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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Tolérance | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Fuseau | Numéro de Protuit de Base | Type d'entrée | Technologie | Power - Max | Saisir | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | ECCN | HTSUS | Norme de package | Configuration | Vitre | Taper fet | Condition de test | Actualiser | Tension | Tension - isolement | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | VGS (max) | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Dissipation de Puisse (max) | Tension - DC inverse (VR) (max) | Tension - en Avant (vf) (max) @ si | Temps de réménage inversé (TRR) | Courant - FUITE INVERSEE @ VR | Température de FonctionNement - Jonction | Current - Rectifié Moyen (IO) | Capacité @ vr, f | Type igbt | Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) | Courant - Collectionneur (IC) (Max) | COURANT - COPEUR PULSÉ (ICM) | Vce (on) (max) @ vge, ic | Commutation d'Énergie | Charge de Porte | TD (On / Off) à 25 ° C | COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) | Thermistance NTC | Tension - Zener (NOM) (VZ) | Impédance (max) (ZZT) | Type de transistor | VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC | Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE | FRÉQUENCE - transition | RÉSISTANCE - BASE (R1) | Résistance - Base d'Emetteur (R2) |
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![]() | Fdp2d3n10c | - | ![]() | 6950 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | Fdp2d3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220-3 | télécharger | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal n | 100 V | 222A (TC) | 10V | 2,3MOHM @ 100A, 10V | 4V à 700µA | 152 NC @ 10 V | ± 20V | 11180 pf @ 50 V | - | 214W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDS3580 | - | ![]() | 5946 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-SOIC | télécharger | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | Canal n | 80 V | 7.6a (TA) | 6v, 10v | 29MOHM @ 7.6A, 10V | 4V @ 250µA | 46 NC @ 10 V | ± 20V | 1800 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | S3A | 1 0000 | ![]() | 9473 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | Alliance Plastics, S | En gros | Obsolète | Support de surface | DO-214AB, SMC | Standard | SMC (DO-214AB) | télécharger | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 50 V | 1,15 V @ 3 A | 1,5 µs | 5 µA @ 50 V | -50 ° C ~ 150 ° C | 3A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Ksp27ta | 0,0200 | ![]() | 2417 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes | 625 MW | To-92-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 890 | 60 V | 500 mA | 100NA (ICBO) | Npn - darlington | 1,5 V @ 100µA, 100mA | 10000 @ 100mA, 5V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fmg1g300us60le | 73.7500 | ![]() | 6 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Soutenir de châssis | Module | 892 W | Standard | - | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Célibataire | - | 600 V | 300 A | 2,7 V @ 15V, 300A | 250 µA | Non | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FSBM30SM60A | 24.2900 | ![]() | 100 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | SPM® | En gros | Actif | Par le trou | Module 32-Powerdip (1 370 ", 34,80 mm) | Igbt | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 48 | 3 phase | 30 A | 600 V | 2500 VRM | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDP6676 | 0,9800 | ![]() | 20 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Actif | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220-3 | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal n | 30 V | 84A (TA) | 4,5 V, 10V | 6MOHM @ 42A, 10V | 3V à 250µA | 60 NC @ 5 V | ± 16V | 5324 PF @ 15 V | - | 93W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
MMSD4148 | - | ![]() | 4598 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | Support de surface | SOD-123 | MMSD41 | Standard | SOD-123 | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0070 | 3 000 | Petit signal = <200mA (IO), Toute Vinesse | 100 V | 1 V @ 10 mA | 4 ns | 5 µA @ 75 V | 150 ° C (max) | 200m | 4pf @ 0v, 1mhz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4152 | - | ![]() | 1889 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | Par le trou | DO-204AH, DO-35, Axial | Standard | DO-35 (DO-204AH) | - | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.10.0070 | 2 014 | Petit signal = <200mA (IO), Toute Vinesse | 40 V | 880 mV @ 20 mA | 4 ns | 50 na @ 30 V | 175 ° C (max) | 200m | 2pf @ 0v, 1mhz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NZT6715-FS | - | ![]() | 6073 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 261-4, à 261aa | NZT6715 | SOT-223-4 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 0000.00.0000 | 356 | 100NA (ICBO) | NPN | 500 MV à 100MA, 1A | 60 @ 100mA, 1V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BD433 | 0,2700 | ![]() | 17 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 225aa, à 126-3 | 36 W | TO-126-3 | télécharger | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 22 V | 4 A | 100 µA | NPN | 500 MV @ 200mA, 2A | 40 @ 10mA, 5V | 3 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDA18N50 | 1.7800 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | UniFet ™ | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | TO-3P-3, SC-65-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | To-3pn | télécharger | EAR99 | 8542.39.0001 | 169 | Canal n | 500 V | 19A (TC) | 10V | 265MOHM @ 9.5A, 10V | 5V @ 250µA | 60 NC @ 10 V | ± 30V | 2860 pf @ 25 V | - | 239W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FMB5551 | - | ![]() | 2585 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | 150 ° C (TJ) | Support de surface | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | FMB55 | 700mw | Supersot ™ -6 | télécharger | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 160v | 600mA | 50NA (ICBO) | 2 npn (double) | 200 mV @ 5mA, 50mA | 80 @ 10mA, 5V | 300 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Rfd8p06le | 0,3300 | ![]() | 7 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 251-3 courtise Pistes, Ipak, à 251aa | MOSFET (Oxyde Métallique) | I-pak | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal p | 60 V | 8A (TC) | 4,5 V, 5V | 300mohm @ 8a, 5v | 2V à 250µA | 30 NC @ 10 V | ± 10V | 675 PF @ 25 V | - | 48W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDS2672 | - | ![]() | 5526 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | Ultrafet ™ | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-SOIC | télécharger | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | Canal n | 200 V | 3.9A (TA) | 6v, 10v | 70MOHM @ 3,9A, 10V | 4V @ 250µA | 46 NC @ 10 V | ± 20V | 2535 PF @ 100 V | - | 2.5W (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Mais11atu | 0,5400 | ![]() | 97 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | Mais11 | 100 W | À 220-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | 450 V | 5 a | 1 mA | NPN | 1,5 V @ 500mA, 2,5A | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fqt4n20tf | 0,3200 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 261-4, à 261aa | MOSFET (Oxyde Métallique) | SOT-223-4 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 4 000 | Canal n | 200 V | 850mA (TC) | 10V | 1,4 ohm @ 425mA, 10V | 5V @ 250µA | 6,5 NC @ 10 V | ± 30V | 220 pf @ 25 V | - | 2.2W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N973B | 1.8400 | ![]() | 49 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | Par le trou | DO-204AH, DO-35, Axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.10.0050 | 163 | 5 µA @ 25,1 V | 33 V | 58 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NDB603AL | 0,3300 | ![]() | 30 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | MOSFET (Oxyde Métallique) | D2pak (à 263) | télécharger | Rohs non conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal n | 30 V | 25a (TC) | 4,5 V, 10V | 22MOHM @ 25A, 10V | 3V à 250µA | 40 NC @ 10 V | ± 20V | 1100 pf @ 15 V | - | 50W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FGPF30N30TDTU | 0,8400 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 EXCHET | Standard | 44,6 W | À 220f-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | 200v, 20a, 20hm, 15v | 22 ns | Tranché | 300 V | 80 A | 1,5 V @ 15V, 10A | - | 65 NC | 22NS / 130NS | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HUFA75309T3ST | 0,3400 | ![]() | 34 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | Ultrafet ™ | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 261-4, à 261aa | MOSFET (Oxyde Métallique) | SOT-223-4 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 55 V | 3a (ta) | 10V | 70MOHM @ 3A, 10V | 4V @ 250µA | 23 NC @ 20 V | ± 20V | 352 pf @ 25 V | - | 1.1W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQB10N20LTM | 0,5900 | ![]() | 5050 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | QFET® | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | MOSFET (Oxyde Métallique) | D2pak (à 263) | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 457 | Canal n | 200 V | 10A (TC) | 5v, 10v | 360 MOHM @ 5A, 10V | 2V à 250µA | 17 NC @ 5 V | ± 20V | 830 pf @ 25 V | - | 3.13W (TA), 87W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Hgtg30n60c3d_nl | - | ![]() | 7652 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 247-3 | Standard | 208 W | À 247 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 13 | - | 60 ns | - | 600 V | 63 A | 252 A | 1,8 V @ 15V, 30A | - | 250 NC | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FJN4301RTA | - | ![]() | 4825 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes | FJN430 | 300 MW | To-92-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | 50 V | 100 mA | 100NA (ICBO) | PNP - Pré-biaisé | 300 mV à 500 µA, 10mA | 20 @ 10mA, 5V | 200 MHz | 4,7 kohms | 4,7 kohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDB7030L | 5.3400 | ![]() | 65 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Obsolète | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | MOSFET (Oxyde Métallique) | D2pak (à 263) | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal n | 30 V | 80A (TA) | 4,5 V, 10V | 7MOHM @ 40A, 10V | 3V à 250µA | 33 NC @ 5 V | ± 20V | 2440 PF @ 15 V | - | 68W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDS7764S | 1.8100 | ![]() | 118 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 30 V | 13.5A (TA) | 4,5 V, 10V | 7,5 mohm @ 13,5a, 10v | 2v @ 1MA | 35 NC @ 5 V | ± 16V | 2800 pf @ 15 V | - | 2.5W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDS8926A | - | ![]() | 1981 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | FDS89 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 900mw | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 2 Canaux N (double) | 30V | 5.5a | 30 mohm @ 5.5a, 4,5 V | 1V @ 250µA | 28nc @ 4,5 V | 900pf @ 10v | Porte de Niveau Logique | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Flz24vb | 0,0200 | ![]() | 5854 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | ± 3% | -65 ° C ~ 175 ° C | Support de surface | DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 | 500 MW | SOD-80 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.10.0050 | 4 145 | 1,2 V @ 200 mA | 133 Na @ 19 V | 23.2 V | 29 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQPF4N90 | 0,3700 | ![]() | 1049 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | QFET® | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 EXCHET | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220f-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 744 | Canal n | 900 V | 2.5a (TC) | 10V | 3,3 ohm @ 1,25a, 10v | 5V @ 250µA | 30 NC @ 10 V | ± 30V | 1100 pf @ 25 V | - | 47W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDMC8676 | 0,7000 | ![]() | 4 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-PowerTDFN | MOSFET (Oxyde Métallique) | Power33 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 30 V | 16A (TA), 18A (TC) | 4,5 V, 10V | 5,9MOHM @ 14,7A, 10V | 3V à 250µA | 30 NC @ 10 V | ± 20V | 1935 PF @ 15 V | - | 2.3W (TA), 41W (TC) |
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