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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Tolérance | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Power - Max | Saisir | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Configuration | Vitre | Taper fet | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | VGS (max) | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Dissipation de Puisse (max) | Tension - DC inverse (VR) (max) | Tension - en Avant (vf) (max) @ si | Temps de réménage inversé (TRR) | Courant - FUITE INVERSEE @ VR | Température de FonctionNement - Jonction | Current - Rectifié Moyen (IO) | Capacité @ vr, f | Type igbt | Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) | Courant - Collectionneur (IC) (Max) | Vce (on) (max) @ vge, ic | COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) | Thermistance NTC | Tension - Zener (NOM) (VZ) | Impédance (max) (ZZT) | Capacité d'entrée (cies) @ vce | Type de transistor | VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC | Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE | FRÉQUENCE - transition |
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![]() | FMG2G50US60 | 31.7500 | ![]() | 148 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Soutenir de châssis | 19 H GA | 250 W | Standard | 19 H GA | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 15 | Demi-pont | - | 600 V | 50 a | 2,8 V @ 15V, 50A | 250 µA | Non | 3,46 nf @ 30 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDS6990S | 0,9400 | ![]() | 6 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | FDS6990 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 900mw (TA) | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.21.0095 | 2 500 | 2 Canaux N (double) | 30V | 7.5a (TA) | 22MOHM @ 7.5A, 10V | 3V @ 1MA | 16nc @ 5v | 1233pf @ 15v | - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMBZ5231B_S00Z | 1 0000 | ![]() | 8874 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | * | En gros | Actif | - | Non applicable | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FMG1G150US60H | 55.2800 | ![]() | 18 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Soutenir de châssis | Module | 595 W | Standard | - | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Célibataire | - | 600 V | 150 a | 2,7 V @ 15V, 150A | 250 µA | Non | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fdmt800152dc | 3.3400 | ![]() | 7916 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | Dual Cool ™, PowerTrench® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8 powervdfn | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8 Dual Cool ™ 88 | télécharger | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | Canal n | 150 V | 13A (TA), 72A (TC) | 6v, 10v | 9MOHM @ 13A, 10V | 4V @ 250µA | 83 NC @ 10 V | ± 20V | 5875 PF @ 75 V | - | 3.2W (TA), 113W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMBT3904 | 1 0000 | ![]() | 9827 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBT390 | 350 MW | SOT23-3 (à 236) | télécharger | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 | 40 V | 200 mA | 50na | NPN | 300 MV à 5MA, 50mA | 100 @ 10mA, 1V | 300 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDMC8884-FS | - | ![]() | 5564 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-POWERWDFN | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8 MLP (3,3x3,3) | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 0000.00.0000 | 3 000 | Canal n | 30 V | 9a (Ta), 15A (TC) | 19MOHM @ 9A, 10V | 2,5 V @ 250µA | 14 NC @ 10 V | ± 20V | 685 PF @ 15 V | - | 2.3W (TA), 18W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Ssp4n90a | - | ![]() | 2494 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220 | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal n | 900 V | 4A (TC) | 10V | 5OHM @ 2A, 10V | 3,5 V @ 250µA | 46 NC @ 10 V | ± 30V | 950 pf @ 25 V | - | 120W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQI27N25TU-F085 | 2 0000 | ![]() | 640 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | Automobile, AEC-Q101 | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 262-3 longs longs, i²pak, à 262aa | FQI2 | MOSFET (Oxyde Métallique) | I2pak (à 262) | télécharger | Non applicable | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal n | 250 V | 25,5a (TC) | 10V | 110MOHM @ 12.75A, 10V | 5V @ 250µA | 65 NC @ 10 V | ± 30V | 1800 pf @ 25 V | - | 3.13W (TA), 417W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX79C5V6-T50A | 0,0200 | ![]() | 45 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | Par le trou | DO-204AH, DO-35, Axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | télécharger | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 100 mA | 1 µA @ 2 V | 5.6 V | 40 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BDW93C | 1 0000 | ![]() | 3705 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | 80 W | À 220-3 | télécharger | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 100 V | 12 A | 1 mA | Npn - darlington | 3V @ 100mA, 10A | 750 @ 5A, 3V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDM3300NZ | 2.4400 | ![]() | 86 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8 powervdfn | FDM3300 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 900mw | Power33 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.21.0095 | 3 000 | 2 Canaux N (double) | 20V | 10A | 23MOHM @ 10A, 4,5 V | 1,5 V @ 250µA | 17nc @ 4,5 V | 1610pf @ 10v | Porte de Niveau Logique | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N5088TF | 1 0000 | ![]() | 1025 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | * | En gros | Actif | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 0000.00.0000 | 2 000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Ksh29ctf | - | ![]() | 2532 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | Ksh29 | 1,56 W | D-pak | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | EAR99 | 0000.00.0000 | 2 000 | 100 V | 1 a | 50 µA | NPN | 700 mV à 125mA, 1A | 15 @ 1A, 4V | 3 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ISL9N2357D3ST | 1.0200 | ![]() | 87 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | Ultrafet® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 252-3 (DPAK) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 30 V | 35A (TC) | 10V | 7MOHM @ 35A, 10V | 4V @ 250µA | 258 NC @ 20 V | ± 20V | 5600 pf @ 25 V | - | 100W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQB12N60TM | 1.3900 | ![]() | 6 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | QFET ™ | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | MOSFET (Oxyde Métallique) | D2pak (à 263) | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.29.0095 | 217 | Canal n | 600 V | 10.5a (TC) | 10V | 700MOHM @ 5.3A, 10V | 5V @ 250µA | 54 NC @ 10 V | ± 30V | 1900 pf @ 25 V | - | 3.13W (TA), 180W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC857BMTF | 0,0200 | ![]() | 6711 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | BC857 | 310 MW | SOT-23-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 0000.00.0000 | 10 592 | 45 V | 100 mA | 15NA (ICBO) | Pnp | 650 mV @ 5mA, 100mA | 200 @ 2MA, 5V | 150 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ISL9N302AP3 | 1.1800 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | Ultrafet ™ | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 400 | Canal n | 30 V | 75A (TC) | 4,5 V, 10V | 2,5 mohm @ 75a, 10v | 3V à 250µA | 300 NC @ 10 V | ± 20V | 11000 pf @ 15 V | - | 345W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HUFA75333G3 | 0,9800 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | Ultrafet® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 247-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 247 | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal n | 55 V | 66a (TC) | 10V | 16MOHM @ 66A, 10V | 4V @ 250µA | 85 NC @ 20 V | ± 20V | 1300 pf @ 25 V | - | 150W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MPS6521D26Z | 0,0500 | ![]() | 14 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes | MPS6521 | 625 MW | To-92-3 | télécharger | Non applicable | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.21.0095 | 2 000 | 25 V | 100 mA | 50NA (ICBO) | NPN | 500 mV @ 5mA, 50mA | 300 @ 2MA, 10V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDP2614 | - | ![]() | 2460 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220-3 | - | Rohs non conforme | Vendeur indéfini | 2156-FDP2614 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal n | 200 V | 62A (TC) | 10V | 27MOHM @ 31A, 10V | 5V @ 250µA | 99 NC @ 10 V | ± 30V | 7230 pf @ 25 V | - | 260W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Flz33vb | 0,0200 | ![]() | 68 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | ± 3% | -65 ° C ~ 175 ° C | Support de surface | DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 | 500 MW | SOD-80 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.10.0050 | 2 500 | 1,2 V @ 200 mA | 133 na @ 25 V | 31.1 V | 55 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FSBCW30 | 1 0000 | ![]() | 5927 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | 500 MW | SOT-23-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.21.0095 | 3 000 | 32 V | 500 mA | 100NA (ICBO) | Pnp | 300 mV à 500 µA, 10mA | 215 @ 2MA, 5V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX55C15 | 0,0600 | ![]() | 40 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | ± 6% | -65 ° C ~ 200 ° C | Par le trou | DO-204AH, DO-35, Axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 000 | 1,3 V @ 100 mA | 100 na @ 11 V | 15 V | 30 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4744A-T50R | 0,0500 | ![]() | 13 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | Par le trou | DO-204AL, DO-41, Axial | 1N4744 | 1 W | DO-41 | télécharger | Non applicable | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 5 µA @ 11,4 V | 15 V | 14 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDMC0208 | 0,2500 | ![]() | 12 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | * | En gros | Actif | Fdmc02 | - | - | Non applicable | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8542.39.0001 | 3 000 | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDS3601 | 0,3700 | ![]() | 49 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | FDS36 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 900mw | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.21.0095 | 2 500 | 2 Canaux N (double) | 100V | 1.3a | 480mohm @ 1,3a, 10v | 4V @ 250µA | 5nc @ 10v | 153pf @ 50v | Porte de Niveau Logique | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAW76 | 1 0000 | ![]() | 7262 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | Par le trou | DO-204AH, DO-35, Axial | BAW76 | Standard | Do-35 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0070 | 10 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 75 V | 1 V @ 100 mA | 4 ns | 100 na @ 50 V | 175 ° C (max) | 300mA | 2pf @ 0v, 1mhz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDA8440 | 3.9800 | ![]() | 7543 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | TO-3P-3, SC-65-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | To-3pn | télécharger | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | Canal n | 40 V | 30A (TA), 100A (TC) | 4,5 V, 10V | 2.1MOHM @ 80A, 10V | 3V à 250µA | 450 NC @ 10 V | ± 20V | 24740 PF @ 25 V | - | 306W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MM3Z20VC | 0,0300 | ![]() | 55 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Support de surface | SC-90, SOD-323F | 200 MW | SOD-323F | télécharger | EAR99 | 8541.10.0050 | 11 539 | 1 V @ 10 mA | 45 na @ 14 V | 20 V | 51 ohms |
Volume de RFQ moyen quotidien
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