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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Tolérance | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Fuseau | Numéro de Protuit de Base | Type d'entrée | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Configuration | Vitre | Taper fet | Condition de test | Actualiser | Tension | Tension - isolement | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | VGS (max) | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Dissipation de Puisse (max) | Configuration de diode | Tension - DC inverse (VR) (max) | COURANT - RECTIFIÉ MOYEN (IO) (Per Diode) | Tension - en Avant (vf) (max) @ si | Temps de réménage inversé (TRR) | Courant - FUITE INVERSEE @ VR | Température de FonctionNement - Jonction | Current - Rectifié Moyen (IO) | Capacité @ vr, f | Type igbt | Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) | Courant - Collectionneur (IC) (Max) | COURANT - COPEUR PULSÉ (ICM) | Vce (on) (max) @ vge, ic | Commutation d'Énergie | Charge de Porte | TD (On / Off) à 25 ° C | COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) | Tension - Zener (NOM) (VZ) | Impédance (max) (ZZT) | Type de transistor | VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC | Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE | FRÉQUENCE - transition |
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![]() | 1N4744A-T50A | - | ![]() | 6004 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Par le trou | DO-204AL, DO-41, Axial | 1 W | DO-41 | - | Rohs non conforme | Vendeur indéfini | 2156-1N4744A-T50A-600039 | 1 | 5 µA @ 11,4 V | 15 V | 14 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDP5800 | 1 0000 | ![]() | 3857 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220-3 | télécharger | 0000.00.0000 | 1 | Canal n | 60 V | 14A (TA), 80A (TC) | 4,5 V, 10V | 6MOHM @ 80A, 10V | 2,5 V @ 250µA | 145 NC @ 10 V | ± 20V | 9160 PF @ 15 V | - | 242W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HUF75639S3_NL | 1.1300 | ![]() | 655 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | Ultrafet® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | MOSFET (Oxyde Métallique) | D2pak (à 263) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal n | 100 V | 56a (TC) | 10V | 25MOHM @ 56A, 10V | 4V @ 250µA | 130 NC @ 20 V | ± 20V | 2000 pf @ 25 V | - | 200W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MM3Z3V6C | 0,0300 | ![]() | 128 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Support de surface | SC-90, SOD-323F | 200 MW | SOD-323F | télécharger | EAR99 | 8541.10.0050 | 11 539 | 1 V @ 10 mA | 4,5 µA @ 1 V | 3,6 V | 84 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N6015B | 1.8400 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | Par le trou | DO-204AH, DO-35, Axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.10.0050 | 163 | 1,2 V @ 200 mA | 100 na @ 33 V | 43 V | 150 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX85C6V2-T50A | 0,0400 | ![]() | 15 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | ± 6 45% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Par le trou | DO-204AL, DO-41, Axial | 1 W | DO-204AL (DO-41) | - | Vendeur indéfini | Atteindre Affeté | 2156-BZX85C6V2-T50A-600039 | 1 | 1,2 V @ 200 mA | 1 µA @ 3 V | 6.2 V | 4 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQA16N50 | 4.1900 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | QFET® | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | TO-3P-3, SC-65-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | To-3p | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 450 | Canal n | 500 V | 16A (TC) | 10V | 320 mohm @ 8a, 10v | 5V @ 250µA | 75 NC @ 10 V | ± 30V | 3000 pf @ 25 V | - | 200W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BCW31 | 0,0200 | ![]() | 6326 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | 350 MW | SOT-23-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.21.0075 | 681 | 32 V | 500 mA | 100NA (ICBO) | NPN | 250 mV à 500 µA, 10mA | 110 @ 2MA, 5V | 200 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Flz4v7a | 1 0000 | ![]() | 4660 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | ± 3% | -65 ° C ~ 175 ° C | Support de surface | DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 | 500 MW | SOD-80 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V @ 200 mA | 190 na @ 1 V | 4.6 V | 21 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Rurd660 | 1 0000 | ![]() | 6699 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | Avalanche | À 252, (d-pak) | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 600 V | 1,5 V @ 6 A | 60 ns | 100 µA @ 600 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 6A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HGTP14N44G3VL | 1 0000 | ![]() | 9388 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | Logique | 231 W | À 220ab | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 300V, 7,5a, 1kohm, 5v | - | 490 V | 27 A | 1,9 V @ 4,5 V, 8A | - | - / 18µs | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MM5Z18V-FS | 1 0000 | ![]() | 2653 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | ± 6,39% | -55 ° C ~ 150 ° C | Support de surface | SC-79, SOD-523 | 200 MW | SOD-523F | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 8 000 | 50 na @ 12,6 V | 18 V | 45 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | EGF1B | 0,2500 | ![]() | 3 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | Support de surface | DO-214AC, SMA | Standard | DO-214AC (SMA) | télécharger | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 205 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 100 V | 1 V @ 1 A | 50 ns | 10 µA à 100 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | 15pf @ 4v, 1mhz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4742atr | 1 0000 | ![]() | 9155 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | Par le trou | DO-204AL, DO-41, Axial | 1 W | DO-204AL (DO-41) | télécharger | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 5 µA @ 9,1 V | 12 V | 9 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Bzx84c4v7 | - | ![]() | 5180 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | Bzx84c4 | 250 MW | SOT-23-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 | 900 mV @ 10 mA | 3 µA @ 2 V | 4.7 V | 80 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | USB10H | 1 0000 | ![]() | 1200 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | USB10 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 700mw | Supersot ™ -6 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.21.0095 | 3 000 | 2 Canal P (double) | 20V | 1.9A | 170MOHM @ 1,9A, 4,5 V | 1,5 V @ 250µA | 4.2nc @ 4.5 V | 441pf @ 10v | Porte de Niveau Logique | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fam65v05df1 | 41.0100 | ![]() | 15 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | Auto SPM® | En gros | Actif | Par le trou | Module 27-Powerdip (0,300 ", 7,62 mm) | Igbt | télécharger | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 3 phase | 50 a | 650 V | 2500 VRM | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Gf1m | - | ![]() | 2560 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | Support de surface | DO-214AC, SMA | Gf1 | Standard | SMA (DO-214AC) | télécharger | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 1000 V | 1,2 V @ 1 A | 2 µs | 5 µA @ 1 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | 15pf @ 4v, 1mhz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N3070 | 6.2400 | ![]() | 4 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | Par le trou | DO-204AH, DO-35, Axial | Standard | DO-35 (DO-204AH) | télécharger | Rohs non conforme | EAR99 | 8541.10.0070 | 49 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 200 V | 1 V @ 100 mA | 50 ns | 100 na @ 175 V | 175 ° C (max) | 500mA | 5pf @ 0v, 1mhz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SS9015-DBU | 0,0200 | ![]() | 6618 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) | 450 MW | To-92-3 | télécharger | EAR99 | 8541.21.0075 | 9 900 | 45 V | 100 mA | 50NA (ICBO) | Pnp | 700 MV à 5MA, 100mA | 400 @ 1MA, 5V | 190 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | S310 | 0,3400 | ![]() | 378 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | Support de surface | DO-214AB, SMC | Schottky | SMC (DO-214AB) | télécharger | EAR99 | 8541.10.0080 | 948 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 100 V | 850 mV @ 3 a | 500 µA à 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SS16 | - | ![]() | 8293 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | Support de surface | DO-214AC, SMA | SS16 | Schottky | SMA (DO-214AC) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 316 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 60 V | 700 mV @ 1 a | 200 µA @ 60 V | -65 ° C ~ 125 ° C | 1A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FGAF40N60UFTU | 1.8800 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | * | En gros | Actif | télécharger | EAR99 | 8542.39.0001 | 160 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | S2B | - | ![]() | 1122 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | Support de surface | DO-214AA, SMB | Standard | SMB (DO-214AA) | télécharger | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 100 V | 1,15 V @ 2 A | 1,5 µs | 5 µA @ 100 V | -50 ° C ~ 150 ° C | 2A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fdll914b | 0,0300 | ![]() | 120 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | Support de surface | DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 | Standard | SOD-80 | télécharger | EAR99 | 8542.39.0001 | 11 539 | Petit signal = <200mA (IO), Toute Vinesse | 100 V | 1 V @ 5 mA | 4 ns | 5 µA @ 75 V | 175 ° C (max) | 200m | 4pf @ 0v, 1mhz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FGH40T65SHD-F155 | 1 0000 | ![]() | 5048 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 247-3 | FGH40 | Standard | 268 W | À 247 Pistes longs | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 400V, 40A, 6OHM, 15V | 31,8 ns | Arête du Champ de Tranché | 650 V | 80 A | 120 A | 2.1V @ 15V, 40A | 1 01mj (on), 297 µJ (off) | 72.2 NC | 19.2ns / 65.6ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ES1B | 1 0000 | ![]() | 8391 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | Support de surface | DO-214AC, SMA | Standard | DO-214AC, SMA | télécharger | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 100 V | 920 mV @ 1 a | 15 ns | 5 µA @ 100 V | -50 ° C ~ 150 ° C | 1A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
FDW258P | 1.3600 | ![]() | 92 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm de grosur) | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-TSSOP | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.21.0095 | 2 500 | Canal p | 12 V | 9a (ta) | 1,8 V, 4,5 V | 11MOHM @ 9A, 4,5 V | 1,5 V @ 250µA | 73 NC @ 4,5 V | ± 8v | 5049 PF @ 5 V | - | 1.3W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HGTD7N60C3S9A | 1.2200 | ![]() | 249 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | Standard | 60 W | À 252, (d-pak) | télécharger | EAR99 | 8541.29.0095 | 249 | - | - | 600 V | 14 A | 56 A | 2v @ 15v, 7a | 165 µJ (ON), 600 µJ (OFF) | 23 NC | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FFAF20U20DNTU | 0,8300 | ![]() | 720 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | Tube | Obsolète | Par le trou | TO-3P-3 EXCHET | Standard | To-3pf | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 200 V | 20A | 1,2 V @ 20 A | 40 ns | 20 µA @ 200 V | -65 ° C ~ 150 ° C |
Volume de RFQ moyen quotidien
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