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Produits semi-conduurs discrètes (5255)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Tolérance	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Type d'entrée	Technologie	Power - Max	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	ECCN	HTSUS	Norme de package	Configuration	Vitre	Taper fet	Condition de test	Égoutter la tension de la source (VDSS)	Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C	Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS)	RDS SUR (MAX) @ ID, VGS	Vgs (th) (max) @ id	Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS	VGS (max)	Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds	FET FONCTION	Dissipation de Puisse (max)	Configuration de diode	Tension - DC inverse (VR) (max)	COURANT - RECTIFIÉ MOYEN (IO) (Per Diode)	Tension - en Avant (vf) (max) @ si	Temps de réménage inversé (TRR)	Courant - FUITE INVERSEE @ VR	Température de FonctionNement - Jonction	Current - Rectifié Moyen (IO)	Capacité @ vr, f	Type igbt	Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max)	Courant - Collectionneur (IC) (Max)	COURANT - COPEUR PULSÉ (ICM)	Vce (on) (max) @ vge, ic	Commutation d'Énergie	Charge de Porte	TD (On / Off) à 25 ° C	Type de diode	Tension - Pic inverse (max)	COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX)	Tension - Zener (NOM) (VZ)	Impédance (max) (ZZT)	Type de transistor	VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC	Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE	FRÉQUENCE - transition
Kbu4k	1 0000	RFQ	8500	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Obsolète		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	4-sip, kbu			Standard		Kbu	télécharger	Rohs3 conforme			EAR99	8541.10.0080	200																		1 V @ 4 A		5 µA @ 50 V		4 A										Monophasé	800 V
FGPF7N60LSDTU	0,5500	RFQ	4	Semi-conducteur de Fairchild	-	Tube	Obsolète		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3 EXCHET		Standard		45 W	À 220f-3	télécharger	Rohs3 conforme			EAR99	8541.29.0095	50				300 V, 7A, 470OHM, 15V															65 ns					-	600 V	14 A	21 A	2v @ 15v, 7a	270 µJ (ON), 3,8MJ (OFF)	24 NC	120ns / 410ns
Bzx55c3v6	1 0000	RFQ	7622	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Obsolète	± 6%	-65 ° C ~ 200 ° C	Par le trou	DO-204AH, DO-35, Axial				500 MW	DO-35 (DO-204AH)	télécharger	Rohs3 conforme			EAR99	8541.10.0050	1 000																		1,3 V @ 100 mA		2 µA @ 1 V															3,6 V	85 ohms
3N259	1 0000	RFQ	2127	Semi-conducteur de Fairchild	-	Tube	Obsolète		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	4-sip, kbpm			Standard		Kbpm	télécharger	Rohs3 conforme			EAR99	8541.10.0080	30																		1,1 V @ 3,14 A		5 µA @ 1 V		2 A										Monophasé	1 kv
2W10G	1 0000	RFQ	1856	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Obsolète		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	4 circulaires, WOB			Standard		Patauger	télécharger	Rohs3 conforme			EAR99	8541.10.0080	1 000																		1.1 V @ 2 A		5 µA @ 1 V		2 A										Monophasé	1 kv
Si9424dy	0.4400	RFQ	2179	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®	En gros	Obsolète		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)			MOSFET (Oxyde Métallique)		8-SOIC	télécharger	Rohs3 conforme			EAR99	8541.29.0095	140			Canal p		20 V	8a (ta)	2,5 V, 4,5 V	24MOHM @ 8A, 4,5 V	1,5 V @ 250µA	33 NC @ 5 V	± 10V	2260 pf @ 10 V	-	2.5W (TA)
1N5394	0,0400	RFQ	68	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Obsolète			Par le trou	DO-204AC, DO-15, axial			Standard		Do-15	télécharger	Rohs3 conforme			EAR99	8541.10.0080	4 000		Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO)														300 V		1,4 V @ 1,5 A		5 µA @ 300 V	-55 ° C ~ 150 ° C	1.5a	25pf @ 4v, 1mhz
FDS7096N3	0.9900	RFQ	183	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®	En gros	Obsolète		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)			MOSFET (Oxyde Métallique)		8-SOIC	télécharger	Rohs3 conforme			EAR99	8541.29.0095	2 500			Canal n		30 V	14A (TA)	4,5 V, 10V	9MOHM @ 14A, 10V	3V à 250µA	22 NC @ 5 V	± 20V	1587 pf @ 15 V	-	3W (TA)
BZX55C24	0,0600	RFQ	30	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Obsolète	± 6%	-65 ° C ~ 200 ° C	Par le trou	DO-204AH, DO-35, Axial				500 MW	DO-35 (DO-204AH)	télécharger	Rohs3 conforme			EAR99	8541.10.0050	1 000																		1,3 V @ 100 mA		100 na @ 18 V															24 V	80 ohms
KSC1008RBU	0,0300	RFQ	6328	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Obsolète		150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa)				800 MW	To-92-3	télécharger	Rohs3 conforme			EAR99	8541.21.0095	9 000																									60 V	700 mA								100NA (ICBO)			NPN	400 mV à 50ma, 500mA	40 @ 50mA, 2V	50 MHz
Isl9v3036d3s	1.2300	RFQ	3	Semi-conducteur de Fairchild	Ecospark®	Tube	Obsolète		-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63		Logique		150 W	À 252, (d-pak)	télécharger	Rohs3 conforme			EAR99	8541.29.0095	1 800				300V, 1kohm, 5v																				-	360 V	21 A		1,6 V @ 4V, 6A	-	17 NC	- / 4,8 µs
Df005m	0,2300	RFQ	10	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	4-Edip (0,300 ", 7,62 mm)			Standard		DFM	télécharger				EAR99	8541.10.0080	1 296																		1.1 V @ 1 A		10 µA @ 50 V		1 a										Monophasé	50 V
GBPC2510W	-	RFQ	1579	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	4 Carrés, GBPC-W			Standard		GBPC-W	télécharger				EAR99	8541.10.0080	1																		1,1 V @ 12,5 A		5 µA @ 1 V		25 A										Monophasé	1 kv
FDMS3600S	-	RFQ	6104	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®	En gros	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-PowerTDFN	FDMS3600		MOSFET (Oxyde Métallique)	2.2W (TA), 2,5W (TA)	8-pqfn (5x6)	télécharger				EAR99	8542.39.0001	1	2 canal n (double) asymétrique				25V	15A (TA), 30A (TC), 30A (TA), 40A (TC)		5.6MOHM @ 15A, 10V, 1,6MOHM @ 30A, 10V	2,7 V @ 250µA, 3V @ 1MA	27nc @ 10v, 82nc @ 10v		1680pf @ 13v, 5375pf @ 13v	-
DFB2010	1.3600	RFQ	1	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	4-sip, TS-6P			Standard		TS-6P	télécharger				EAR99	8541.10.0080	240																		1.1 V @ 20 A		10 µA @ 50 V		20 a										Monophasé	100 V
FDS5670	1 0000	RFQ	5582	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®	En gros	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)			MOSFET (Oxyde Métallique)		8-SOIC	télécharger					0000.00.0000	1			Canal n		60 V	10A (TA)	6v, 10v	14MOHM @ 10A, 10V	4V @ 250µA	70 NC @ 10 V	± 20V	2900 pf @ 15 V	-	2.5W (TA)
FDMS3600AS	1.0100	RFQ	15	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®	En gros	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-PowerTDFN	FDMS3600		MOSFET (Oxyde Métallique)	2.2W, 2,5W	8-pqfn (5x6)	télécharger				EAR99	8542.39.0001	1	2 canal n (double) asymétrique				25V	15A, 30A		5,6MOHM @ 15A, 10V	2,7 V @ 250µA	27nc @ 10v		1770pf @ 13v	Porte de Niveau Logique
US1AFA	1 0000	RFQ	4051	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif			Support de surface	SOD-123W			Standard		Sod-123fa	télécharger				EAR99	8541.10.0080	1		Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)														50 V		950 mV @ 1 a	50 ns	5 µA @ 50 V	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	20pf @ 4v, 1mhz
DFB2580	1.8400	RFQ	180	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	4-sip, TS-6P			Standard		TS-6P	télécharger				EAR99	8541.10.0080	180																		1.1 V @ 25 A		10 µA @ 800 V		25 A										Monophasé	800 V
1N4734A-T50R	0,0500	RFQ	9390	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	Par le trou	DO-204AL, DO-41, Axial				1 W	DO-204AL (DO-41)	télécharger				EAR99	8541.10.0050	1																				10 µA @ 2 V															5.6 V	5 ohms
DFB20100	1 4000	RFQ	296	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	4-sip, TS-6P			Standard		TS-6P	télécharger				EAR99	8541.10.0080	296																		1.1 V @ 20 A		10 µA @ 50 V		20 a										Monophasé	1 kv
FQPF10N50CF	1.3500	RFQ	67	Semi-conducteur de Fairchild	Frfet®	En gros	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3 EXCHET			MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220f-3	télécharger				EAR99	8542.39.0001	223			Canal n		500 V	10A (TC)	10V	610MOHM @ 5A, 10V	4V @ 250µA	56 NC @ 10 V	± 30V	2096 PF @ 25 V	-	48W (TC)
Df02	1 0000	RFQ	7019	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	4 sous-marins			Standard		Df-s	télécharger				EAR99	8541.10.0080	1																		1,1 V @ 1,5 A		10 µA @ 200 V		1 a										Monophasé	200 V
KSC1008COTA	0,0200	RFQ	5300	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Obsolète		150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes				800 MW	To-92-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.21.0095	2 000																									60 V	700 mA								100NA (ICBO)			NPN	400 mV à 50ma, 500mA	70 @ 50mA, 2V	50 MHz
FGH40T65SPD-F085	2.4800	RFQ	1587	Semi-conducteur de Fairchild	Automobile, AEC-Q101	En gros	Actif		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3		Standard		267 W	À 247	télécharger				EAR99	8542.39.0001	1				400V, 40A, 6OHM, 15V																				NPT	650 V	80 A	120 A	2,4 V @ 15V, 40A	1,16mj (on), 270 µJ (off)	36 NC	18NS / 35NS
GBPC1504	2.5800	RFQ	150	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Terminal QC	4 Carrés, GBPC			Standard		GBPC	télécharger				EAR99	8541.10.0080	150																		1,1 V @ 7,5 A		10 µA @ 400 V		15 A										Monophasé	400 V
FDP8030L	4.7200	RFQ	7	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif		-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3			MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220-3	télécharger				EAR99	8542.39.0001	1			Canal n		30 V	80A (TA)	4,5 V, 10V	3,5 mohm @ 80a, 10v	2V à 250µA	170 NC @ 5 V	± 20V	10500 pf @ 15 V	-	187W (TC)
FQI5N60CTU	0,8600	RFQ	35	Semi-conducteur de Fairchild	QFET®	En gros	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 262-3 longs longs, i²pak, à 262aa			MOSFET (Oxyde Métallique)		I2pak (à 262)	télécharger				EAR99	8542.39.0001	1			Canal n		600 V	4.5a (TC)	10V	2,5 ohm @ 2,25a, 10v	4V @ 250µA	19 NC @ 10 V	± 30V	670 pf @ 25 V	-	3.13W (TA), 100W (TC)
MBR1560CT	1 0000	RFQ	5560	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif			Par le trou	À 220-3			Schottky		À 220-3	télécharger				EAR99	8541.10.0080	1		Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)													1 paire la commune de cathode	60 V	15A	900 mV @ 15 a		1 ma @ 60 V	-65 ° C ~ 150 ° C
HUF75545P3	1.4300	RFQ	1	Semi-conducteur de Fairchild	Ultrafet ™	En gros	Actif		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3			MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220-3	télécharger				EAR99	8542.39.0001	210			Canal n		80 V	75A (TC)	10V	10MOHM @ 75A, 10V	4V @ 250µA	235 NC @ 20 V	± 20V	3750 pf @ 25 V	-	270W (TC)