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Produits semi-conduurs discrètes (5251)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Tolérance	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Type d'entrée	Technologie	Power - Max	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Configuration	Vitre	Taper fet	Condition de test	Égoutter la tension de la source (VDSS)	Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C	Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS)	RDS SUR (MAX) @ ID, VGS	Vgs (th) (max) @ id	Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS	VGS (max)	Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds	FET FONCTION	Dissipation de Puisse (max)	Tension - DC inverse (VR) (max)	Tension - en Avant (vf) (max) @ si	Temps de réménage inversé (TRR)	Courant - FUITE INVERSEE @ VR	Température de FonctionNement - Jonction	Current - Rectifié Moyen (IO)	Capacité @ vr, f	Type igbt	Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max)	Courant - Collectionneur (IC) (Max)	COURANT - COPEUR PULSÉ (ICM)	Vce (on) (max) @ vge, ic	Commutation d'Énergie	Charge de Porte	TD (On / Off) à 25 ° C	COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX)	Tension - Zener (NOM) (VZ)	Impédance (max) (ZZT)	Type de transistor	VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC	Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE	FRÉQUENCE - transition	RÉSISTANCE - BASE (R1)	Résistance - Base d'Emetteur (R2)
Rfd8p06le	0,3300	RFQ	7	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 251-3 courtise Pistes, Ipak, à 251aa			MOSFET (Oxyde Métallique)		I-pak	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Vendeur indéfini		EAR99	8541.29.0095	1			Canal p		60 V	8A (TC)	4,5 V, 5V	300mohm @ 8a, 5v	2V à 250µA	30 NC @ 10 V	± 10V	675 PF @ 25 V	-	48W (TC)
FDS2672	-	RFQ	5526	Semi-conducteur de Fairchild	Ultrafet ™	En gros	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)			MOSFET (Oxyde Métallique)		8-SOIC	télécharger					EAR99	8542.39.0001	1			Canal n		200 V	3.9A (TA)	6v, 10v	70MOHM @ 3,9A, 10V	4V @ 250µA	46 NC @ 10 V	± 20V	2535 PF @ 100 V	-	2.5W (TA)
Mais11atu	0,5400	RFQ	97	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif		150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3	Mais11			100 W	À 220-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	0000.00.0000	1																							450 V	5 a						1 mA			NPN	1,5 V @ 500mA, 2,5A	-	-
Fqt4n20tf	0,3200	RFQ	2	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Obsolète		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 261-4, à 261aa			MOSFET (Oxyde Métallique)		SOT-223-4	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.29.0095	4 000			Canal n		200 V	850mA (TC)	10V	1,4 ohm @ 425mA, 10V	5V @ 250µA	6,5 NC @ 10 V	± 30V	220 pf @ 25 V	-	2.2W (TC)
1N973B	1.8400	RFQ	49	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Obsolète	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	Par le trou	DO-204AH, DO-35, Axial				500 MW	DO-35 (DO-204AH)	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.10.0050	163																		5 µA @ 25,1 V													33 V	58 ohms
NDB603AL	0,3300	RFQ	30	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Obsolète		-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab			MOSFET (Oxyde Métallique)		D2pak (à 263)	télécharger	Rohs non conforme				EAR99	8541.29.0095	800			Canal n		30 V	25a (TC)	4,5 V, 10V	22MOHM @ 25A, 10V	3V à 250µA	40 NC @ 10 V	± 20V	1100 pf @ 15 V	-	50W (TC)
FGPF30N30TDTU	0,8400	RFQ	1	Semi-conducteur de Fairchild	-	Tube	Obsolète		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3 EXCHET		Standard		44,6 W	À 220f-3	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.29.0095	50				200v, 20a, 20hm, 15v													22 ns					Tranché	300 V		80 A	1,5 V @ 15V, 10A	-	65 NC	22NS / 130NS
HUFA75309T3ST	0,3400	RFQ	34	Semi-conducteur de Fairchild	Ultrafet ™	En gros	Obsolète		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 261-4, à 261aa			MOSFET (Oxyde Métallique)		SOT-223-4	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.29.0095	2 500			Canal n		55 V	3a (ta)	10V	70MOHM @ 3A, 10V	4V @ 250µA	23 NC @ 20 V	± 20V	352 pf @ 25 V	-	1.1W (TA)
FQB10N20LTM	0,5900	RFQ	5050	Semi-conducteur de Fairchild	QFET®	En gros	Obsolète		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab			MOSFET (Oxyde Métallique)		D2pak (à 263)	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.29.0095	457			Canal n		200 V	10A (TC)	5v, 10v	360 MOHM @ 5A, 10V	2V à 250µA	17 NC @ 5 V	± 20V	830 pf @ 25 V	-	3.13W (TA), 87W (TC)
Hgtg30n60c3d_nl	-	RFQ	7652	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3		Standard		208 W	À 247	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	13				-													60 ns					-	600 V	63 A	252 A	1,8 V @ 15V, 30A	-	250 NC	-
FJN4301RTA	-	RFQ	4825	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif			Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes	FJN430			300 MW	To-92-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	0000.00.0000	1																							50 V	100 mA						100NA (ICBO)			PNP - Pré-biaisé	300 mV à 500 µA, 10mA	20 @ 10mA, 5V	200 MHz	4,7 kohms	4,7 kohms
FDB7030L	5.3400	RFQ	65	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®	En gros	Obsolète		-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab			MOSFET (Oxyde Métallique)		D2pak (à 263)	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.29.0095	800			Canal n		30 V	80A (TA)	4,5 V, 10V	7MOHM @ 40A, 10V	3V à 250µA	33 NC @ 5 V	± 20V	2440 PF @ 15 V	-	68W (TC)
FDS7764S	1.8100	RFQ	118	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®	En gros	Obsolète		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)			MOSFET (Oxyde Métallique)		8-SOIC	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.29.0095	2 500			Canal n		30 V	13.5A (TA)	4,5 V, 10V	7,5 mohm @ 13,5a, 10v	2v @ 1MA	35 NC @ 5 V	± 16V	2800 pf @ 15 V	-	2.5W (TA)
FDS8926A	-	RFQ	1981	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Obsolète		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)	FDS89		MOSFET (Oxyde Métallique)	900mw	8-SOIC	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.21.0095	1	2 Canaux N (double)				30V	5.5a		30 mohm @ 5.5a, 4,5 V	1V @ 250µA	28nc @ 4,5 V		900pf @ 10v	Porte de Niveau Logique
Flz24vb	0,0200	RFQ	5854	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Obsolète	± 3%	-65 ° C ~ 175 ° C	Support de surface	DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80				500 MW	SOD-80	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.10.0050	4 145																1,2 V @ 200 mA		133 Na @ 19 V													23.2 V	29 ohms
FQPF4N90	0,3700	RFQ	1049	Semi-conducteur de Fairchild	QFET®	Tube	Obsolète		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3 EXCHET			MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220f-3	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.29.0095	744			Canal n		900 V	2.5a (TC)	10V	3,3 ohm @ 1,25a, 10v	5V @ 250µA	30 NC @ 10 V	± 30V	1100 pf @ 25 V	-	47W (TC)
FDMC8676	0,7000	RFQ	4	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®	En gros	Obsolète		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-PowerTDFN			MOSFET (Oxyde Métallique)		Power33	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.29.0095	3 000			Canal n		30 V	16A (TA), 18A (TC)	4,5 V, 10V	5,9MOHM @ 14,7A, 10V	3V à 250µA	30 NC @ 10 V	± 20V	1935 PF @ 15 V	-	2.3W (TA), 41W (TC)
NDS9430A	0,6200	RFQ	10	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Obsolète		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)			MOSFET (Oxyde Métallique)		8-SOIC	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.29.0095	2 500			Canal p		20 V	5.3A (TA)	4,5 V, 10V	50mohm @ 5.3a, 10v	3V à 250µA	50 NC @ 10 V	± 20V	950 pf @ 15 V	-	2.5W (TA)
S1B	0,0500	RFQ	1838	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif			Support de surface	DO-214AC, SMA			Standard		DO-214AC, SMA	télécharger					EAR99	8541.10.0080	1		Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO)													100 V	1.1 V @ 1 A	1,5 µs	5 µA @ 100 V	-50 ° C ~ 150 ° C	1A	-
FJY4009R	0,0200	RFQ	14	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Obsolète			Support de surface	SC-89, SOT-490	FJY400			200 MW	SOT-523F	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.21.0075	14 999																							40 V	100 mA						100NA (ICBO)			PNP - Pré-biaisé	300 mV @ 1MA, 10mA	100 @ 1MA, 5V	200 MHz	4,7 kohms
TIP117	-	RFQ	5150	Semi-conducteur de Fairchild	-	Tube	Obsolète		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3				2 W	À 220-3	télécharger	Rohs non conforme				EAR99	8541.29.0095	50																							100 V	2 A						2MA			PNP - Darlington	2,5 V @ 8MA, 2A	1000 @ 1A, 4V	-
2N5772	-	RFQ	4526	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Obsolète		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa)				350 MW	To-92-3	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.21.0095	15 000																							15 V	300 mA						500NA			NPN	500 mV @ 3MA, 300mA	30 @ 30mA, 400 mV	-
BC337TF	0,0200	RFQ	7350	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Obsolète		150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes				625 MW	To-92-3	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.21.0075	7,930																							45 V	800 mA						100NA			NPN	700 mV à 50ma, 500mA	100 @ 100mA, 1v	100 MHz
FQA28N50	1 0000	RFQ	5988	Semi-conducteur de Fairchild	QFET®	En gros	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	TO-3P-3, SC-65-3	FQA2		MOSFET (Oxyde Métallique)		To-3p	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	0000.00.0000	1			Canal n		500 V	28.4A (TC)	10V	160MOHM @ 14.2A, 10V	5V @ 250µA	140 NC @ 10 V	± 30V	5600 pf @ 25 V	-	310W (TC)
FQB3N40TM	0,3700	RFQ	1	Semi-conducteur de Fairchild	QFET®	En gros	Obsolète		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab			MOSFET (Oxyde Métallique)		D2pak (à 263)	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.29.0095	800			Canal n		400 V	2.5a (TC)	10V	3,4 ohm @ 1,25a, 10v	5V @ 250µA	7,5 NC @ 10 V	± 30V	230 pf @ 25 V	-	3.13W (TA), 55W (TC)
RFD20N03SM9A	-	RFQ	5837	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Obsolète		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63			MOSFET (Oxyde Métallique)		À 252-3 (DPAK)	-	Rohs non conforme		Vendeur indéfini	2156-RFD20N03SM9A-600039			1			Canal n		30 V	20A (TC)	10V	25MOHM @ 20A, 10V	4V @ 250µA	75 NC @ 20 V	± 20V	1150 pf @ 25 V	-	90W (TC)
FDS6614A	0,8900	RFQ	25	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®	En gros	Obsolète		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)			MOSFET (Oxyde Métallique)		8-SOIC	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.29.0095	2 500			Canal n		30 V	9.3A (TA)	4,5 V, 10V	18MOHM @ 9.3A, 10V	3V à 250µA	17 NC @ 5 V	± 20V	1160 pf @ 15 V	-	2.5W (TA)
FQI13N50CTU	1.4200	RFQ	14	Semi-conducteur de Fairchild	QFET®	En gros	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 262-3 longs longs, i²pak, à 262aa			MOSFET (Oxyde Métallique)		I2pak (à 262)	télécharger					EAR99	8542.39.0001	212			Canal n		500 V	13A (TC)	10V	480mohm @ 6.5a, 10v	4V @ 250µA	56 NC @ 10 V	± 30V	2055 PF @ 25 V	-	195W (TC)
FQP6N70	1 0000	RFQ	6399	Semi-conducteur de Fairchild	QFET®	En gros	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3	FQP6		MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	0000.00.0000	1			Canal n		700 V	6.2a (TC)	10V	1,5 ohm @ 3.1a, 10v	5V @ 250µA	40 NC @ 10 V	± 30V	1400 pf @ 25 V	-	142W (TC)
FQPF5N60	-	RFQ	9157	Semi-conducteur de Fairchild	QFET®	Tube	Obsolète		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3 EXCHET			MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220f-3	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.29.0095	1 000			Canal n		600 V	2.8A (TC)	10V	2OHM @ 1.4A, 10V	5V @ 250µA	20 nc @ 10 V	± 30V	730 pf @ 25 V	-	40W (TC)