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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Tolérance | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Configuration | Vitre | Taper fet | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | VGS (max) | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Dissipation de Puisse (max) | Configuration de diode | Tension - DC inverse (VR) (max) | COURANT - RECTIFIÉ MOYEN (IO) (Per Diode) | Tension - en Avant (vf) (max) @ si | Temps de réménage inversé (TRR) | Courant - FUITE INVERSEE @ VR | Température de FonctionNement - Jonction | Current - Rectifié Moyen (IO) | Capacité @ vr, f | Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) | Courant - Collectionneur (IC) (Max) | COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) | Tension - Zener (NOM) (VZ) | Impédance (max) (ZZT) | Type de transistor | VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC | Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE | FRÉQUENCE - transition |
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![]() | EGP20J | 0 2200 | ![]() | 23 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | Par le trou | DO-204AC, DO-15, axial | Standard | Do-15 | télécharger | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 385 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 600 V | 1,7 V @ 2 A | 75 ns | 5 µA @ 600 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 2A | 45pf @ 4v, 1mhz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC546CTA | - | ![]() | 4144 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes | 500 MW | To-92-3 | télécharger | Non applicable | Atteindre non affecté | 2156-BC546CTA-600039 | 1 | 65 V | 100 mA | 15NA (ICBO) | NPN | 600 mV @ 5mA, 100mA | 420 @ 2MA, 5V | 300 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1md2 | 0,0200 | ![]() | 50 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | * | En gros | Actif | - | Non applicable | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | 0000.00.0000 | 10 000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BD438 | 0,3100 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 225aa, à 126-3 | 36 W | TO-126-3 | télécharger | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 037 | 45 V | 4 A | 100 µA | Pnp | 600mV @ 200mA, 2A | 30 @ 10mA, 5V | 3 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Ksa916yta | 0,0900 | ![]() | 3 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 Corps Long (Plombs Formes) | 900 MW | To-92-3 | télécharger | EAR99 | 8542.39.0001 | 3 845 | 120 V | 800 mA | 100NA (ICBO) | Pnp | 1V @ 50mA, 500mA | 100 @ 100mA, 5V | 120 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BD17610STU | 0,2000 | ![]() | 19 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 225aa, à 126-3 | BD176 | 30 W | TO-126-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | 45 V | 3 A | 100 µA (ICBO) | Pnp | 800 MV à 100MA, 1A | 63 @ 150mA, 2V | 3 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BCX79 | 1 0000 | ![]() | 6250 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) | 625 MW | To-92-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.21.0095 | 2 000 | 45 V | 500 mA | 10na | Pnp | 600 mV à 2,5 mA, 100mA | 80 @ 10mA, 1V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Flz20va | 1 0000 | ![]() | 8727 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | ± 3% | -65 ° C ~ 175 ° C | Support de surface | DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 | 500 MW | SOD-80 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.10.0050 | 2 500 | 1,2 V @ 200 mA | 133 na @ 15 V | 18,5 V | 23,5 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4446 | 0,0600 | ![]() | 106 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | Par le trou | DO-204AH, DO-35, Axial | Standard | DO-35 (DO-204AH) | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.10.0070 | 179 | Petit signal = <200mA (IO), Toute Vinesse | 100 V | 1 V @ 20 mA | 4 ns | 25 na @ 20 V | 175 ° C (max) | 200m | 4pf @ 0v, 1mhz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQA8N90C | 1.8100 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | QFET® | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | TO-3P-3, SC-65-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | To-3p | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | Canal n | 900 V | 8A (TC) | 10V | 1,9 ohm @ 4a, 10v | 5V @ 250µA | 45 NC @ 10 V | ± 30V | 2080 PF @ 25 V | - | 240W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDMS8570 | 0,5100 | ![]() | 9 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench®, Syncfet ™ | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-PowerTDFN | FDMS85 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-pqfn (5x6) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | EAR99 | 0000.00.0000 | 3 000 | Canal n | 25 V | 24a (TA), 60A (TC) | 4,5 V, 10V | 2,8MOHM @ 24A, 10V | 2.2v @ 1MA | 425 NC @ 10 V | ± 12V | 2825 PF @ 13 V | - | 2.5W (TA), 48W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | FDMS3610S | - | ![]() | 3566 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-PowerTDFN | FDMS3610 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 1W | Power56 | télécharger | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 2 canal n (double) asymétrique | 25V | 17.5A, 30A | 5MOHM @ 17.5A, 10V | 2V à 250µA | 26nc @ 10v | 1570pf @ 13v | Porte de Niveau Logique | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MM5Z10V | 0,0200 | ![]() | 1839 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | ± 6% | -55 ° C ~ 150 ° C | Support de surface | SC-79, SOD-523 | 200 MW | SOD-523F | télécharger | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 100 na @ 8 V | 10 V | 20 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDB8442-F085 | - | ![]() | 5463 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | MOSFET (Oxyde Métallique) | D2pak (à 263) | - | Rohs non conforme | Vendeur indéfini | 2156-FDB8442-F085-600039 | 1 | Canal n | 40 V | 28A (TA), 80A (TC) | 10V | 2,9MOHM @ 80A, 10V | 4V @ 250µA | 235 NC @ 10 V | ± 20V | 12200 pf @ 25 V | - | 254W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | Rurd660 | - | ![]() | 4302 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | Tube | Obsolète | Par le trou | À 251-2, ipak | Standard | À 251-2 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 800 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 600 V | 1,5 V @ 6 A | 60 ns | 100 µA @ 600 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 6A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQI12N60CTU | 1.0900 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | QFET® | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 262-3 longs longs, i²pak, à 262aa | MOSFET (Oxyde Métallique) | I2pak (à 262) | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | Canal n | 600 V | 12A (TC) | 10V | 650 mohm @ 6a, 10v | 4V @ 250µA | 63 NC @ 10 V | ± 30V | 2290 pf @ 25 V | - | 3.13W (TA), 225W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N4402TF | 0,0200 | ![]() | 9157 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes | 625 MW | To-92-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.21.0095 | 10 000 | 40 V | 600 mA | - | Pnp | 750 MV @ 50mA, 500mA | 50 @ 150mA, 2V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDMS8670AS | 0,8000 | ![]() | 22 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-PowerTDFN | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-pqfn (5x6) | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 30 V | 23A (TA), 42A (TC) | 4,5 V, 10V | 3MOHM @ 23A, 10V | 3V @ 1MA | 55 NC @ 10 V | ± 20V | 3615 PF @ 15 V | - | 2.5W (TA), 78W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | EGP30K | 0,2800 | ![]() | 5 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | Par le trou | DO-201D, axial | Standard | Do-201Dad | télécharger | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 800 V | 1,7 V @ 3 A | 75 ns | 5 µA @ 800 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 3A | 75pf @ 4v, 1mhz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDS2070N3 | 1.9800 | ![]() | 13 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-so | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 150 V | 4.1a (TA) | 6v, 10v | 78MOHM @ 4.1A, 10V | 4V @ 250µA | 53 NC @ 10 V | ± 20V | 1884 PF @ 75 V | - | 3W (TA) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | Ffp30up20dntu | 1 0000 | ![]() | 3927 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | Tube | Obsolète | Par le trou | À 220-3 | Standard | À 220-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 200 V | 15A | 1,15 V @ 15 A | 45 ns | 100 µA @ 200 V | -65 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SFU9224TU | 0,2800 | ![]() | 273 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 251-3 courtise Pistes, Ipak, à 251aa | MOSFET (Oxyde Métallique) | I-pak | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal p | 250 V | 2.5a (TC) | 10V | 2,4 ohm @ 1,3a, 10v | 4V @ 250µA | 20 nc @ 10 V | ± 30V | 540 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 30W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | MM3Z33VB | 1 0000 | ![]() | 1263 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | Support de surface | SC-90, SOD-323F | 200 MW | SOD-323F | - | 0000.00.0000 | 1 | 1 V @ 10 mA | 45 na @ 23 V | 33 V | 75 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SFR9220TM | 1 0000 | ![]() | 3228 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 252-3 (DPAK) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal p | 200 V | 3.1A (TC) | 10V | 1,5 ohm @ 1,6a, 10v | 4V @ 250µA | 19 NC @ 10 V | ± 30V | 540 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 30W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | Ksh45h11itu | - | ![]() | 9624 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 251-3 courtise Pistes, Ipak, à 251aa | 1,75 W | I-pak | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 V | 8 A | 10 µA | Pnp | 1V @ 400mA, 8A | 60 @ 2a, 1v | 40 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HUF76132S3S | 0,9800 | ![]() | 4 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | Ultrafet ™ | En gros | Actif | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 263ab | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal n | 30 V | 75A (TC) | 4,5 V, 10V | 11MOHM @ 75A, 10V | 3V à 250µA | 52 NC @ 10 V | ± 20V | 1650 pf @ 25 V | - | 120W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | FQD1N60TM | 0,3100 | ![]() | 4 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | QFET® | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 252, (d-pak) | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 600 V | 1A (TC) | 10V | 11,5ohm @ 500mA, 10V | 5V @ 250µA | 6 NC @ 10 V | ± 30V | 150 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 30W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | SFU9034TU | 0,2600 | ![]() | 4 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 251-3 courtise Pistes, Ipak, à 251aa | MOSFET (Oxyde Métallique) | I-pak | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal p | 60 V | 14A (TC) | 10V | 140mohm @ 7a, 10v | 4V @ 250µA | 38 NC @ 10 V | ± 25V | 1155 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 49W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | FQPF7N10 | 1 0000 | ![]() | 7595 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | QFET® | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 EXCHET | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220f-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal n | 100 V | 5.5A (TC) | 10V | 350 mOhm @ 2 75a, 10v | 4V @ 250µA | 7,5 NC @ 10 V | ± 25V | 250 pf @ 25 V | - | 23W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | HUF76407DK8TR4810 | - | ![]() | 7606 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | * | En gros | Actif | - | 0000.00.0000 | 388 |
Volume de RFQ moyen quotidien
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