000000 Infineon Technologies - Plateau Actif -40 ° C ~ 150 ° C Soutenir de châssis Module DF200R12 375 W Standard Module télécharger Rohs3 conforme Non applicable Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 24 2 indépendant - 1200 V 30 A 1,3 V @ 15V, 30A 1 mA Oui 2 nf @ 25 V
IRL3715 Infineon Technologies IRL3715 -
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 ECAD 9062 0,00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tube Obsolète -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220ab télécharger Rohs non conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté * IRL3715 EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 20 V 54A (TC) 4,5 V, 10V 14MOHM @ 26A, 10V 3V à 250µA 17 NC @ 4,5 V ± 20V 1060 pf @ 10 V - 3.8W (TA), 71W (TC)
SPA07N60C3XKSA1 Infineon Technologies SPA07N60C3XKSA1 2.7300
RFQ
 ECAD 8938 0,00000000 Infineon Technologies CoolMos ™ Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 EXCHET SPA07N60 MOSFET (Oxyde Métallique) PG à220-3-31 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 650 V 7.3a (TC) 10V 600mohm @ 4.6a, 10v 3,9 V @ 250µA 27 NC @ 10 V ± 20V 790 pf @ 25 V - 32W (TC)
IRF7663TR Infineon Technologies Irf7663tr -
RFQ
 ECAD 9098 0,00000000 Infineon Technologies - Ruban de Coupé (CT) Obsolète Support de surface 8-TSSOP, 8 MSOP (0,118 ", 3,00 mm de grand) MOSFET (Oxyde Métallique) Micro8 ™ télécharger Rohs non conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 4 000 Canal p 20 V 8.2a (TA) 20MOHM @ 7A, 4,5 V 1,2 V à 250µA 45 NC @ 5 V 2520 PF @ 10 V -
IRGIB4620DPBF Infineon Technologies Irgib4620dpbf -
RFQ
 ECAD 7180 0,00000000 Infineon Technologies - Tube Obsolète -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 EXCHET Standard 140 W PG à 220-FP télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté SP001545068 EAR99 8541.29.0095 50 400V, 12A, 22OHM, 15V 68 ns NPT 600 V 32 A 36 A 1,85 V @ 15V, 12A 185µJ (ON), 355µJ (OFF) 25 NC 31NS / 83NS
IPA50R190CE Infineon Technologies IPA50R190CE -
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 ECAD 4418 0,00000000 Infineon Technologies CoolMos ™ Tube Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 EXCHET IPA50R MOSFET (Oxyde Métallique) PG à 220-FP télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 500 Canal n 500 V 18,5A (TC) 13V 190mohm @ 6.2a, 13v 3,5 V @ 510µA 47.2 NC @ 10 V ± 20V 1137 pf @ 100 V - 32W (TC)
IQE018N06NM6SCATMA1 Infineon Technologies IQE018N06NM6SCATMA1 1.1992
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 ECAD 5918 0,00000000 Infineon Technologies * Ruban Adhésif (tr) Actif - Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté 448-IQE018N06NM6SCATMA1TR 6 000
SPD01N60C3BTMA1 Infineon Technologies SPD01N60C3BTMA1 -
RFQ
 ECAD 5481 0,00000000 Infineon Technologies CoolMos ™ Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 SPD01N MOSFET (Oxyde Métallique) PG à252-3-11 télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 2 500 Canal n 650 V 800mA (TC) 10V 6OHM @ 500mA, 10V 3,9 V @ 250µA 5 NC @ 10 V ± 20V 100 pf @ 25 V - 11W (TC)
SPB21N10 G Infineon Technologies SPB21N10 G -
RFQ
 ECAD 1172 0,00000000 Infineon Technologies Sipmos® Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab SPB21N MOSFET (Oxyde Métallique) PG à263-3-2 télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 1 000 Canal n 100 V 21A (TC) 10V 80MOHM @ 15A, 10V 4V @ 44µA 38,4 NC @ 10 V ± 20V 865 pf @ 25 V - 90W (TC)
IPD25N06S4L30ATMA1 Infineon Technologies IPD25N06S4L30ATMA1 -
RFQ
 ECAD 3641 0,00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Ruban Adhésif (tr) Abandonné à sic -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 Ipd25n MOSFET (Oxyde Métallique) PG à252-3-11 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 2 500 Canal n 60 V 25a (TC) 4,5 V, 10V 30 mohm @ 25a, 10v 2,2 V @ 8µA 16.3 NC @ 10 V ± 16V 1220 PF @ 25 V - 29W (TC)
BA595E6433HTMA1 Infineon Technologies BA595E6433HTMA1 -
RFQ
 ECAD 4947 0,00000000 Infineon Technologies - Ruban Adhésif (tr) Obsolète 150 ° C (TJ) SC-76, SOD-323 BA595 PG-SOD323-2 télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0070 10 000 50 mA 0,6 PF @ 10V, 1 MHz Broche - simple 50v 7OHM @ 10mA, 100MHz
IPI041N12N3GAKSA1 Infineon Technologies IPI041N12N3GAKSA1 6.3500
RFQ
 ECAD 500 0,00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tube Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou À 262-3 longs longs, i²pak, à 262aa Ipi041 MOSFET (Oxyde Métallique) PG à 262-3 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 120 V 120A (TC) 10V 4.1MOHM @ 100A, 10V 4V @ 270µA 211 NC @ 10 V ± 20V 13800 pf @ 60 V - 300W (TC)
SPP08N80C3XKSA1 Infineon Technologies SPP08N80C3XKSA1 2.9900
RFQ
 ECAD 8291 0,00000000 Infineon Technologies CoolMos ™ Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 SPP08N80 MOSFET (Oxyde Métallique) PG à 220-3 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 800 V 8A (TC) 10V 650mohm @ 5.1a, 10v 3,9 V @ 470µA 60 NC @ 10 V ± 20V 1100 pf @ 100 V - 104W (TC)
BB844E6327HTSA1 Infineon Technologies BB844E6327HTSA1 0 4600
RFQ
 ECAD 3915 0,00000000 Infineon Technologies - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 236-3, SC-59, SOT-23-3 BB844E6327 PG-Sot23 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0070 3 000 13pf @ 8v, 1mhz 1 paire la commune de cathode 18 V 3.8 C2 / C8 -
BSC200P03LSGAUMA1 Infineon Technologies Bsc200p03lsgauma1 -
RFQ
 ECAD 1921 0,00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 8-PowerTDFN MOSFET (Oxyde Métallique) PG-TDSON-8-1 télécharger 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 5 000 Canal p 30 V 9.9A (TA), 12.5A (TC) 10V 20MOHM @ 12.5A, 10V 2,2 V @ 100µA 48,5 NC @ 10 V ± 25V 2430 pf @ 15 V - 2.5W (TA), 63W (TC)
IRG6S320UTRRPBF Infineon Technologies Irg6s320urrpbf -
RFQ
 ECAD 2055 0,00000000 Infineon Technologies - Ruban Adhésif (tr) Obsolète -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab IRG6S320U Standard 114 W D2pak télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 50 196V, 12A, 10OHM Tranché 330 V 50 a 1,65 V @ 15V, 24A - 46 NC 24ns / 89ns
AUIRGP4063D Infineon Technologies Auirgp4063d -
RFQ
 ECAD 1609 0,00000000 Infineon Technologies - Tube Obsolète -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 Auirgp4063 Standard 330 W À 247AC télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 400 400V, 48A, 10OHM, 15V 115 ns Tranché 600 V 100 A 144 A 1,9 V @ 15V, 48A 625µJ (ON), 1 28MJ (OFF) 140 NC 60ns / 145ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume de RFQ moyen quotidien

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Unité de produit standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricants mondiaux

  • In-stock Warehouse

    15 000 m2

    Entrepôt en stock

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AD9208BBPZ-3000

Tampon exposé de 196-LFBGA

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