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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Tolérance | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Fuseau | Numéro de Protuit de Base | Type d'entrée | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | ECCN | HTSUS | Norme de package | Configuration | Taper fet | Condition de test | Actualiser | Tension | Tension - isolement | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | VGS (max) | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Dissipation de Puisse (max) | Tension - en Avant (vf) (max) @ si | Temps de réménage inversé (TRR) | Courant - FUITE INVERSEE @ VR | Type igbt | Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) | Courant - Collectionneur (IC) (Max) | COURANT - COPEUR PULSÉ (ICM) | Vce (on) (max) @ vge, ic | Commutation d'Énergie | Charge de Porte | TD (On / Off) à 25 ° C | COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) | Tension - Zener (NOM) (VZ) | Impédance (max) (ZZT) | Type de transistor | VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC | Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE | FRÉQUENCE - transition |
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FDW2501NZ | - | ![]() | 8759 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm de grosur) | FDW25 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 600mw | 8-TSSOP | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.21.0095 | 3 | 2 Canaux N (double) | 20V | 5.5a | 18MOHM @ 5.5A, 4,5 V | 1,5 V @ 250µA | 17nc @ 4,5 V | 1286pf @ 10v | Porte de Niveau Logique | |||||||||||||||||||||||||||||||
FCAS20DN60BB | 11.7500 | ![]() | 141 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | SPM® | Tube | Obsolète | Par le trou | Module de 20 PowerSip, FILS FORMés | Igbt | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8542.39.0001 | 11 | 2 phases | 20 a | 600 V | 1500 VRM | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDB8442 | 1.6700 | ![]() | 10 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | MOSFET (Oxyde Métallique) | D2pak (à 263) | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal n | 40 V | 28A (TA), 80A (TC) | 10V | 2,9MOHM @ 80A, 10V | 4V @ 250µA | 235 NC @ 10 V | ± 20V | 12200 pf @ 25 V | - | 254W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQB9N08TM | 0,3100 | ![]() | 7 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | QFET® | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | MOSFET (Oxyde Métallique) | D2pak (à 263) | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal n | 80 V | 9.3a (TC) | 10V | 210MOHM @ 4.65A, 10V | 4V @ 250µA | 7,7 NC @ 10 V | ± 25V | 250 pf @ 25 V | - | 3,75W (TA), 40W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FGP20N6S2D | - | ![]() | 2535 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | Standard | 125 W | À 220-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 400 | 390v, 7a, 25 ohms, 15v | 31 ns | - | 600 V | 28 A | 40 A | 2,7 V @ 15V, 7A | 25 µJ (ON), 58µJ (OFF) | 30 NC | 7,7ns / 87ns | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDP6030L | 0,5700 | ![]() | 61 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | Tube | Obsolète | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 30 V | 48A (TA) | 4,5 V, 10V | 13MOHM @ 26A, 10V | 3V à 250µA | 18 NC @ 5 V | ± 20V | 1250 pf @ 15 V | - | 52W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQN1N50CBU | - | ![]() | 8745 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | QFET® | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) | MOSFET (Oxyde Métallique) | To-92-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.21.0095 | 1447 | Canal n | 500 V | 380mA (TC) | 10V | 6OHM @ 190mA, 10V | 4V @ 250µA | 6,4 NC @ 10 V | ± 30V | 195 PF @ 25 V | - | 890MW (TA), 2.08W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQI4N25TU | 0.1900 | ![]() | 8002 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | QFET® | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 262-3 longs longs, i²pak, à 262aa | MOSFET (Oxyde Métallique) | I2pak (à 262) | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 175 | Canal n | 250 V | 3.6A (TC) | 10V | 1,75 ohm @ 1,8A, 10V | 5V @ 250µA | 5.6 NC @ 10 V | ± 30V | 200 pf @ 25 V | - | 3.13W (TA), 52W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HUF75623P3 | 0,5200 | ![]() | 4 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | Ultrafet ™ | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 400 | Canal n | 100 V | 22A (TC) | 10V | 64MOHM @ 22A, 10V | 4V @ 250µA | 52 NC @ 20 V | ± 20V | 790 pf @ 25 V | - | 85W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HUF75337P3 | - | ![]() | 2357 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | Ultrafet ™ | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220-3 | télécharger | Rohs non conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 400 | Canal n | 55 V | 75A (TC) | 10V | 14MOHM @ 75A, 10V | 4V @ 250µA | 109 NC @ 20 V | ± 20V | 1775 PF @ 25 V | - | 175W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RFP45N06 | 0,7300 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 400 | Canal n | 60 V | 45A (TC) | 10V | 28MOHM @ 45A, 10V | 4V @ 250µA | 150 NC @ 20 V | ± 20V | 2050 PF @ 25 V | - | 131W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HUF75531SK8T | - | ![]() | 5192 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | Ultrafet ™ | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 80 V | 6a (ta) | 10V | 30MOHM @ 6A, 10V | 4V @ 250µA | 82 NC @ 20 V | ± 20V | 1210 PF @ 25 V | - | 2.5W (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MPS651 | - | ![]() | 8489 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) | 625 MW | To-92-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.21.0095 | 2 000 | 60 V | 800 mA | 100NA (ICBO) | NPN | 500 MV @ 200mA, 2A | 75 @ 1A, 2V | 75 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQP6P25 | 0,8300 | ![]() | 127 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | QFET® | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | Canal p | 250 V | 6A (TC) | 10V | 1,1 ohm @ 3a, 10v | 5V @ 250µA | 27 NC @ 10 V | ± 30V | 780 pf @ 25 V | - | 90W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX55C36 | 0,0300 | ![]() | 4663 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | ± 6% | -65 ° C ~ 200 ° C | Par le trou | DO-204AH, DO-35, Axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.10.0050 | 9 000 | 1,3 V @ 100 mA | 100 na @ 27 V | 36 V | 80 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC32716BU | 0,0400 | ![]() | 44 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) | 625 MW | To-92-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.21.0075 | 10 000 | 45 V | 800 mA | 100NA | Pnp | 700 mV à 50ma, 500mA | 100 @ 100mA, 1v | 100 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDU6296 | 0,5300 | ![]() | 7 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 251-3 courtise Pistes, Ipak, à 251aa | MOSFET (Oxyde Métallique) | I-pak | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | Canal n | 30 V | 15A (TA), 50A (TC) | 4,5 V, 10V | 8,8MOHM @ 15A, 10V | 3V à 250µA | 31,5 NC @ 10 V | ± 20V | 1440 pf @ 15 V | - | 3.8W (TA), 52W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDS4895C | 1 0000 | ![]() | 5000 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | FDS48 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 900mw | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.21.0095 | 2 500 | Canal n et p | 40V | 5.5a, 4.4a | 39MOHM @ 5.5A, 10V | 5V @ 250µA | 10nc @ 10v | 410pf @ 20v | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDP8443 | 1.2300 | ![]() | 12 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 400 | Canal n | 40 V | 20A (TA), 80A (TC) | 10V | 3,5 mohm @ 80a, 10v | 4V @ 250µA | 185 NC @ 10 V | ± 20V | 9310 PF @ 25 V | - | 188W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQP5P20 | 1 0000 | ![]() | 1738 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | QFET® | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | Canal p | 200 V | 4.8A (TC) | 10V | 1,4 ohm @ 2,4a, 10v | 5V @ 250µA | 13 NC @ 10 V | ± 30V | 430 pf @ 25 V | - | 75W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC32725TF | - | ![]() | 9485 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes | 625 MW | To-92-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.21.0075 | 2 000 | 45 V | 800 mA | 100NA | Pnp | 700 mV à 50ma, 500mA | 160 @ 100mA, 1V | 100 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC32725 | 0,0600 | ![]() | 53 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) | 625 MW | To-92-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.21.0075 | 2 000 | 45 V | 800 mA | 100NA | Pnp | 700 mV à 50ma, 500mA | 160 @ 100mA, 1V | 100 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FGA90N30DTU | 2.5200 | ![]() | 70 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | TO-3P-3, SC-65-3 | Standard | 219 W | To-3p | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | - | 21 ns | - | 300 V | 90 A | 220 A | 1,4 V @ 15V, 20A | - | 87 NC | - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Isl9n302as3st | 2.0700 | ![]() | 50 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | Ultrafet ™ | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | MOSFET (Oxyde Métallique) | D2pak (à 263) | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal n | 30 V | 75A (TC) | 4,5 V, 10V | 2,3MOHM @ 75A, 10V | 3V à 250µA | 300 NC @ 10 V | ± 20V | 11000 pf @ 15 V | - | 345W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Ksa642ybu | 0,0200 | ![]() | 144 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) | 400 MW | To-92-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 000 | 25 V | 300 mA | 100NA (ICBO) | Pnp | 600 mV @ 30mA, 300mA | 120 @ 50mA, 1V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Ksa642yta | 0,0200 | ![]() | 97 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes | 400 MW | To-92-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.21.0095 | 2 000 | 25 V | 300 mA | 100NA (ICBO) | Pnp | 600 mV @ 30mA, 300mA | 120 @ 50mA, 1V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KSC2328AOBU | 0,0500 | ![]() | 6 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 Corps long | 1 W | To-92-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0075 | 6 107 | 30 V | 2 A | 100NA (ICBO) | NPN | 2v @ 30mA, 1,5a | 100 @ 500mA, 2V | 120 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC337 | 1 0000 | ![]() | 6122 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes | 625 MW | À 92 (à 226) | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.21.0075 | 2 000 | 45 V | 800 mA | 100NA | NPN | 700 mV à 50ma, 500mA | 100 @ 100mA, 1v | 210 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDB8445-F085 | 1 0000 | ![]() | 7636 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | MOSFET (Oxyde Métallique) | D2pak (à 263) | télécharger | Non applicable | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal n | 40 V | 70A (TC) | 10V | 9MOHM @ 70A, 10V | 4V @ 250µA | 62 NC @ 10 V | ± 20V | 3805 PF @ 25 V | - | 92W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDC796N | 0,6400 | ![]() | 988 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 6-SSOT À PLAGE PLAT, SuperSot ™ -6 FLMP | MOSFET (Oxyde Métallique) | Supersot ™ -6 flmp | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 30 V | 12.5A (TA) | 4,5 V, 10V | 9MOHM @ 12.5A, 10V | 3V à 250µA | 20 nc @ 5 V | ± 20V | 1444 PF @ 15 V | - | 2W (ta) |
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