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Produits semi-conduurs discrètes (5251)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Tolérance	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Technologie	Power - Max	Saisir	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Configuration	Vitre	Taper fet	Égoutter la tension de la source (VDSS)	Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C	Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS)	RDS SUR (MAX) @ ID, VGS	Vgs (th) (max) @ id	Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS	VGS (max)	Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds	FET FONCTION	Dissipation de Puisse (max)	Configuration de diode	Tension - DC inverse (VR) (max)	COURANT - RECTIFIÉ MOYEN (IO) (Per Diode)	Tension - en Avant (vf) (max) @ si	Temps de réménage inversé (TRR)	Courant - FUITE INVERSEE @ VR	Température de FonctionNement - Jonction	Current - Rectifié Moyen (IO)	Capacité @ vr, f	Type igbt	Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max)	Courant - Collectionneur (IC) (Max)	Vce (on) (max) @ vge, ic	COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX)	Thermistance NTC	Tension - Zener (NOM) (VZ)	Impédance (max) (ZZT)	Capacité d'entrée (cies) @ vce	Type de transistor	VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC	Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE	FRÉQUENCE - transition	RÉSISTANCE - BASE (R1)	Résistance - Base d'Emetteur (R2)
FJPF13007H1TTU	0,4300	RFQ	75	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif		150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3 EXCHET			40 W		À 220f-3	télécharger					EAR99	8541.29.0095	1																								400 V	8 A		-					NPN	3V @ 2A, 8A	15 @ 2a, 5v	4 MHz
BZX85C10	0,0300	RFQ	98	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	Par le trou	DO-204AL, DO-41, Axial			1 W		DO-204AL (DO-41)	télécharger					EAR99	8541.10.0050	9 072																	1,2 V @ 200 mA		500 na @ 7 V										10 V	7 ohms
KSC2073H2TSTU	1 0000	RFQ	3633	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif		150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3			25 W		À 220-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	0000.00.0000	1																								150 V	1,5 A		10µA (ICBO)					NPN	1V @ 50mA, 500mA	60 @ 500mA, 10V	4 MHz
Ksd471acybu	1 0000	RFQ	6110	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif		150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa)			800 MW		To-92-3	télécharger					EAR99	8542.39.0001	1																								30 V	1 a		100NA (ICBO)					NPN	500 MV à 100MA, 1A	120 @ 100mA, 1V	130 MHz
FQP8N90C	1 0000	RFQ	8403	Semi-conducteur de Fairchild	QFET®	En gros	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3		MOSFET (Oxyde Métallique)			À 220-3	télécharger					EAR99	8542.39.0001	1			Canal n	900 V	6.3A (TC)	10V	1,9 ohm @ 3,15a, 10v	5V @ 250µA	45 NC @ 10 V	± 30V	2080 PF @ 25 V	-	171W (TC)
TIP32CTU	0,2500	RFQ	132	Semi-conducteur de Fairchild	TIP32C	En gros	Actif		150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3			2 W		À 220-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1																								100 V	3 A		300 µA					Pnp	1,2 V @ 375mA, 3A	25 @ 1A, 4V	3 MHz
2N5550TA	0,0400	RFQ	64	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif		150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes			625 MW		To-92-3	télécharger					EAR99	8541.21.0075	8 036																								140 V	600 mA		100NA (ICBO)					NPN	250 mV @ 5mA, 50mA	60 @ 10mA, 5V	300 MHz
BC559	0,0400	RFQ	37	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Obsolète		150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa)			500 MW		To-92-3	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.21.0075	2 000																								30 V	100 mA		15NA (ICBO)					Pnp	650 mV @ 5mA, 100mA	110 @ 2MA, 5V	150 MHz
FDD6632	0.1400	RFQ	17	Semi-conducteur de Fairchild	Ultrafet ™	En gros	Obsolète		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63		MOSFET (Oxyde Métallique)			À 252, (d-pak)	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.29.0095	2 500			Canal n	30 V	9A (TC)	4,5 V, 10V	70MOHM @ 9A, 10V	3V à 250µA	4 NC @ 5 V	± 20V	255 pf @ 15 V	-	15W (TC)
FMG1G75US60L	39.0100	RFQ	52	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Obsolète		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	19 H GA			310 W	Standard	19 H GA	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.29.0095	15	Célibataire																						-	600 V	75 A	2.8V @ 15V, 75A	250 µA	Non			7.056 NF @ 30 V
1N4743atr	0,0300	RFQ	153	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	Par le trou	DO-204AL, DO-41, Axial			1 W		DO-204AL (DO-41)	télécharger					EAR99	8541.10.0050	11 053																			5 µA @ 9,9 V										13 V	10 ohms
FQPF3N60	0 4600	RFQ	2	Semi-conducteur de Fairchild	QFET®	Tube	Obsolète		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3 EXCHET		MOSFET (Oxyde Métallique)			À 220f-3	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.29.0095	1 000			Canal n	600 V	2A (TC)	10V	3,6 ohm @ 1a, 10v	5V @ 250µA	13 NC @ 10 V	± 30V	450 pf @ 25 V	-	34W (TC)
BC547BTF	-	RFQ	1720	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif		150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes			500 MW		To-92-3	télécharger						0000.00.0000	1																								45 V	100 mA		15NA (ICBO)					NPN	600 mV @ 5mA, 100mA	200 @ 2MA, 5V	300 MHz
BCX59-9	-	RFQ	7759	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa)			625 MW		To-92-3	télécharger					EAR99	8541.21.0095	1																								45 V	100 mA		-					NPN	-	250 @ 2MA, 5V	125 MHz
BC860C	-	RFQ	5673	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 236-3, SC-59, SOT-23-3			250 MW		SOT-23-3 (à 236)	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Vendeur indéfini		EAR99	8541.21.0075	3 186																								45 V	100 mA		15NA (ICBO)					Pnp	650 mV @ 5mA, 100mA	420 @ 2MA, 5V	100 MHz
FFAF15U120DNTU	2.1400	RFQ	360	Semi-conducteur de Fairchild	-	Tube	Obsolète			Par le trou	TO-3P-3 EXCHET		Standard			To-3pf	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.10.0080	30		Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)												1 paire la commune de cathode	1200 V	15A	3,5 V @ 15 A	100 ns	15 µA à 1200 V	-65 ° C ~ 150 ° C
BC558BTA	0,0300	RFQ	7121	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif		150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes	BC558		500 MW		To-92-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	0000.00.0000	2 859																								30 V	100 mA		15NA (ICBO)					Pnp	650 mV @ 5mA, 100mA	200 @ 2MA, 5V	150 MHz
SB540	-	RFQ	7476	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif			Par le trou	DO-201AAAA, DO-27, Axial		Schottky			DO-2010	télécharger						0000.00.0000	1		Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)													40 V		550 mV @ 5 a		500 µA @ 40 V	-50 ° C ~ 150 ° C	5A	-
1N5237B	0,0300	RFQ	71	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif			Par le trou				500 MW			télécharger					EAR99	8541.10.0050	11 539																			3 µA @ 6,5 V										8.2 V	8 ohms
1N4745A	0,0300	RFQ	70	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif			Par le trou				1 W			télécharger					EAR99	8541.10.0050	9 616																			5 µA @ 12,2 V										16 V
Fjv3104rmtf	0,0200	RFQ	1	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif			Support de surface	À 236-3, SC-59, SOT-23-3	FJV310		200 MW		SOT-23-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	0000.00.0000	3 000																								50 V	100 mA		100NA (ICBO)					NPN - Pré-biaisé	300 mV à 500 µA, 10mA	68 @ 5mA, 5V	250 MHz	47 kohms	47 kohms
Flz39vd	0,0200	RFQ	4140	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Obsolète	± 3%	-65 ° C ~ 175 ° C	Support de surface	DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80			500 MW		SOD-80	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.10.0050	70																	1,2 V @ 200 mA		133 na @ 30 V										37,6 V	72 ohms
FQI11N40TU	0,9600	RFQ	1	Semi-conducteur de Fairchild	-	Tube	Obsolète		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 262-3 longs longs, i²pak, à 262aa		MOSFET (Oxyde Métallique)			I2pak	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.29.0095	50			Canal n	400 V	11.4a (TC)	10V	480mohm @ 5.7A, 10V	5V @ 250µA	35 NC @ 10 V	± 30V	1400 pf @ 25 V	-	3.13W (TA), 147W (TC)
SB320	0,1500	RFQ	14	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif			Par le trou	DO-201AAAA, DO-27, Axial	SB32	Schottky			DO-2010	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre Affeté		EAR99	8541.10.0080	2 049		Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)													20 V		490 MV @ 3 A		500 µA @ 20 V	-50 ° C ~ 150 ° C	3A	-
KSA1013OBU	-	RFQ	7653	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif		150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 Corps long	KSA1013		900 MW		To-92-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	0000.00.0000	1																								160 V	1 a		1µA (ICBO)					Pnp	1,5 V @ 50mA, 500mA	100 @ 200mA, 5V	50 MHz
BZX85C27	0,0500	RFQ	82	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Obsolète	± 7%	-65 ° C ~ 200 ° C	Par le trou	DO-204AL, DO-41, Axial			1 W		DO-204AL (DO-41)	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.10.0050	3 000																	1,2 V @ 200 mA		500 na @ 19 V										27 V	30 ohms
Fjv4101rmtf	0,0200	RFQ	113	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif			Support de surface	À 236-3, SC-59, SOT-23-3	FJV410		200 MW		SOT-23-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	0000.00.0000	3 000																								50 V	100 mA		100NA (ICBO)					PNP - Pré-biaisé	300 mV à 500 µA, 10mA	20 @ 10mA, 5V	200 MHz	4,7 kohms	4,7 kohms
FDMC8884-F126	-	RFQ	6391	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®	En gros	Obsolète		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-POWERWDFN		MOSFET (Oxyde Métallique)			8 MLP (3,3x3,3)	-				2156-FDMC8884-F126			1			Canal n	30 V	9a (Ta), 15A (TC)	4,5 V, 10V	19MOHM @ 9A, 10V	2,5 V @ 250µA	14 NC @ 10 V	± 20V	685 PF @ 15 V	-	2.3W (TA), 18W (TC)
1N4751atr	0,0300	RFQ	43	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	Par le trou	DO-204AL, DO-41, Axial			1 W		DO-204AL (DO-41)	télécharger					EAR99	8541.10.0050	10 414																			5 µA @ 22,8 V										30 V	40 ohms
KSC2785YTA	0,0200	RFQ	338	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Obsolète		150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 Corps Court			250 MW		To-92s	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.21.0075	3 000																								50 V	150 mA		100NA (ICBO)					NPN	300 mV @ 10mA, 100mA	120 @ 1MA, 6V	300 MHz