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Produits semi-conduurs discrètes (5251)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Tolérance	Température de fonctionnels	Type de montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Technologie	Power - Max	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Configuration	Vitre	Taper fet	Égoutter la tension de la source (VDSS)	Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C	Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS)	RDS SUR (MAX) @ ID, VGS	Vgs (th) (max) @ id	Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS	VGS (max)	Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds	FET FONCTION	Dissipation de Puisse (max)	Tension - DC inverse (VR) (max)	Tension - en Avant (vf) (max) @ si	Temps de réménage inversé (TRR)	Courant - FUITE INVERSEE @ VR	Température de FonctionNement - Jonction	Current - Rectifié Moyen (IO)	Capacité @ vr, f	Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max)	Courant - Collectionneur (IC) (Max)	COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX)	Tension - Zener (NOM) (VZ)	Impédance (max) (ZZT)	Type de transistor	VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC	Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE	FRÉQUENCE - transition
FDD8874	0,6600	RFQ	3	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®	En gros	Actif		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63		MOSFET (Oxyde Métallique)		À 252, (d-pak)	télécharger					EAR99	8542.39.0001	1			Canal n	30 V	18A (TA), 116A (TC)	4,5 V, 10V	5.1MOHM @ 35A, 10V	2,5 V @ 250µA	72 NC @ 10 V	± 20V	2990 PF @ 15 V	-	110W (TC)
FDMS3600AS	1.0100	RFQ	15	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®	En gros	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-PowerTDFN	FDMS3600	MOSFET (Oxyde Métallique)	2.2W, 2,5W	8-pqfn (5x6)	télécharger					EAR99	8542.39.0001	1	2 canal n (double) asymétrique			25V	15A, 30A		5,6MOHM @ 15A, 10V	2,7 V @ 250µA	27nc @ 10v		1770pf @ 13v	Porte de Niveau Logique
Flz36va	0,0200	RFQ	51	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Obsolète	± 3%	-65 ° C ~ 175 ° C	Support de surface	DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80			500 MW	SOD-80	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.10.0050	2 500															1,2 V @ 200 mA		133 na @ 27 V							33 V	63 ohms
FQI17N08LTU	0,3700	RFQ	2	Semi-conducteur de Fairchild	QFET®	Tube	Obsolète		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 262-3 longs longs, i²pak, à 262aa		MOSFET (Oxyde Métallique)		I2pak (à 262)	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.29.0095	50			Canal n	80 V	16,5a (TC)	5v, 10v	100MOHM @ 8.25A, 10V	2V à 250µA	11,5 NC @ 5 V	± 20V	520 pf @ 25 V	-	3,75W (TA), 65W (TC)
S2B	-	RFQ	1122	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif			Support de surface	DO-214AA, SMB		Standard		SMB (DO-214AA)	télécharger					EAR99	8541.10.0080	1		Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO)												100 V	1,15 V @ 2 A	1,5 µs	5 µA @ 100 V	-50 ° C ~ 150 ° C	2A	-
FQB4N80TM	1 0000	RFQ	1932	Semi-conducteur de Fairchild	QFET®	En gros	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab		MOSFET (Oxyde Métallique)		D2pak (à 263)	télécharger					EAR99	8542.39.0001	1			Canal n	800 V	3.9A (TC)	10V	3,6 ohm @ 1 95a, 10v	5V @ 250µA	25 NC @ 10 V	± 30V	880 pf @ 25 V	-	3.13W (TA), 130W (TC)
1N4732atr	0,0300	RFQ	2226	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	Par le trou	DO-204AL, DO-41, Axial			1 W	DO-204AL (DO-41)	télécharger					EAR99	8541.10.0050	8 960																	10 µA @ 1 V							4.7 V	8 ohms
1N914_NL	0,0200	RFQ	5289	Semi-conducteur de Fairchild	Automobile, AEC-Q101	En gros	Actif			Par le trou	DO-204AH, DO-35, Axial		Standard		DO-35 (DO-204AH)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.10.0050	3 835		Petit signal = <200mA (IO), Toute Vinesse												100 V	1 V @ 10 mA	4 ns	5 µA @ 75 V	-55 ° C ~ 175 ° C	200m	4pf @ 0v, 1mhz
FOD817X_5701W	0,1100	RFQ	1	Semi-conducteur de Fairchild	*	En gros	Actif									-	Non applicable	1 (illimité)	Vendeur indéfini		EAR99	8542.39.0001	1
NDS356P	1 0000	RFQ	1157	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Obsolète		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 236-3, SC-59, SOT-23-3		MOSFET (Oxyde Métallique)		SOT-23-3	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.21.0095	3 000			Canal p	20 V	1.1A (TA)	4,5 V, 10V	210MOHM @ 1.3A, 10V	2,5 V @ 250µA	5 NC @ 5 V	± 12V	180 pf @ 10 V	-	500mw (TA)
MMSZ5232B	0,0200	RFQ	303	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif	± 5%	-	Support de surface	SOD-123	MMSZ52		500 MW	SOD-123	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.10.0050	3 000															900 mV @ 10 mA		5 µA @ 3 V							5.6 V	17 ohms
FDD6296	0,4300	RFQ	10	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®	En gros	Actif		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63		MOSFET (Oxyde Métallique)		À 252, (d-pak)	télécharger					EAR99	8542.39.0001	697			Canal n	30 V	15A (TA), 50A (TC)	4,5 V, 10V	8,8MOHM @ 15A, 10V	3V à 250µA	31,5 NC @ 10 V	± 20V	1440 pf @ 15 V	-	3.8W (TA), 52W (TC)
2N3904CTA	-	RFQ	2570	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Obsolète		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes			625 MW	To-92-3	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.21.0075	2 000																					40 V	200 mA	-			NPN	300 MV à 5MA, 50mA	100 @ 10mA, 1V	300 MHz
Ssr4n60btm	1 0000	RFQ	6413	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63		MOSFET (Oxyde Métallique)		À 252-3 (DPAK)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre Affeté		EAR99	8541.29.0095	2 500			Canal n	600 V	2.8A (TC)	10V	2,5 ohm @ 1,4a, 10v	4V @ 250µA	29 NC @ 10 V	± 30V	920 PF @ 25 V	-	2.5W (TA), 49W (TC)
Si4822dy	0,4300	RFQ	7	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®	En gros	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)		MOSFET (Oxyde Métallique)		8-SOIC	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Vendeur indéfini		EAR99	8541.29.0095	701			Canal n	30 V	12.5A (TA)	4,5 V, 10V	9,5MOHM @ 12,5A, 10V	3V à 250µA	33 NC @ 5 V	± 20V	2180 pf @ 15 V	-	1W (ta)
FDMS7580	0,7400	RFQ	12	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®	En gros	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-PowerTDFN		MOSFET (Oxyde Métallique)		8-pqfn (5x6)	télécharger					EAR99	8542.39.0001	404			Canal n	25 V	15A (TA), 29A (TC)	4,5 V, 10V	7,5 mohm @ 15a, 10v	3V à 250µA	20 nc @ 10 V	± 20V	1190 PF @ 13 V	-	2.5W (TA), 27W (TC)
FDU8874	0 7600	RFQ	5	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®	Tube	Obsolète		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 251-3 courtise Pistes, Ipak, à 251aa		MOSFET (Oxyde Métallique)		I-pak	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.29.0095	1 800			Canal n	30 V	18A (TA), 116A (TC)	4,5 V, 10V	5.1MOHM @ 35A, 10V	2,5 V @ 250µA	72 NC @ 10 V	± 20V	2990 PF @ 15 V	-	110W (TC)
Fdg328p	1 0000	RFQ	6951	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®	En gros	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	6-TSSOP, SC-88, SOT-363		MOSFET (Oxyde Métallique)		SC-88 (SC-70-6)	télécharger					EAR99	8542.39.0001	1			Canal p	20 V	1.5A (TA)	2,5 V, 4,5 V	145MOHM @ 1,5A, 4,5 V	1,5 V @ 250µA	6 NC @ 4,5 V	± 12V	337 PF @ 10 V	-	750MW (TA)
SS26	-	RFQ	9105	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif			Support de surface	DO-214AA, SMB	SS26	Schottky		DO-214AA (SMB)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre Affeté		EAR99	8541.10.0080	3 000		Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)												60 V	700 mV @ 2 A		400 µA @ 60 V	-65 ° C ~ 125 ° C	2A	-
1N5230B	0,0300	RFQ	30	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	Par le trou	DO-204AH, DO-35, Axial			500 MW	-	télécharger					EAR99	8541.10.0050	11 539																	5 µA @ 2 V							4.7 V	19 ohms
SFR2955TF	0,2500	RFQ	2	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63		MOSFET (Oxyde Métallique)		À 252-3 (DPAK)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre Affeté		EAR99	8541.29.0095	2 000			Canal p	60 V	7.6a (TC)	10V	300 mOhm @ 3,8a, 10v	4V @ 250µA	19 NC @ 10 V	± 20V	600 pf @ 25 V	-	2.5W (TA), 32W (TC)
FDB8443	-	RFQ	8573	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®	En gros	Actif		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab		MOSFET (Oxyde Métallique)		D2pak (à 263)	télécharger					EAR99	8542.39.0001	1			Canal n	40 V	25A (TA), 120A (TC)	10V	3MOHM @ 80A, 10V	4V @ 250µA	185 NC @ 10 V	± 20V	9310 PF @ 25 V	-	188W (TC)
FDZ451PZ	0,0500	RFQ	9	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®	En gros	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	4-xfbga, wlcsp		MOSFET (Oxyde Métallique)		4-WLCSP (0,8x0,8)	télécharger					EAR99	8542.29.0095	1			Canal p	20 V	2.6A (TA)	1,5 V, 4,5 V	140mohm @ 2a, 4,5 V	1,2 V à 250µA	8,8 NC @ 4,5 V	± 8v	555 pf @ 10 V	-	400mw (TA)
SFP9640L	0,7200	RFQ	760	Semi-conducteur de Fairchild	-	Tube	Obsolète		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3		MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220-3	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.29.0095	50			Canal p	200 V	11a (TC)	5V	500 MOHM @ 5.5A, 5V	2V à 250µA	59 NC @ 5 V	± 20V	1585 pf @ 25 V	-	98W (TC)
FDMC7200	1 0000	RFQ	3898	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®	En gros	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-POWERWDFN	Fdmc72	MOSFET (Oxyde Métallique)	700mw, 1W	8-Power33 (3x3)	télécharger					EAR99	8542.39.0001	1	2 Canaux N (double)			30V	7a, 13a		22MOHM @ 6A, 10V	3V à 250µA	10nc @ 10v		660pf @ 15v	Porte de Niveau Logique
PN2222ATF	0,0400	RFQ	2756	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes			625 MW	To-92-3	télécharger					EAR99	8541.21.0075	50																					40 V	1 a	10NA (ICBO)			NPN	1V @ 50mA, 500mA	100 @ 150mA, 10V	300 MHz
FDS6982S	-	RFQ	7763	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®, Syncfet ™	En gros	Obsolète		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)	FDS69	MOSFET (Oxyde Métallique)	900mw	8-SOIC	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.21.0095	1	2 Canaux N (double)			30V	6.3a, 8.6a		28MOHM @ 6.3A, 10V	3V à 250µA	12nc @ 5v		2040pf @ 10v	Porte de Niveau Logique
MMSZ5254B-FS	1 0000	RFQ	9212	Semi-conducteur de Fairchild	*	En gros	Actif									-	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.10.0050	3 000
BC546CTA	-	RFQ	4144	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif		150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes			500 MW	To-92-3	télécharger		Non applicable	Atteindre non affecté	2156-BC546CTA-600039			1																					65 V	100 mA	15NA (ICBO)			NPN	600 mV @ 5mA, 100mA	420 @ 2MA, 5V	300 MHz
FDS6692A	0,5200	RFQ	1	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®	En gros	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)		MOSFET (Oxyde Métallique)		8-SOIC	télécharger					EAR99	8542.39.0001	582			Canal n	30 V	9a (ta)	4,5 V, 10V	11,5MOHM @ 9A, 10V	2,5 V @ 250µA	29 NC @ 10 V	± 20V	1610 PF @ 15 V	-	1.47W (TA)