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Produits semi-conduurs discrètes (5251)

Image Numéro de Produit Prix (USD) Quantité ECAD Quantité disponible Poids (kg) MFR Série Peigner ÉTAT DU PRODUIT Tolérance Température de fonctionnels Type de Montage Package / ÉTUI Numéro de Protuit de Base Type d'entrée Technologie Power - Max Saisir Forfait de Périphérique Fournisseur Fiche de Donnés Statt Rohs Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) Statt de Portée Noms Autres ECCN HTSUS Norme de package Configuration Taper fet Condition de test Égoutter la tension de la source (VDSS) Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) RDS SUR (MAX) @ ID, VGS Vgs (th) (max) @ id Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS VGS (max) Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds FET FONCTION Dissipation de Puisse (max) Tension - en Avant (vf) (max) @ si Temps de réménage inversé (TRR) Courant - FUITE INVERSEE @ VR Type igbt Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) Courant - Collectionneur (IC) (Max) COURANT - COPEUR PULSÉ (ICM) Vce (on) (max) @ vge, ic Commutation d'Énergie Charge de Porte TD (On / Off) à 25 ° C COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) Thermistance NTC Tension - Zener (NOM) (VZ) Impédance (max) (ZZT) Capacité d'entrée (cies) @ vce Type de transistor VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE FRÉQUENCE - transition
FDS6994S Fairchild Semiconductor FDS6994S 0,9200
RFQ
 ECAD 50 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild PowerTrench®, Syncfet ™ En gros Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) FDS69 MOSFET (Oxyde Métallique) 900mw 8-SOIC télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 0000.00.0000 2 500 2 Canaux N (double) 30V 6.9a, 8.2a 21MOHM @ 6.9A, 10V 3V à 250µA 12nc @ 5v 800pf @ 15v Porte de Niveau Logique
FDPF13N50NZ Fairchild Semiconductor FDPF13N50NZ 1 0000
RFQ
 ECAD 4735 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild Unifet-ii ™ En gros Actif - Par le trou À 220-3 EXCHET Fdpf1 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220f - Non applicable 1 (illimité) Vendeur indéfini EAR99 8542.39.0001 1 Canal n 500 V 12A 540MOHM @ 6A, 10V 5V @ 250µA 39 NC @ 10 V 1930 pf @ 25 V - 42W (TC)
IRF640ACP001 Fairchild Semiconductor Irf640acp001 0,8000
RFQ
 ECAD 47 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild * En gros Actif IRF640 - - Non applicable 1 (illimité) Vendeur indéfini EAR99 8542.39.0001 375 -
FCPF11N60T Fairchild Semiconductor Fcpf11n60t -
RFQ
 ECAD 9096 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild Superfet ™ En gros Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 EXCHET Fcpf11 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220f - Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre Affeté EAR99 0000.00.0000 1 Canal n 600 V 11a (TC) 10V 380mohm @ 5.5a, 10v 5V @ 250µA 52 NC @ 10 V ± 30V 1490 pf @ 25 V - 36W (TC)
BZX85C18 Fairchild Semiconductor BZX85C18 0,0300
RFQ
 ECAD 61 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild - En gros Actif ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Par le trou DO-204AL, DO-41, Axial 1 W DO-204AL (DO-41) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0050 3 000 1,2 V @ 200 mA 500 na @ 12,5 V 18 V 20 ohms
FDMC8010A Fairchild Semiconductor FDMC8010A 1.1100
RFQ
 ECAD 6 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild * En gros Actif FDMC8010 - - Non applicable 1 (illimité) Vendeur indéfini EAR99 8542.39.0001 3 000 -
SGH10N60RUFDTU Fairchild Semiconductor SGH10N60RUFDTU 2.1000
RFQ
 ECAD 173 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild - En gros Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou TO-3P-3, SC-65-3 SGH10N60 Standard 75 W To-3pn télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 0000.00.0000 1 300 V, 10A, 20OHM, 15V 60 ns - 600 V 16 A 30 A 2,8 V @ 15V, 10A 141 µJ (ON), 215 µJ (OFF) 30 NC 15ns / 36ns
MMSZ5226B-FS Fairchild Semiconductor MMSZ5226B-FS 0,0200
RFQ
 ECAD 307 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild - En gros Actif ± 5% 150 ° C (TJ) Support de surface SOD-123 500 MW SOD-123 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0050 3 000 900 mV @ 10 mA 25 µA @ 1 V 3,3 V 28 ohms
FDMC7692S-F126 Fairchild Semiconductor FDMC7692S-F126 -
RFQ
 ECAD 9784 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild - En gros Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 8-POWERWDFN MOSFET (Oxyde Métallique) 8 MLP (3,3x3,3) - 2156-FDMC7692S-F126 1 Canal n 30 V 12.5A (TA), 18A (TC) 4,5 V, 10V 9.3MOHM @ 12.5A, 10V 3V @ 1MA 23 NC @ 10 V ± 20V 1385 pf @ 15 V - 2.3W (TA), 27W (TC)
HGTP14N36G3VL Fairchild Semiconductor HGTP14N36G3VL -
RFQ
 ECAD 8017 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild - En gros Obsolète -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 Logique 100 W À 220ab - 2156-HGTP14N36G3VL 1 - Tranché 390 V 18 a 2.2V @ 5V, 14A - 24 NC -
HUF75945P3 Fairchild Semiconductor HUF75945P3 1 0000
RFQ
 ECAD 3993 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild - En gros Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220-3 télécharger Rohs non conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 1 Canal n 200 V 38A (TC) 10V 71MOHM @ 38A, 10V 4V @ 250µA 280 NC @ 20 V ± 20V 4023 PF @ 25 V - 310W (TC)
FDMA8051L Fairchild Semiconductor FDMA8051L -
RFQ
 ECAD 8873 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild PowerTrench® En gros Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface Pad Exposé 6-WDFN MOSFET (Oxyde Métallique) 6 microfet (2x2) - 0000.00.0000 1 Canal n 40 V 10A (TC) 4,5 V, 10V 14MOHM @ 10A, 10V 3V à 250µA 20 nc @ 10 V ± 20V 1260 PF @ 20 V - 2.4W (TA)
FQA14N30 Fairchild Semiconductor FQA14N30 1.7300
RFQ
 ECAD 230 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild QFET® Tube Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou TO-3P-3, SC-65-3 MOSFET (Oxyde Métallique) To-3p télécharger Rohs3 conforme EAR99 8541.29.0095 450 Canal n 300 V 15A (TC) 10V 290MOHM @ 7.5A, 10V 5V @ 250µA 40 NC @ 10 V ± 30V 1360 pf @ 25 V - 160W (TC)
FDS9431A-F085 Fairchild Semiconductor FDS9431A-F085 -
RFQ
 ECAD 6085 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild Automobile, AEC-Q101 En gros Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) MOSFET (Oxyde Métallique) 8-SOIC télécharger Non applicable 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 2 500 Canal p 20 V 3.5A (TA) 130 mohm @ 3,5a, 4,5 V 1V @ 250µA 8,5 NC @ 4,5 V ± 8v 405 PF @ 10 V - 1W (ta)
KSC3265OMTF Fairchild Semiconductor Ksc3265omtf 0,0400
RFQ
 ECAD 18 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild - En gros Obsolète 150 ° C (TJ) Support de surface À 236-3, SC-59, SOT-23-3 200 MW SOT-23-3 télécharger Rohs3 conforme EAR99 8541.21.0075 3 000 25 V 800 mA 100NA (ICBO) NPN 400 mV @ 20mA, 500mA 100 @ 100mA, 1v 120 MHz
FMS6G10US60 Fairchild Semiconductor FMS6G10US60 15.4500
RFQ
 ECAD 23 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild - Boîte Obsolète -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Soutenir de châssis 25 PM-AA 66 W Redredeur de pont en trois phases 25 PM-AA télécharger Rohs3 conforme EAR99 8541.29.0095 30 Onduleur Triphasé - 600 V 10 a 2,7 V @ 15V, 10A 250 µA Oui 710 PF @ 30 V
HUF75631SK8T_NB82083 Fairchild Semiconductor HUF75631SK8T_NB82083 0,7100
RFQ
 ECAD 651 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild Ultrafet® En gros Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) MOSFET (Oxyde Métallique) 8-SOIC télécharger Non applicable 1 (illimité) Vendeur indéfini EAR99 8542.39.0001 1 Canal n 100 V 5.5A (TA) 10V 39MOHM @ 5.5A, 10V 4V @ 250µA 79 NC @ 20 V ± 20V 1225 pf @ 25 V - 2.5W (TA)
FQI4N80TU Fairchild Semiconductor FQI4N80TU 1.0500
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild QFET® En gros Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 262-3 longs longs, i²pak, à 262aa MOSFET (Oxyde Métallique) I2pak (à 262) télécharger EAR99 8542.39.0001 1 Canal n 800 V 3.9A (TC) 10V 3,6 ohm @ 1 95a, 10v 5V @ 250µA 25 NC @ 10 V ± 30V 880 pf @ 25 V - 3.13W (TA), 130W (TC)
FQI7N80TU Fairchild Semiconductor FQI7N80TU -
RFQ
 ECAD 1520 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild QFET® En gros Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 262-3 longs longs, i²pak, à 262aa MOSFET (Oxyde Métallique) I2pak (à 262) télécharger EAR99 8542.39.0001 1 Canal n 800 V 6.6a (TC) 10V 1,5 ohm @ 3,3a, 10v 5V @ 250µA 52 NC @ 10 V ± 30V 1850 pf @ 25 V - 3.13W (TA), 167W (TC)
FDS2070N7 Fairchild Semiconductor FDS2070N7 2.0100
RFQ
 ECAD 15 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild PowerTrench® En gros Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) MOSFET (Oxyde Métallique) 8-so télécharger Rohs3 conforme EAR99 8541.29.0095 2 500 Canal n 150 V 4.1a (TA) 6v, 10v 78MOHM @ 4.1A, 10V 4V @ 250µA 53 NC @ 10 V ± 20V 1884 PF @ 75 V - 3W (TA)
FDC642P Fairchild Semiconductor FDC642P 0,2000
RFQ
 ECAD 6 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild PowerTrench® En gros Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 MOSFET (Oxyde Métallique) Supersot ™ -6 télécharger EAR99 8542.39.0001 1 516 Canal p 20 V 4a (ta) 2,5 V, 4,5 V 65MOHM @ 4A, 4,5 V 1,5 V @ 250µA 16 NC @ 4,5 V ± 8v 925 PF @ 10 V - 1.6W (TA)
FDC6392S Fairchild Semiconductor FDC6392S 1 0000
RFQ
 ECAD 9722 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild PowerTrench® En gros Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 FDC6392 MOSFET (Oxyde Métallique) Supersot ™ -6 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 0000.00.0000 3 000 Canal p 20 V 2.2a (TA) 2,5 V, 4,5 V 150 MOHM @ 2,2A, 4,5 V 1,5 V @ 250µA 5.2 NC @ 4,5 V ± 12V 369 PF @ 10 V Diode Schottky (isolé) 960mw (TA)
FQP19N20C Fairchild Semiconductor FQP19N20C 0,6300
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild QFET® En gros Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220-3 télécharger EAR99 8542.39.0001 1 Canal n 200 V 19A (TC) 10V 170MOHM @ 9.5A, 10V 4V @ 250µA 53 NC @ 10 V ± 30V 1080 PF @ 25 V - 139W (TC)
FDMC3300NZA Fairchild Semiconductor FDMC3300NZA 0,5400
RFQ
 ECAD 9 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild PowerTrench® En gros Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 8 powervdfn FDMC3300 MOSFET (Oxyde Métallique) 2.1W 8-Power33 (3x3) télécharger Rohs3 conforme EAR99 8541.29.0095 3 000 2 Canaux N (double) 20V 8a 26MOHM @ 8A, 4,5 V 1,5 V @ 250µA 12nc @ 4,5 V 815pf @ 10v Porte de Niveau Logique
FDD9409 Fairchild Semiconductor FDD9409 -
RFQ
 ECAD 6158 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild * En gros Actif FDD940 - - Non applicable 1 (illimité) Vendeur indéfini 1 -
FQB8N90CTM Fairchild Semiconductor FQB8N90CTM 1 0000
RFQ
 ECAD 2139 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild QFET® En gros Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab MOSFET (Oxyde Métallique) D2pak (à 263) télécharger EAR99 8542.39.0001 1 Canal n 900 V 6.3A (TC) 10V 1,9 ohm @ 3,15a, 10v 5V @ 250µA 45 NC @ 10 V ± 30V 2080 PF @ 25 V - 171W (TC)
FQPF22N30 Fairchild Semiconductor FQPF22N30 1.9800
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild QFET® En gros Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 EXCHET MOSFET (Oxyde Métallique) À 220f-3 télécharger EAR99 8542.39.0001 1 Canal n 300 V 12A (TC) 10V 160MOHM @ 6A, 10V 5V @ 250µA 60 NC @ 10 V ± 30V 2200 pf @ 25 V - 56W (TC)
FDC658AP-G Fairchild Semiconductor Fdc658ap-g -
RFQ
 ECAD 8803 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild * En gros Actif télécharger Vendeur indéfini Atteindre non affecté 2156-FDC658AP-G-600039 EAR99 8541.29.0095 1
FCH041N65F-F085 Fairchild Semiconductor FCH041N65F-F085 9.5400
RFQ
 ECAD 163 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild Automotive, AEC-Q101, Superfet® II En gros Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 MOSFET (Oxyde Métallique) À 247 télécharger EAR99 8541.29.0095 35 Canal n 650 V 76a (TC) 10V 41MOHM @ 38A, 10V 5V @ 250µA 304 NC @ 10 V ± 20V 13566 pf @ 25 V - 595W (TC)
BC856BMTF Fairchild Semiconductor BC856BMTF -
RFQ
 ECAD 3208 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild - En gros Actif 150 ° C (TJ) Support de surface À 236-3, SC-59, SOT-23-3 BC856 310 MW SOT-23-3 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 0000.00.0000 3 000 65 V 100 mA 15NA (ICBO) Pnp 650 mV @ 5mA, 100mA 200 @ 2MA, 5V 150 MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume de RFQ moyen quotidien

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Unité de produit standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricants mondiaux

  • In-stock Warehouse

    15 000 m2

    Entrepôt en stock

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AD9208BBPZ-3000

Tampon exposé de 196-LFBGA

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