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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Tolérance | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Fuseau | Numéro de Protuit de Base | Type d'entrée | Technologie | Power - Max | Package de Périphérique Fournisseeur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Configuration | Vitre | Taper fet | Courant - Hold (IH) (Max) | Condition de test | Actualiser | Tension | Tension - isolement | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | VGS (max) | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Dissipation de Puisse (max) | Type triac | Tension - Hors de l'ÉTAT | COURANT - À L'ÉTAT (IT (RMS)) (Max) | Tension - Trigger de la Porte (VGT) (Max) | COURANT - Non-Répérée 50, 60Hz (ITSM) | Courant - Trigger de la Porte (IGT) (Max) | Tension - DC inverse (VR) (max) | Tension - en Avant (vf) (max) @ si | Temps de réménage inversé (TRR) | Courant - FUITE INVERSEE @ VR | Température de FonctionNement - Jonction | Current - Rectifié Moyen (IO) | Capacité @ vr, f | Type igbt | Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) | Courant - Collectionneur (IC) (Max) | COURANT - COPEUR PULSÉ (ICM) | Vce (on) (max) @ vge, ic | Commutation d'Énergie | Charge de Porte | TD (On / Off) à 25 ° C | Type de diode | Tension - Pic inverse (max) | COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) | Tension - Zener (NOM) (VZ) | Impédance (max) (ZZT) | Type de transistor | VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC | Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE | FRÉQUENCE - transition | RÉSISTANCE - BASE (R1) | Résistance - Base d'Emetteur (R2) |
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![]() | KST2222AMTF | - | ![]() | 3847 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | - | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | 350 MW | SOT-23-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 0000.00.0000 | 3 000 | 40 V | 600 mA | 10NA (ICBO) | NPN | 1V @ 50mA, 500mA | 100 @ 150mA, 10V | 300 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDD3570 | 0,5400 | ![]() | 10 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 252, (d-pak) | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 80 V | 10A (TA) | 6v, 10v | 20 mohm @ 10a, 10v | 4V @ 250µA | 76 NC @ 10 V | ± 20V | 2800 pf @ 40 V | - | 3.4W (TA), 69W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDH50N50_F133 | - | ![]() | 7819 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | UniFet ™ | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 247-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 247 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal n | 500 V | 48A (TC) | 105MOHM @ 24A, 10V | 5V @ 250µA | 137 NC @ 10 V | ± 20V | 6460 pf @ 25 V | - | 625W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FSAM10SH60A-FS | 58 6700 | ![]() | 406 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | Motion SPM® | En gros | Actif | Par le trou | Module 32-Powerdip (1 370 ", 34,80 mm) | Igbt | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre Affeté | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | Onduleur Triphasé | 10 a | 600 V | 2500 VRM | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
FSB50250UD | 7.2600 | ![]() | 270 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | Motion SPM® 5 | Tube | Obsolète | Par le trou | Module 23-Powerdip (0,551 ", 14,00 mm) | Mosfet | télécharger | Non applicable | EAR99 | 8542.39.0001 | 270 | 3 phase | 1.1 A | 500 V | 1500 VRM | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fkn2l60fbu | 0.1400 | ![]() | 10 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) | To-92-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.30.0080 | 1 000 | Célibataire | 10 mA | Logique - Porte sensible | 600 V | 1,5 A | 1,5 V | 9A, 10A | 5 mA | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FCH190N65F-F155 | 3.3400 | ![]() | 4300 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | FRFET®, Superfet® II | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 247-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 247-3 | télécharger | EAR99 | 8542.39.0001 | 66 | Canal n | 650 V | 20,6a (TC) | 10V | 190MOHM @ 10A, 10V | 5V @ 2MA | 78 NC @ 10 V | ± 20V | 3225 PF @ 100 V | - | 208W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQP20N06tstu | - | ![]() | 4448 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | QFET® | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220-3 | - | Non applicable | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal n | 60 V | 20A (TC) | 10V | 60mohm @ 10a, 10v | 4V @ 250µA | 15 NC @ 10 V | ± 25V | 590 pf @ 25 V | - | 53W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDPF55N06 | 0,8700 | ![]() | 97 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | UniFet ™ | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 EXCHET | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220f-3 | télécharger | EAR99 | 8542.39.0001 | 344 | Canal n | 60 V | 55A (TC) | 10V | 22MOHM @ 27,5A, 10V | 4V @ 250µA | 37 NC @ 10 V | ± 25V | 1510 PF @ 25 V | - | 48W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GBPC2510 | 1 0000 | ![]() | 9120 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Terminal QC | 4 Carrés, GBPC | Standard | GBPC | télécharger | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 1,1 V @ 12,5 A | 5 µA @ 1 V | 25 A | Monophasé | 1 kv | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDS2570 | - | ![]() | 6447 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.21.0095 | 2 500 | Canal n | 150 V | 4a (ta) | 6v, 10v | 72MOHM @ 4A, 10V | 4V @ 250µA | 62 NC @ 10 V | ± 20V | 1907 PF @ 75 V | - | 1W (ta) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4738A | 0,0300 | ![]() | 19 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | DO-204AL, DO-41, Axial | 1 W | DO-41 | télécharger | EAR99 | 8541.10.0050 | 9 616 | 1,2 V @ 200 mA | 10 µA @ 6 V | 8.2 V | 4,5 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HUFA76407D3ST | 0 4600 | ![]() | 41 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | Ultrafet ™ | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 252, (d-pak) | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 60 V | 12A (TC) | 4,5 V, 10V | 92MOHM @ 13A, 10V | 3V à 250µA | 11.3 NC @ 10 V | ± 16V | 350 pf @ 25 V | - | 38W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N971BTR | 0,0200 | ![]() | 35 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | Par le trou | DO-204AH, DO-35, Axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.10.0050 | 5 000 | 5 µA @ 20,6 V | 27 V | 41 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84C16 | - | ![]() | 5966 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | Bzx84 | 250 MW | SOT-23-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 | 900 mV @ 10 mA | 50 na @ 11,2 V | 16 V | 40 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FJN3304RBU | 0,0200 | ![]() | 54 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) | FJN330 | 300 MW | To-92-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 000 | 50 V | 100 mA | 100NA (ICBO) | NPN - Pré-biaisé | 300 mV à 500 µA, 10mA | 68 @ 5mA, 5V | 250 MHz | 47 kohms | 47 kohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FNF50560TD1 | 7.1200 | ![]() | 312 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | Motion SPM® 55 | En gros | Obsolète | Par le trou | Module 20-Powerdip (1 220 ", 31,00 mm) | Igbt | télécharger | Non applicable | EAR99 | 8542.39.0001 | 78 | 3 phase | 5 a | 600 V | 1500 VRM | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDC8886 | 0,2000 | ![]() | 184 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | MOSFET (Oxyde Métallique) | Supersot ™ -6 | télécharger | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 500 | Canal n | 30 V | 6.5A (TA), 8A (TC) | 4,5 V, 10V | 23MOHM @ 6.5A, 10V | 3V à 250µA | 7.4 NC @ 10 V | ± 20V | 465 PF @ 15 V | - | 1.6W (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PN2907ATAR | 1 0000 | ![]() | 4109 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes | 625 MW | To-92-3 | télécharger | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 | 60 V | 800 mA | 20NA (ICBO) | Pnp | 1,6 V @ 50mA, 500mA | 100 @ 150mA, 10V | 200 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MJD350TF | - | ![]() | 9699 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | 1,56 W | DPAK-3 | - | Rohs non conforme | Vendeur indéfini | 2156-MJD350TF-600039 | 1 | 300 V | 500 mA | 100 µA | Pnp | 1V @ 10mA, 100mA | 30 @ 50mA, 10V | 10 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Gf1m | - | ![]() | 2560 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | Support de surface | DO-214AC, SMA | Gf1 | Standard | SMA (DO-214AC) | télécharger | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Norme de récupération> 500ns,> 200mA (IO) | 1000 V | 1,2 V @ 1 A | 2 µs | 5 µA @ 1 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | 15pf @ 4v, 1mhz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQP10N20L | 1 0000 | ![]() | 9277 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | QFET ™ | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220-3 | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal n | 200 V | 10A (TC) | 5v, 10v | 360 MOHM @ 5A, 10V | 2V à 250µA | 17 NC @ 5 V | ± 20V | 830 pf @ 25 V | - | 87W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fqd8n25tf | 0 4600 | ![]() | 33 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | QFET® | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 252, (d-pak) | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 000 | Canal n | 250 V | 6.2a (TC) | 10V | 550mohm @ 3.1a, 10v | 5V @ 250µA | 15 NC @ 10 V | ± 30V | 530 pf @ 25 V | - | 2,5W (TA), 50W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DFB2580 | 1.8400 | ![]() | 180 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | 4-sip, TS-6P | Standard | TS-6P | télécharger | EAR99 | 8541.10.0080 | 180 | 1.1 V @ 25 A | 10 µA @ 800 V | 25 A | Monophasé | 800 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FGA6065ADF | - | ![]() | 6417 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | TO-3P-3, SC-65-3 | Standard | 306 W | To-3pn | télécharger | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 400V, 60A, 6OHM, 15V | 110 ns | Arête du Champ de Tranché | 650 V | 120 A | 180 A | 2.3V @ 15V, 60A | 2 46MJ (ON), 520µJ (OFF) | 84 NC | 25,6ns / 71ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX85C33-FS | - | ![]() | 8662 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | * | En gros | Actif | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 2156-BZX85C33-FS | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FKPF8N80 | 0,7000 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | Tube | Obsolète | - | Par le trou | À 220-3 EXCHET | À 220f-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.30.0080 | 50 | Célibataire | 50 mA | Standard | 800 V | 8 A | 1,5 V | 80a, 88a | 30 mA | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Flz5v6a | - | ![]() | 9665 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | ± 3% | -65 ° C ~ 175 ° C | Support de surface | DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 | 500 MW | SOD-80 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.10.0050 | 2 500 | 1,2 V @ 200 mA | 750 na @ 2,5 V | 5.4 V | 10,5 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KSD471ACGBU | 0,0200 | ![]() | 790 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) | 800 MW | To-92-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 000 | 30 V | 1 a | 100NA (ICBO) | NPN | 500 MV à 100MA, 1A | 200 @ 100mA, 1v | 130 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MM3Z43VB | 0,0300 | ![]() | 10 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | Support de surface | SC-90, SOD-323F | 200 MW | SOD-323F | télécharger | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V @ 10 mA | 45 Na @ 30.1 V | 43 V | 141 ohms |
Volume de RFQ moyen quotidien
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