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Produits semi-conduurs discrètes (16626)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Fuseau	Numéro de Protuit de Base	Type d'entrée	Technologie	Power - Max	Structure	Saisir	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Configuration	Vitre	Taper fet	Courant - Max	Courant - Hold (IH) (Max)	Condition de test	Actualiser	Tension	Tension - isolement	Égoutter la tension de la source (VDSS)	Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C	Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS)	RDS SUR (MAX) @ ID, VGS	Vgs (th) (max) @ id	Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS	VGS (max)	Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds	FET FONCTION	Dissipation de Puisse (max)	Tension - Hors de l'ÉTAT	COURANT - À L'ÉTAT (IT (RMS)) (Max)	Tension - Trigger de la Porte (VGT) (Max)	COURANT - Non-Répérée 50, 60Hz (ITSM)	Courant - Trigger de la Porte (IGT) (Max)	COURANT - À L'ÉTAT (IT (AV)) (Max)	Temps de réménage inversé (TRR)	Température de FonctionNement - Jonction	Current - Rectifié Moyen (IO)	Capacité @ vr, f	Nombre de Scr, Diodes	Type igbt	Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max)	Courant - Collectionneur (IC) (Max)	COURANT - COPEUR PULSÉ (ICM)	Vce (on) (max) @ vge, ic	Commutation d'Énergie	Charge de Porte	TD (On / Off) à 25 ° C	Type de diode	Tension - Pic inverse (max)	COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX)	Thermistance NTC	Capacité d'entrée (cies) @ vce	Résistance @ si, f	Type de transistor	VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC	Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE	FRÉQUENCE - transition
Irfh5210tr2pbf	-	RFQ	5309	Infineon Technologies	-	Ruban de Coupé (CT)	Obsolète		Support de surface	8 powervdfn				MOSFET (Oxyde Métallique)				8-pqfn (5x6)	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	400			Canal n							100 V	10A (TA), 55A (TC)		14.9MOHM @ 33A, 10V	4V @ 100µA	59 NC @ 10 V		2570 pf @ 25 V	-
BAR63-05E6327	-	RFQ	1808	Infineon Technologies	-	En gros	Actif	150 ° C (TJ)		À 236-3, SC-59, SOT-23-3								PG-Sot23	télécharger					EAR99	8541.10.0070	1				100 mA															250 MW										0,3pf @ 5v, 1MHz										Broche - 1 paire Cathode Commune	50v				-
IPA60R650CEE8210XKSA1	-	RFQ	8037	Infineon Technologies	CoolMos ™	En gros	Obsolète	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3 EXCHET				MOSFET (Oxyde Métallique)				PG à 220 EXCHET	-			Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1			Canal n							600 V	9.9a (TC)	10V	650 mohm @ 2,4a, 10v	3,5 V @ 200µA	20,5 NC @ 10 V	± 20V	440 PF @ 100 V	-	28W (TC)
Irams10up60b	-	RFQ	7173	Infineon Technologies	Imotion ™	Tube	Obsolète		Par le trou	Module 23-Powersip, 19 pistes, Plombs Formes	Igbt								télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.39.0001	80	3 phase						10 a	600 V	2000 VRM
BFN18H6327XTSA1	0 2440	RFQ	5050	Infineon Technologies	Automobile, AEC-Q101	Ruban Adhésif (tr)	Acheter la Dernière	150 ° C (TJ)	Support de surface	À 243aa		BFN18			1,5 w			PG-Sot89	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0075	1 000																																300 V	200 mA								100NA (ICBO)				NPN	500 mV @ 2MA, 20mA	30 @ 30mA, 10V	70 MHz
FS400R07A1E3S7BOMA1	360.8100	RFQ	15	Infineon Technologies	HybridPack ™	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	Module		FS400R07			1250 W		Redredeur de pont en trois phases	Ag-hybrid1-1	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	16	ONDULEUR DE PONT ACHET																														Arête du Champ de Tranché	705 V	500 A		1,7 V @ 15V, 400A						100 µA	Oui	28 nf @ 25 V
Ipd70r1k4ceauma1	0,8200	RFQ	2771	Infineon Technologies	Coolmos ™ ce	Ruban Adhésif (tr)	Pas de designs les nouveaux	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63		Ipd70		MOSFET (Oxyde Métallique)				PG à 252-3	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	2 500			Canal n							700 V	5.4a (TC)	10V	1,4 ohm @ 1a, 10v	3,5 V @ 130µA	10,5 NC @ 10 V	± 20V	225 PF @ 100 V	-	53W (TC)
Irf7465trpbf	1.0800	RFQ	7	Infineon Technologies	Hexfet®	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)		IRF7465		MOSFET (Oxyde Métallique)				8-so	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	4 000			Canal n							150 V	1.9A (TA)	10V	280MOHM @ 1.14A, 10V	5,5 V @ 250µA	15 NC @ 10 V	± 30V	330 pf @ 25 V	-	2.5W (TA)
IPI80N04S3-04	-	RFQ	8281	Infineon Technologies	*	En gros	Obsolète												télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	370
BC817K-16WH6327	-	RFQ	3355	Infineon Technologies	Automobile, AEC-Q101	En gros	Actif	150 ° C (TJ)	Support de surface	SC-70, SOT-323		BC817			500 MW			PG-Sot323-3-1	télécharger	Non applicable	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0075	3 000																																45 V	500 mA								100NA (ICBO)					700 mV à 50ma, 500mA	100 @ 100mA, 1v	170 MHz
IRl2505strrpbf	-	RFQ	7924	Infineon Technologies	Hexfet®	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab				MOSFET (Oxyde Métallique)				D2pak	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	800			Canal n							55 V	104A (TC)	4V, 10V	8MOHM @ 54A, 10V	2V à 250µA	130 NC @ 5 V	± 16V	5000 pf @ 25 V	-	3.8W (TA), 200W (TC)
IM828XCCXKMA1	167.7600	RFQ	3456	Infineon Technologies	CIPOS ™	Tube	Actif		Par le trou	Module 24-Powerdip (1 094 ", 27,80 mm)	Igbt	IM828							télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.39.0001	14	Onduleur Triphasé						35 A	1,2 kV	2500 VRM
Fs20r06xl4boma1	-	RFQ	8880	Infineon Technologies	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 125 ° C	Soutenir de châssis	Module		FS20R06			89 W		Standard	AG-Easy750-1	-		Vendeur indéfini	Atteindre non affecté	SP000100283	EAR99	8541.29.0095	1	Onduleur Triphasé																														-	600 V	26 A		2 55 V @ 15V, 20A						5 mA	Oui	900 pf @ 25 V
TD250N14KOFHPSA1	-	RFQ	1921	Infineon Technologies	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 125 ° C	Soutenir de châssis	Module		TD250N14				Connexion de la Séririe - SCR / Diode			télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.30.0080	3					300 mA															1,8 kV	410 A	2 V	8000A @ 50hz	200 mA	250 A					1 SCR, 1 Diode
Ff600r12ke7bpsa1	310.8200	RFQ	2224	Infineon Technologies	C	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	Module		FF600R12					Standard	AG-62mmhb	-	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	10	Onduleur de Demi-pont																														Arête du Champ de Tranché	1200 V	600 A		1,75 V @ 15V, 600A						100 µA	Non	92.3 NF @ 25 V
SPB11N60S5ATMA1	-	RFQ	1107	Infineon Technologies	CoolMos ™	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab		SPB11N		MOSFET (Oxyde Métallique)				PG à263-3-2	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1 000			Canal n							600 V	11a (TC)	10V	380MOHM @ 7A, 10V	5,5 V @ 500µA	54 NC @ 10 V	± 20V	1460 pf @ 25 V	-	125W (TC)
Bsc0902nsiatma1	1.2400	RFQ	28	Infineon Technologies	Optimos ™	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-PowerTDFN		BSC0902		MOSFET (Oxyde Métallique)				PG-TDSON-8-6	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	5 000			Canal n							30 V	23A (TA), 100A (TC)	4,5 V, 10V	2,8MOHM @ 30A, 10V	2v @ 10mA	32 NC @ 10 V	± 20V	1500 pf @ 15 V	-	2.5W (TA), 48W (TC)
FP35R12KT4BPSA1	119.9300	RFQ	38	Infineon Technologies	Econopim ™ 2	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	Module		Fp35r12			210 W		Redredeur de pont en trois phases	AG-ECONO2-8	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	15	Onduleur Triphasé																														Arête du Champ de Tranché	1200 V	25 A		2.25V @ 15V, 35A						1 mA	Oui	2 nf @ 25 V
Gateleadwhrd762xpsa1	29.6100	RFQ	6916	Infineon Technologies	-	Plateau	Actif		-	-		Gateleadwhrd762		-				-	-	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté			0000.00.0000	1		-																									-	-	-
IPD60R170CFD7ATMA1	3.2500	RFQ	6174	Infineon Technologies	CoolMos ™ CFD7	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63		Ipd60r		MOSFET (Oxyde Métallique)				PG à 252-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	2 500			Canal n							600 V	14A (TC)	10V	170MOHM @ 6A, 10V	4,5 V @ 300µA	28 NC @ 10 V	± 20V	1199 PF @ 400 V	-	76W (TC)
BAT62-02WE6327	-	RFQ	3164	Infineon Technologies	*	En gros	Actif												-	Non applicable	1 (illimité)	Vendeur indéfini		EAR99	8541.10.0070	3 000
FF1800R17IP5BPSA1	1 0000	RFQ	8	Infineon Technologies	Econodual ™ 3	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 125 ° C	Soutenir de châssis	Module		FF1800					Standard	Module	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	2	Onduleur de Demi-pont																														Arête du Champ de Tranché	1200 V	300 A		2.15V @ 15V, 300A						5 mA	Non	21 nf @ 25 V
IGW08T120FKSA1	3.6300	RFQ	240	Infineon Technologies	Trenchstop®	Tube	Pas de designs les nouveaux	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3		IGW08T120	Standard		70 W			PG à247-3-1	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	30						600V, 8A, 81OHM, 15V																									NPT, Trench Field Stop	1200 V	16 A	24 A	2.2V @ 15V, 8A	1 37mJ	53 NC	40ns / 450ns
SMBT 3906 E6767	-	RFQ	5600	Infineon Technologies	-	Ruban Adhésif (tr)	Abandonné à sic	150 ° C (TJ)	Support de surface	À 236-3, SC-59, SOT-23-3		SMBT 3906			330 MW			PG-Sot23	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0075	3 000																																40 V	200 mA								50NA (ICBO)				Pnp	400 MV à 5MA, 50mA	100 @ 10mA, 1V	250 MHz
IPB60R199CPATMA1	4.6000	RFQ	1	Infineon Technologies	CoolMos ™ CP	Ruban Adhésif (tr)	Pas de designs les nouveaux	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab		IPB60R199		MOSFET (Oxyde Métallique)				PG à263-3-2	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1 000			Canal n							600 V	16A (TC)	10V	199MOHM @ 9.9A, 10V	3,5 V @ 660µA	43 NC @ 10 V	± 20V	1520 pf @ 100 V	-	139W (TC)
Ff600r12ke4pbosa1	322.8400	RFQ	3	Infineon Technologies	C	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	Module		FF600R12					Standard	AG-62mm-1	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	8	2 indépendant																														Arête du Champ de Tranché	1200 V	600 A		2.2 V @ 15V, 600A						5 mA	Non	38 nf @ 25 V
BSD235N L6327	-	RFQ	3190	Infineon Technologies	Automotive, AEC-Q101, Optimos ™ 2	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	6-VSSOP, SC-88, SOT-363		BSD235		MOSFET (Oxyde Métallique)	500mw			Pg-sot363-po	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	3 000	2 Canaux N (double)									20V	950m		350mohm @ 950mA, 4,5 V	1,2 V @ 1,6µA	0,32nc à 4,5 V		63pf @ 10v	Porte de Niveau Logique
FF300R17ME4PB11BPSA1	269.0100	RFQ	8020	Infineon Technologies	Econodual ™ 3	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 150 ° C	Soutenir de châssis	Module		FF300R17			20 MW		Standard	Module	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	6	Demi-pont																														Arête du Champ de Tranché	1700 V	600 A		2.3 V @ 15V, 300A						3 mA	Oui	24,5 nf @ 25 V
IRG8P50N120KD-EPBF	-	RFQ	2315	Infineon Technologies	-	Tube	Obsolète	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3		Irg8p	Standard		350 W			À 247ad	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	SP001546104	EAR99	8541.29.0095	25						600V, 35A, 5OHM, 15V																				170 ns					-	1200 V	80 A	105 A	2V @ 15V, 35A	2,3MJ (on), 1,9mJ (off)	315 NC	35ns / 190ns
FD600R17KE3KB5NOSA1	-	RFQ	6823	Infineon Technologies	Easypack ™	En gros	Actif	-40 ° C ~ 125 ° C	Soutenir de châssis	Module		FD600R17			4300 W		Standard	Module	-	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	2	Hélicoptère																														-	1700 V			2,45 V @ 15V, 600A						5 mA	Non	54 NF @ 25 V