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Produits semi-conduurs discrètes (5255)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Fuseau	Numéro de Protuit de Base	Technologie	Power - Max	Saisir	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	ECCN	HTSUS	Norme de package	Configuration	Vitre	Taper fet	Gagner	Actualiser	Tension	Tension - isolement	Égoutter la tension de la source (VDSS)	Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C	Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS)	RDS SUR (MAX) @ ID, VGS	Vgs (th) (max) @ id	Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS	VGS (max)	Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds	FET FONCTION	Dissipation de Puisse (max)	Tension - DC inverse (VR) (max)	Tension - en Avant (vf) (max) @ si	Temps de réménage inversé (TRR)	Courant - FUITE INVERSEE @ VR	Température de FonctionNement - Jonction	Current - Rectifié Moyen (IO)	Capacité @ vr, f	Type igbt	Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max)	Courant - Collectionneur (IC) (Max)	Vce (on) (max) @ vge, ic	Type de diode	Tension - Pic inverse (max)	COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX)	Thermistance NTC	Type de transistor	VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC	Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE	FRÉQUENCE - transition	RÉSISTANCE - BASE (R1)	Figure de Bruit (db typ @ f)
KSB564ACGBU	0,0700	RFQ	4	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Obsolète	150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa)				800 MW		To-92-3	télécharger	Rohs3 conforme			EAR99	8541.21.0075	4 798																										25 V	1 a				100NA (ICBO)		Pnp	500 MV à 100MA, 1A	200 @ 100mA, 1v	110 MHz
Fqu6n40ctu	-	RFQ	6824	Semi-conducteur de Fairchild	QFET®	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 251-3 courtise Pistes, Ipak, à 251aa			MOSFET (Oxyde Métallique)			I-pak	télécharger	Rohs3 conforme			EAR99	8541.29.0095	5 040			Canal n					400 V	4.5a (TC)	10V	1OHM @ 2 25A, 10V	4V @ 250µA	20 nc @ 10 V	± 30V	625 PF @ 25 V	-	2.5W (TA), 48W (TC)
MJD340TF	-	RFQ	9301	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif	150 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63		MJD34		1,56 W		D-pak	télécharger	Non applicable	1 (illimité)	Atteindre Affeté	EAR99	0000.00.0000	1																										300 V	500 mA				100 µA		NPN	-	30 @ 50mA, 10V	-
HP4410DYT	0,5900	RFQ	12	Semi-conducteur de Fairchild	Ultrafet®	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)			MOSFET (Oxyde Métallique)			8-SOIC	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Vendeur indéfini	EAR99	8541.29.0095	1			Canal n					30 V	10A (TA)	4,5 V, 10V	135MOHM @ 10A, 10V	1V @ 250µA	60 NC @ 10 V	± 16V	1600 pf @ 25 V	-	2.5W (TA)
KSC1674CYTA	0,0200	RFQ	322	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Obsolète	150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes				250mw		To-92-3	télécharger	Rohs3 conforme			EAR99	8541.21.0075	2 000				-																						20V	20 mA						NPN		120 @ 1MA, 6V	600 MHz		3 dB ~ 5 dB à 100mHz
FMG2G300LS60E	-	RFQ	7762	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	19 h ha		Fmg2		892 W	Standard	19 h ha	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.29.0095	3	Demi-pont																								-	600 V	300 A	1,8 V @ 15V, 300A			250 µA	Non
ISL9R18120G2	1 0000	RFQ	2861	Semi-conducteur de Fairchild	Furtivité ™	En gros	Actif		Par le trou	À 247-2			Standard			À 247-2	télécharger				EAR99	8542.39.0001	1		Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)																1200 V	3,3 V @ 18 A	70 ns	100 µA à 1200 V	-55 ° C ~ 150 ° C	18a	-
US2BA	0.1400	RFQ	4	Semi-conducteur de Fairchild	Automobile, AEC-Q101	En gros	Actif		Support de surface	DO-214AC, SMA			Standard			DO-214AC (SMA)	télécharger				EAR99	8541.10.0080	2 353		Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)																100 V	1 V @ 1,5 A	50 ns	5 µA @ 100 V	-55 ° C ~ 150 ° C	1.5a	50pf @ 4v, 1MHz
Fjv3111rmtf	-	RFQ	4062	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Obsolète		Support de surface	À 236-3, SC-59, SOT-23-3		FJV311		200 MW		SOT-23-3	télécharger	Rohs3 conforme			EAR99	8541.21.0075	3 000																										40 V	100 mA				100NA (ICBO)		NPN - Pré-biaisé	300 mV @ 1MA, 10mA	100 @ 1MA, 5V	250 MHz	22 kohms
HUFA76504DK8T	0,4300	RFQ	5	Semi-conducteur de Fairchild	Ultrafet ™	En gros	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)		HUFA76504	MOSFET (Oxyde Métallique)	2,5 W		8-SOIC	télécharger	Rohs3 conforme			EAR99	8541.29.0095	2 500	2 Canaux N (double)							80V	-		200 mohm @ 2,5a, 10v	3V à 250µA	10nc @ 10v		270pf @ 25v	Porte de Niveau Logique
Fqp32n20c	-	RFQ	2537	Semi-conducteur de Fairchild	QFET®	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3			MOSFET (Oxyde Métallique)			À 220-3	télécharger				EAR99	8542.39.0001	1			Canal n					200 V	28a (TC)	10V	82MOHM @ 14A, 10V	4V @ 250µA	110 NC @ 10 V	± 30V	2200 pf @ 25 V	-	156W (TC)
Fdpf7n50f	0,7100	RFQ	2	Semi-conducteur de Fairchild	UniFet ™	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3 EXCHET			MOSFET (Oxyde Métallique)			À 220f-3	télécharger	Rohs3 conforme			EAR99	8541.29.0095	50			Canal n					500 V	6A (TC)	10V	1.15OHM @ 3A, 10V	5V @ 250µA	20 nc @ 10 V	± 30V	960 pf @ 25 V	-	38,5W (TC)
Fjv992pmtf	-	RFQ	5408	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif	150 ° C (TJ)	Support de surface	À 236-3, SC-59, SOT-23-3				300 MW		SOT-23-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	0000.00.0000	3 000																										120 V	50 mA				-		Pnp	300 mV @ 1MA, 10mA	200 @ 1MA, 6V	50 MHz
FSBM20SL60	21.6000	RFQ	96	Semi-conducteur de Fairchild	SPM®	Tube	Obsolète		Par le trou	Module 32-Powerdip (1 370 ", 34,80 mm)	Igbt						télécharger	Rohs3 conforme			EAR99	8542.39.0001	48	3 phase				20 a	600 V	2500 VRM
FDD6796A	0,5200	RFQ	749	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®	En gros	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63			MOSFET (Oxyde Métallique)			À 252, (d-pak)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre Affeté	EAR99	0000.00.0000	750			Canal n					25 V	20A (TA), 40A (TC)		5,7MOHM @ 20A, 10V	3V à 250µA	34 NC @ 10 V	± 20V	1780 pf @ 13 V	-	3.7W (TA), 42W (TC)
RFD16N05SM_NL	-	RFQ	2706	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63			MOSFET (Oxyde Métallique)			À 252, (d-pak)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre Affeté	EAR99	8541.29.0095	387			Canal n					50 V	16A (TC)	10V	47MOHM @ 16A, 10V	4V @ 250µA	80 NC @ 20 V	± 20V	900 pf @ 25 V	-	72W (TC)
TIP30C	0 1700	RFQ	4759	Semi-conducteur de Fairchild	TIP30C	En gros	Actif	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3				2 W		À 220-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.29.0095	1																										100 V	1 a				300 µA		Pnp	700 mV à 125mA, 1A	40 @ 200mA, 4V	3 MHz
5HP01M-TL-E-FS	0,1000	RFQ	45	Semi-conducteur de Fairchild	*	En gros	Actif										-	Non applicable	1 (illimité)	Vendeur indéfini	EAR99	8541.21.0095	3 000
SFP9614	0,3000	RFQ	2635	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3			MOSFET (Oxyde Métallique)			À 220-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Vendeur indéfini	EAR99	8541.29.0095	726			Canal p					250 V	1.6A (TC)	10V	4OHM @ 800mA, 10V	4V @ 250µA		± 30V	295 pf @ 25 V	-	20W (TC)
FDMC7672	0,4200	RFQ	9	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®, Syncfet ™	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-POWERWDFN			MOSFET (Oxyde Métallique)			8 MLP (3,3x3,3)	télécharger				EAR99	8542.39.0001	715			Canal n					30 V	16.9A (TA), 20A (TC)	4,5 V, 10V	5,7MOHM @ 16,9A, 10V	3V à 250µA	57 NC @ 10 V	± 20V	3890 PF @ 15 V	-	2.3W (TA), 33W (TC)
Fes16ft	1 0000	RFQ	3029	Semi-conducteur de Fairchild	-	Tube	Obsolète		Par le trou	À 220-2			Standard			À 220-2	télécharger	Rohs3 conforme			EAR99	8541.10.0080	50		Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)																300 V	1,3 V @ 8 A	50 ns	10 µA @ 300 V	-65 ° C ~ 150 ° C	16A	170pf @ 4v, 1mhz
BC846A	0,0700	RFQ	96	Semi-conducteur de Fairchild	SOT-23	En gros	Actif	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 236-3, SC-59, SOT-23-3				200 MW		SOT-23	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Vendeur indéfini	EAR99	8541.21.0075	3 000																										65 V	100 mA				100NA (ICBO)		NPN	500 mV @ 5mA, 100mA	110 @ 2MA, 5V	100 MHz
RFD14N05SM9A_NL	-	RFQ	5637	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63			MOSFET (Oxyde Métallique)			À 252, (d-pak)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre Affeté	EAR99	8541.29.0095	1			Canal n					50 V	14A (TC)	10V	100 mohm @ 14a, 10v	4V @ 250µA	40 NC @ 20 V	± 20V	570 pf @ 25 V	-	48W (TC)
BC557abu	-	RFQ	6850	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Obsolète	150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa)				500 MW		To-92-3	-	Rohs3 conforme			EAR99	8541.21.0075	1 000																										45 V	100 mA				15NA (ICBO)		Pnp	650 mV @ 5mA, 100mA	110 @ 2MA, 5V	150 MHz
S1J	1 0000	RFQ	8096	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif		Support de surface	DO-214AC, SMA			Standard			DO-214AC, SMA	télécharger				EAR99	8541.10.0080	1		Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO)																600 V	1.1 V @ 1 A	1,5 µs	5 µA @ 600 V	-50 ° C ~ 150 ° C	1A	-
QSE114_0219	-	RFQ	7222	Semi-conducteur de Fairchild	*	En gros	Actif										-	Non applicable	1 (illimité)	Vendeur indéfini			1
FQP44N10	-	RFQ	6890	Semi-conducteur de Fairchild	QFET®	En gros	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3			MOSFET (Oxyde Métallique)			À 220-3	télécharger				EAR99	8542.39.0001	1			Canal n					100 V	43,5a (TC)	10V	39MOHM @ 21,75A, 10V	4V @ 250µA	62 NC @ 10 V	± 25V	1800 pf @ 25 V	-	146W (TC)
FDB8443	-	RFQ	8573	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®	En gros	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab			MOSFET (Oxyde Métallique)			D2pak (à 263)	télécharger				EAR99	8542.39.0001	1			Canal n					40 V	25A (TA), 120A (TC)	10V	3MOHM @ 80A, 10V	4V @ 250µA	185 NC @ 10 V	± 20V	9310 PF @ 25 V	-	188W (TC)
FQI27N25TU-F085	2 0000	RFQ	640	Semi-conducteur de Fairchild	Automobile, AEC-Q101	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 262-3 longs longs, i²pak, à 262aa		FQI2	MOSFET (Oxyde Métallique)			I2pak (à 262)	télécharger	Non applicable	1 (illimité)	Atteindre Affeté	EAR99	8541.29.0095	1			Canal n					250 V	25,5a (TC)	10V	110MOHM @ 12.75A, 10V	5V @ 250µA	65 NC @ 10 V	± 30V	1800 pf @ 25 V	-	3.13W (TA), 417W (TC)
GBPC12005	-	RFQ	1499	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Terminal QC	4 Carrés, GBPC			Standard			GBPC	télécharger				EAR99	8541.10.0080	1																			1.1 V @ 6 A		5 µA @ 50 V		12 A						Monophasé	50 V