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Produits semi-conduurs discrètes (16626)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Fuseau	Numéro de Protuit de Base	Type d'entrée	Technologie	Power - Max	Structure	Saisir	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Configuration	Vitre	Taper fet	Courant - Hold (IH) (Max)	Condition de test	Actualiser	Tension	Tension - isolement	Égoutter la tension de la source (VDSS)	Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C	Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS)	RDS SUR (MAX) @ ID, VGS	Vgs (th) (max) @ id	Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS	VGS (max)	Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds	FET FONCTION	Dissipation de Puisse (max)	Tension - Hors de l'ÉTAT	COURANT - À L'ÉTAT (IT (RMS)) (Max)	Tension - Trigger de la Porte (VGT) (Max)	COURANT - Non-Répérée 50, 60Hz (ITSM)	Courant - Trigger de la Porte (IGT) (Max)	COURANT - À L'ÉTAT (IT (AV)) (Max)	Tension - DC inverse (VR) (max)	Tension - en Avant (vf) (max) @ si	Temps de réménage inversé (TRR)	Courant - FUITE INVERSEE @ VR	Température de FonctionNement - Jonction	Current - Rectifié Moyen (IO)	Capacité @ vr, f	Nombre de Scr, Diodes	Type igbt	Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max)	Courant - Collectionneur (IC) (Max)	COURANT - COPEUR PULSÉ (ICM)	Vce (on) (max) @ vge, ic	Commutation d'Énergie	Charge de Porte	TD (On / Off) à 25 ° C	COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX)	Thermistance NTC	Capacité d'entrée (cies) @ vce	Type de transistor	VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC	Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE	FRÉQUENCE - transition	RÉSISTANCE - BASE (R1)	Résistance - Base d'Emetteur (R2)
IKW75N60TA	-	RFQ	6488	Infineon Technologies	TRENCHSTOP ™	En gros	Actif	-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3			Standard		428 W			PG à247-3-41	télécharger					EAR99	8542.39.0001	1					400V, 75A, 5OHM, 15V																						121 ns						Arête du Champ de Tranché	600 V	80 A	225 A	2v @ 15v, 75a	2MJ (on), 2,5mj (off)	470 NC	33NS / 330NS
BCR198E6433HTMA1	0,0517	RFQ	4365	Infineon Technologies	-	Ruban Adhésif (tr)	Acheter la Dernière		Support de surface	À 236-3, SC-59, SOT-23-3		BCR198			200 MW			PG-Sot23	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0075	10 000																																		50 V	100 mA						100NA (ICBO)			PNP - Pré-biaisé	300 mV à 500 µA, 10mA	70 @ 5mA, 5V	190 MHz	47 kohms	47 kohms
SPD15P10PLGBTMA1	2.2600	RFQ	9	Infineon Technologies	Sipmos®	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63		SPD15P10		MOSFET (Oxyde Métallique)				PG à 252-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	2 500			Canal p						100 V	15A (TC)	4,5 V, 10V	200 mohm @ 11,3a, 10v	2v @ 1,54 mA	62 NC @ 10 V	± 20V	1490 pf @ 25 V	-	128W (TC)
SPI20N65C3	-	RFQ	6796	Infineon Technologies	*	En gros	Actif												-	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1
IRAMX20UP60A-2	-	RFQ	4736	Infineon Technologies	Imotion ™	Tube	Obsolète		Par le trou	Module 23-Powersip, 19 pistes, Plombs Formes	Igbt								télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.39.0001	80	3 phase					20 a	600 V	2000 VRM
Irg7pg35upbf	-	RFQ	6490	Infineon Technologies	-	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3		Irg7pg	Standard		210 W			À 247AC	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	SP001541454	EAR99	8541.29.0095	25					600V, 20A, 10OHM, 15V																												Tranché	1000 V	55 A	60 A	2.2V @ 15V, 20A	1 06MJ (ON), 620µJ (OFF)	85 NC	30ns / 160ns
F4200R17N3E4B58BPSA1	371.6300	RFQ	8	Infineon Technologies	Easypack ™ 3	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	Module		F4200R			20 MW		Redredeur de pont en trois phases	AG-ECONO3B	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	10	ONDULEUR DE PONT ACHET																																Arête du Champ de Tranché	1700 V	200 A		2.3V @ 15V, 200A				1 mA	Oui	16 nf @ 25 V
D400N16BXPSA1	-	RFQ	4624	Infineon Technologies	-	En gros	Obsolète		Soutien	DO-205AA, DO-8, Stud		D400n		Standard				-	télécharger		Non applicable	Atteindre non affecté		EAR99	8541.10.0080	1		Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO)																							1600 V			40 mA @ 1600 V	-40 ° C ~ 180 ° C	450a	-
Ipi50r399cpxksa2	-	RFQ	5521	Infineon Technologies	CoolMos ™	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 262-3 longs longs, i²pak, à 262aa		IPI50R399		MOSFET (Oxyde Métallique)				PG à 262-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	500			Canal n						500 V	9A (TC)	10V	399MOHM @ 4.9A, 10V	3,5 V @ 330 µA	23 NC @ 10 V	± 20V	890 pf @ 100 V	-	83W (TC)
SPP80N06S2L-11	-	RFQ	5782	Infineon Technologies	Optimos ™	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3		SPP80N		MOSFET (Oxyde Métallique)				PG à220-3-1	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	500			Canal n						55 V	80A (TC)	4,5 V, 10V	11MOHM @ 40A, 10V	2V @ 93µA	80 NC @ 10 V	± 20V	2650 pf @ 25 V	-	158W (TC)
IDD04SG60CHUMA1	-	RFQ	6008	Infineon Technologies	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète					Idd04sg60							télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	SP000607030	EAR99	8541.10.0080	2 500
FZ1800R17HP4B29BOSA2	1 0000	RFQ	6478	Infineon Technologies	IHM-B	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	Module		FZ1800			11500 W		Standard	AG-IHMB190	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1	Commaileur unique																																Arête du Champ de Tranché	1700 V	1800 A		2.25V @ 15V, 1,8KA				5 mA	Non	145 NF @ 25 V
Irfhm8337trpbf	-	RFQ	5125	Infineon Technologies	Hexfet®	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-PowerTDFN				MOSFET (Oxyde Métallique)				8-pqfn (3,3x3,3), PUISSANCE33	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	4 000			Canal n						30 V	12A (TA)	4,5 V, 10V	12.4MOHM @ 12A, 10V	2,35 V @ 25µA	8.1 NC @ 4,5 V	± 20V	755 PF @ 15 V	-	2.8W (TA), 25W (TC)
Irg4rc10kdtrpbf	-	RFQ	8770	Infineon Technologies	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63		Irg4rc10	Standard		38 W			D-pak	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	2 000					480v, 5a, 100 ohms, 15v																						28 ns						-	600 V	9 A	18 a	2,62 V @ 15V, 5A	250 µJ (ON), 140µJ (OFF)	19 NC	49ns / 97ns
SIDC06D120H8X1SA2	-	RFQ	7658	Infineon Technologies	-	En gros	Actif		Support de surface	Mourir		SIDC06D120		Standard				Scion sur le papier d'Aluminium	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	SP000527596	EAR99	8541.10.0080	1		Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO)																							1200 V	1,97 V @ 7,5 A		27 µA à 1200 V	-40 ° C ~ 175 ° C	7.5a	-
Bsc030p03ns3gauma1	2.8000	RFQ	37	Infineon Technologies	Optimos ™	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-PowerTDFN		BSC030		MOSFET (Oxyde Métallique)				PG-TDSON-8-1	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	5 000			Canal p						30 V	25.4A (TA), 100A (TC)	6v, 10v	3MOHM @ 50A, 10V	3,1 V @ 345µA	186 NC @ 10 V	± 25V	14000 pf @ 15 V	-	2.5W (TA), 125W (TC)
IPB80P04P407ATMA1	-	RFQ	2393	Infineon Technologies	Automotive, AEC-Q101, Optimos ™	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab		Ipb80p		MOSFET (Oxyde Métallique)				PG à263-3-2	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1 000			Canal p						40 V	80A (TC)	10V	7,4MOHM @ 80A, 10V	4V à 150µA	89 NC @ 10 V	± 20V	6085 PF @ 25 V	-	88W (TC)
Irf7343qtrpbf	-	RFQ	9892	Infineon Technologies	-	Ruban de Coupé (CT)	Obsolète		Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)		IRF734		MOSFET (Oxyde Métallique)	2W			8-so	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	4 000	Canal n et p								55V	4.7a, 3.4a		50MOHM @ 4.7A, 10V	1V @ 250µA	36nc @ 10v		740pf @ 25v	-
Ipan60r125pfd7sxksa1	2.8800	RFQ	2	Infineon Technologies	CoolMos ™ PFD7	Tube	Actif	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3 EXCHET		Ipan60		MOSFET (Oxyde Métallique)				PG à 220-FP	télécharger	Rohs3 conforme	Non applicable	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	50			Canal n						650 V	25a (TC)	10V	125 mohm @ 7.8a, 10v	4,5 V @ 390µA	36 NC @ 10 V	± 20V	1503 PF @ 400 V	-	32W (TC)
IPLK70R750P7ATMA1	1.3100	RFQ	3018	Infineon Technologies	CoolMos ™ P7	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-	Support de surface	8-PowerTDFN		IPLK70		MOSFET (Oxyde Métallique)				PG-TDSON-8	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	5 000			Canal n						700 V	-	-	-	-		-		-	-
BCR108SE6327BTSA1	-	RFQ	3550	Infineon Technologies	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète		Support de surface	6-VSSOP, SC-88, SOT-363		BCR108			250mw			Pg-sot363-po	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	3 000																																		50v	100 mA						-			2 npn - Pré-biaisé (double)	300 mV à 500 µA, 10mA	70 @ 5mA, 5V	170 MHz	2,2 kohms	47 kohms
ICD22V04X1SA1	-	RFQ	1699	Infineon Technologies	*	En gros	Obsolète												télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	SP000986944	OBSOLÈTE	0000.00.0000	1
Auirl3705Z	-	RFQ	2305	Infineon Technologies	Hexfet®	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3				MOSFET (Oxyde Métallique)				À 220ab	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	SP001519682	EAR99	8541.29.0095	1 000			Canal n						55 V	75A (TC)	4,5 V, 10V	8MOHM @ 52A, 10V	3V à 250µA	60 NC @ 5 V	± 16V	2880 pf @ 25 V	-	130W (TC)
Auirlr3915trl	-	RFQ	4634	Infineon Technologies	Hexfet®	Ruban Adhésif (tr)	Abandonné à sic	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63				MOSFET (Oxyde Métallique)				D-pak (à 252aa)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	SP001520744	EAR99	8541.29.0095	3 000			Canal n						55 V	30a (TC)		14MOHM @ 30A, 10V	3V à 250µA	92 NC @ 10 V		1870 pf @ 25 V	-	120W (TC)
T360N24TOFXPSA1	-	RFQ	3491	Infineon Technologies	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 125 ° C	De serrer	DO-200AA, A-PUK		T360N				Célibataire			télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.30.0080	1				300 mA															2,6 kV	550 A	2 V	5000A @ 50hz	200 mA	360 A								1 SCR
IPB22N03S4L-15ATMA1	-	RFQ	6832	Infineon Technologies	Optimos ™	En gros	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab				MOSFET (Oxyde Métallique)				PG à263-3-2	télécharger	Non applicable	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1 000			Canal n						30 V	22A (TC)	4,5 V, 10V	14.6MOHM @ 22A, 10V	2,2 V @ 10µA	14 NC @ 10 V	± 16V	980 PF @ 25 V	-	31W (TC)
Irf7450tr	-	RFQ	3639	Infineon Technologies	Hexfet®	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)				MOSFET (Oxyde Métallique)				8-so	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	4 000			Canal n						200 V	2.5a (TA)	10V	170MOHM @ 1,5A, 10V	5,5 V @ 250µA	39 NC @ 10 V	± 30V	940 PF @ 25 V	-	2.5W (TA)
Ipd380p06nmatma1	2.3500	RFQ	22	Infineon Technologies	Optimos ™	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63		Ipd380		MOSFET (Oxyde Métallique)				PG à 252-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	2 500			Canal p						60 V	35A (TC)	10V	38MOHM @ 35A, 10V	4V @ 1,7mA	63 NC @ 10 V	± 20V	2500 pf @ 30 V	-	125W (TC)
Ipdq65r029cfd7axtma1	10.1322	RFQ	3239	Infineon Technologies	*	Ruban Adhésif (tr)	Actif												-	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté				750
FS150R07N3E4_B11	182.3800	RFQ	68	Infineon Technologies	-	En gros	Actif	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	Module					430 W		Standard	Module	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	2	Onduleur Triphasé																																Arête du Champ de Tranché	650 V	150 A		1,95 V @ 15V, 150A				1 mA	Oui	9.3 NF @ 25 V