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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Tolérance | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Type d'entrée | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | ECCN | HTSUS | Norme de package | Vitre | Taper fet | Condition de test | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | VGS (max) | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Dissipation de Puisse (max) | Tension - DC inverse (VR) (max) | Tension - en Avant (vf) (max) @ si | Temps de réménage inversé (TRR) | Courant - FUITE INVERSEE @ VR | Température de FonctionNement - Jonction | Current - Rectifié Moyen (IO) | Capacité @ vr, f | Type igbt | Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) | Courant - Collectionneur (IC) (Max) | COURANT - COPEUR PULSÉ (ICM) | Vce (on) (max) @ vge, ic | Commutation d'Énergie | Charge de Porte | TD (On / Off) à 25 ° C | Type de diode | Tension - Pic inverse (max) | COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) | Tension - Zener (NOM) (VZ) | Impédance (max) (ZZT) | Type de transistor | VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC | Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE | FRÉQUENCE - transition |
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![]() | FDMS5362L | 0 2900 | ![]() | 45 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | * | En gros | Actif | FDMS5362 | - | - | Non applicable | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8542.39.0001 | 3 000 | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FFB2222A | 1 0000 | ![]() | 9966 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | FFB22 | 300mw | SC-88 (SC-70-6) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 0000.00.0000 | 3 000 | 40V | 500mA | 10NA (ICBO) | 2 npn (double) | 1V @ 50mA, 500mA | 100 @ 150mA, 10V | 300 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FCP25N60N | 4.0200 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | Supremos ™ | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | FCP25 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220-3 | - | Non applicable | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | Canal n | 600 V | 25a (TC) | 10V | 125 mOhm @ 12,5a, 10v | 4V @ 250µA | 74 NC @ 10 V | ± 30V | 3352 PF @ 100 V | - | 216W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fan5009amx | 0,3000 | ![]() | 15 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | * | En gros | Actif | Fan5009 | - | - | Non applicable | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8542.39.0001 | 2 500 | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SJ633-E | - | ![]() | 4413 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | * | En gros | Actif | 2SJ633 | - | - | Non applicable | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | 1 | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84C16 | - | ![]() | 5966 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | Bzx84 | 250 MW | SOT-23-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 | 900 mV @ 10 mA | 50 na @ 11,2 V | 16 V | 40 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Bzx84c4v3 | 0,0200 | ![]() | 90 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | Bzx84c4 | 250 MW | SOT-23-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 | 900 mV @ 10 mA | 5 µA @ 1 V | 4.3 V | 90 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FCP11N65 | 1.4900 | ![]() | 3 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | * | En gros | Actif | FCP11 | - | - | Non applicable | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fjv1845pmtf | - | ![]() | 3428 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | 300 MW | SOT-23-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 0000.00.0000 | 3 000 | 120 V | 50 mA | 50NA (ICBO) | NPN | 300 mV @ 1MA, 10mA | 200 @ 1MA, 6V | 110 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HUFA76419D3ST | 0,5300 | ![]() | 713 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | Ultrafet ™ | En gros | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | HUFA76419 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 252aa | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | EAR99 | 0000.00.0000 | 713 | Canal n | 60 V | 20A (TC) | 4,5 V, 10V | 37MOHM @ 20A, 10V | 3V à 250µA | 27,5 NC @ 10 V | ± 16V | 900 pf @ 25 V | - | 75W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX85C47 | 0,0300 | ![]() | 32 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | ± 5% | - | Par le trou | DO-204AL, DO-41, Axial | BZX85C47 | 1,3 W | Do-41g | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V @ 200 mA | 500 na @ 36 V | 47 V | 90 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RURD4120S9A-SB82080 | 0,8700 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | * | En gros | Actif | - | Non applicable | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8542.39.0001 | 2 500 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMBZ5227B | - | ![]() | 8785 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | ± 5% | - | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBZ52 | 300 MW | SOT-23 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 | 900 mV @ 10 mA | 15 µA @ 1 V | 3,6 V | 24 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5254B | 3.7600 | ![]() | 140 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Par le trou | DO-204AH, DO-35, Axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | EAR99 | 8541.10.0050 | 80 | 1,2 V @ 200 mA | 100 na @ 21 V | 27 V | 41 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FGB3236-F085 | 1.4900 | ![]() | 22 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | Automotive, AEC-Q101, Ecospark® | En gros | Actif | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | Logique | 187 W | D2pak (à 263) | télécharger | Non applicable | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | EAR99 | 8541.29.0095 | 219 | 300V, 1kohm, 5v | - | 360 V | 44 A | 1,4 V @ 4V, 6A | - | 20 NC | - / 5,4 µs | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FGPF4633TU | 1 0000 | ![]() | 8367 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 EXCHET | Standard | 30,5 W | À 220f-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | 200v, 20a, 5ohm, 15v | Tranché | 330 V | 300 A | 1,8 V @ 15V, 70A | - | 60 NC | 8ns / 52ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fqpf1p50 | 1 0000 | ![]() | 5867 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | QFET® | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 EXCHET | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220f-3 | - | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | Canal p | 500 V | 1.03A (TC) | 10V | 10,5 ohm @ 515mA, 10V | 5V @ 250µA | 14 NC @ 10 V | ± 30V | 350 pf @ 25 V | - | 28W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDMS8670AS | 0,8000 | ![]() | 22 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-PowerTDFN | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-pqfn (5x6) | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 30 V | 23A (TA), 42A (TC) | 4,5 V, 10V | 3MOHM @ 23A, 10V | 3V @ 1MA | 55 NC @ 10 V | ± 20V | 3615 PF @ 15 V | - | 2.5W (TA), 78W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fqpf8p10 | 0,3700 | ![]() | 860 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | QFET® | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 EXCHET | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220f-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 860 | Canal p | 100 V | 5.3A (TC) | 10V | 530mohm @ 2 65a, 10v | 4V @ 250µA | 15 NC @ 10 V | ± 30V | 470 pf @ 25 V | - | 28W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDFS2P103A | 0,4300 | ![]() | 11 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.21.0095 | 2 500 | Canal p | 30 V | 5.3A (TA) | 4,5 V, 10V | 59MOHM @ 5.3A, 10V | 3V à 250µA | 8 NC @ 5 V | ± 25V | 535 pf @ 15 V | Diode Schottky (isolé) | 900mw (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQI50N06LTU | 1.3100 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | QFET® | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 262-3 longs longs, i²pak, à 262aa | MOSFET (Oxyde Métallique) | I2pak (à 262) | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 60 V | 52.4a (TC) | 5v, 10v | 21MOHM @ 26.2A, 10V | 2,5 V @ 250µA | 32 NC @ 5 V | ± 20V | 1630 pf @ 25 V | - | 3,75W (TA), 121W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDD24AN06LA0 | 1.1300 | ![]() | 6 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 252, (d-pak) | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 60 V | 7.1a (TA), 40A (TC) | 5v, 10v | 19MOHM @ 40A, 10V | 2V à 250µA | 21 NC @ 5 V | ± 20V | 1850 pf @ 25 V | - | 75W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDFS6N303 | 0 2900 | ![]() | 86 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.21.0095 | 2 500 | Canal n | 30 V | 6a (ta) | 4,5 V, 10V | 35MOHM @ 6A, 10V | 3V à 250µA | 17 NC @ 10 V | ± 20V | 350 pf @ 15 V | Diode Schottky (isolé) | 900mw (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N6009B | 1.8400 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | Par le trou | DO-204AH, DO-35, Axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.10.0050 | 163 | 1,2 V @ 200 mA | 100 na @ 18 V | 24 V | 62 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDS6688 | 1.0700 | ![]() | 20 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 30 V | 16a (ta) | 4,5 V, 10V | 6MOHM @ 16A, 10V | 3V à 250µA | 56 NC @ 5 V | ± 20V | 3888 PF @ 15 V | - | 2.5W (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQPF90N10V2 | 2.3700 | ![]() | 809 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | QFET® | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 EXCHET | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220f-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | Canal n | 100 V | 90a (TC) | 10V | 10MOHM @ 45A, 10V | 4V @ 250µA | 191 NC @ 10 V | ± 30V | 6150 pf @ 25 V | - | 83W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FFPF15U120STU | - | ![]() | 7989 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | Tube | Obsolète | Par le trou | À 220-2 EXCHET | Standard | À 220f-2l | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1200 V | 3,5 V @ 15 A | 100 ns | 15 µA à 1200 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 15A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N6012B | 1.8400 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | Par le trou | DO-204AH, DO-35, Axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.10.0050 | 163 | 1,2 V @ 200 mA | 100 na @ 25 V | 33 V | 88 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDI8442 | 1.5300 | ![]() | 6 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 262-3 longs longs, i²pak, à 262aa | MOSFET (Oxyde Métallique) | I2pak (à 262) | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 400 | Canal n | 40 V | 23A (TA), 80A (TC) | 10V | 2,9MOHM @ 80A, 10V | 4V @ 250µA | 235 NC @ 10 V | ± 20V | 12200 pf @ 25 V | - | 254W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Kbu4k | 1 0000 | ![]() | 8500 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | 4-sip, kbu | Standard | Kbu | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.10.0080 | 200 | 1 V @ 4 A | 5 µA @ 50 V | 4 A | Monophasé | 800 V |
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