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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Tolérance | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Configuration | Vitre | Taper fet | Gagner | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | VGS (max) | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Dissipation de Puisse (max) | Configuration de diode | Tension - DC inverse (VR) (max) | COURANT - RECTIFIÉ MOYEN (IO) (Per Diode) | Tension - en Avant (vf) (max) @ si | Temps de réménage inversé (TRR) | Courant - FUITE INVERSEE @ VR | Température de FonctionNement - Jonction | Current - Rectifié Moyen (IO) | Capacité @ vr, f | Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) | Courant - Collectionneur (IC) (Max) | Type de diode | Tension - Pic inverse (max) | COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) | Tension - Zener (NOM) (VZ) | Impédance (max) (ZZT) | Type de transistor | VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC | Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE | FRÉQUENCE - transition | RÉSISTANCE - BASE (R1) | Résistance - Base d'Emetteur (R2) | Figure de Bruit (db typ @ f) |
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![]() | 2N4403TF | 0,0400 | ![]() | 14 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes | 625 MW | To-92-3 | télécharger | EAR99 | 8541.21.0075 | 7 991 | 40 V | 600 mA | - | Pnp | 750 MV @ 50mA, 500mA | 100 @ 150mA, 2V | 200 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Ksa642yta | 0,0200 | ![]() | 97 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes | 400 MW | To-92-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.21.0095 | 2 000 | 25 V | 300 mA | 100NA (ICBO) | Pnp | 600 mV @ 30mA, 300mA | 120 @ 50mA, 1V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC857AMTF | 0,0300 | ![]() | 195 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | BC857 | 310 MW | SOT-23-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 0000.00.0000 | 3 000 | 45 V | 100 mA | 15NA (ICBO) | Pnp | 650 mV @ 5mA, 100mA | 110 @ 2MA, 5V | 150 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BDX33C | 0,3900 | ![]() | 14 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | 70 W | À 220ab | télécharger | Vendeur indéfini | Atteindre Affeté | 2156-BDX33C-600039 | EAR99 | 0000.00.0000 | 842 | 100 V | 10 a | 500 µA | Npn - darlington | 2,5 V @ 6MA, 3A | 750 @ 3A, 3V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FJAFS1720TU | 2.8300 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | ESBC ™ | En gros | Actif | -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Par le trou | TO-3P-3 EXCHET | FJAFS172 | 60 W | To-3pf | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | 800 V | 12 A | 100 µA | NPN | 250 MV à 3,33A, 10A | 8,5 @ 11A, 5V | 15 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC560CBU | - | ![]() | 5993 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) | 500 MW | To-92-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 000 | 45 V | 100 mA | 15NA (ICBO) | Pnp | 650 mV @ 5mA, 100mA | 420 @ 2MA, 5V | 150 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KSC1674OBU | 0,0200 | ![]() | 146 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) | 250mw | To-92-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 000 | - | 20V | 20 mA | NPN | 70 @ 1MA, 6V | 600 MHz | 3 dB ~ 5 dB à 100mHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N964B | 2.0200 | ![]() | 18 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | Par le trou | DO-204AH, DO-35, Axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.10.0050 | 149 | 5 µA @ 9,9 V | 13 V | 13 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BD159STU | - | ![]() | 7295 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | - | Par le trou | À 225aa, à 126-3 | BD159 | 20 W | TO-126-3 | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | 350 V | 500 mA | 100 µA (ICBO) | NPN | - | 30 @ 50mA, 10V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Df08m | - | ![]() | 3254 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | 4-Edip (0,300 ", 7,62 mm) | Standard | DFM | télécharger | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 202 | 1.1 V @ 1 A | 10 µA @ 800 V | 1 a | Monophasé | 800 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Gf1b | - | ![]() | 3807 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | Support de surface | DO-214AC, SMA | Standard | DO-214AC (SMA) | télécharger | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 100 V | 1 V @ 1 A | 2 µs | 5 µA @ 100 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | 15pf @ 4v, 1mhz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDC642P | 0,2000 | ![]() | 6 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | MOSFET (Oxyde Métallique) | Supersot ™ -6 | télécharger | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 516 | Canal p | 20 V | 4a (ta) | 2,5 V, 4,5 V | 65MOHM @ 4A, 4,5 V | 1,5 V @ 250µA | 16 NC @ 4,5 V | ± 8v | 925 PF @ 10 V | - | 1.6W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Isl9n303as3st | 1,7000 | ![]() | 8 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | Ultrafet ™ | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | MOSFET (Oxyde Métallique) | D2pak (à 263) | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal n | 30 V | 75A (TC) | 4,5 V, 10V | 3,2MOHM @ 75A, 10V | 3V à 250µA | 172 NC @ 10 V | ± 20V | 7000 pf @ 15 V | - | 215W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX85C20 | 1 0000 | ![]() | 2810 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | ± 5% | - | Par le trou | DO-204AL, DO-41, Axial | BZX85C20 | 1,3 W | Do-41g | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V @ 200 mA | 500 na @ 15 V | 20 V | 24 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5241BTR | 0,0200 | ![]() | 392 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | Par le trou | DO-204AH, DO-35, Axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | télécharger | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V @ 200 mA | 2 µA @ 8,4 V | 11 V | 22 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fqu3n50ctu | - | ![]() | 8814 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | QFET® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 251-3 courtise Pistes, Ipak, à 251aa | MOSFET (Oxyde Métallique) | I-pak | télécharger | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | Canal n | 500 V | 2.5a (TC) | 10V | 2,5 ohm @ 1,25a, 10v | 4V @ 250µA | 13 NC @ 10 V | ± 30V | 365 PF @ 25 V | - | 35W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Ntd24n06lt4g | - | ![]() | 9924 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | NTD24 | MOSFET (Oxyde Métallique) | Dpak | télécharger | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal n | 60 V | 24a (TA) | 5V | 45MOHM @ 10A, 5V | 2V à 250µA | 32 NC @ 5 V | ± 15V | 1140 PF @ 25 V | - | 1.36W (TA), 62,5W (TJ) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FFAF05U120DNTU | 1.0600 | ![]() | 699 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | Tube | Obsolète | Par le trou | TO-3P-3 EXCHET | Standard | To-3pf | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 1200 V | 5A | 3,5 V @ 5 A | 100 ns | 5 µA à 1200 V | -65 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQB19N20CTM | 1 0000 | ![]() | 3683 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | QFET® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | MOSFET (Oxyde Métallique) | D2pak (à 263) | télécharger | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | Canal n | 200 V | 19A (TC) | 10V | 170MOHM @ 9.5A, 10V | 4V @ 250µA | 53 NC @ 10 V | ± 30V | 1080 PF @ 25 V | - | 3.13W (TA), 139W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQI7N80TU | - | ![]() | 1520 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | QFET® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 262-3 longs longs, i²pak, à 262aa | MOSFET (Oxyde Métallique) | I2pak (à 262) | télécharger | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | Canal n | 800 V | 6.6a (TC) | 10V | 1,5 ohm @ 3,3a, 10v | 5V @ 250µA | 52 NC @ 10 V | ± 30V | 1850 pf @ 25 V | - | 3.13W (TA), 167W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HUF75623P3 | 0,5200 | ![]() | 4 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | Ultrafet ™ | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 400 | Canal n | 100 V | 22A (TC) | 10V | 64MOHM @ 22A, 10V | 4V @ 250µA | 52 NC @ 20 V | ± 20V | 790 pf @ 25 V | - | 85W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDB8876 | 0,4800 | ![]() | 7 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | MOSFET (Oxyde Métallique) | D2pak (à 263) | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal n | 30 V | 71A (TC) | 4,5 V, 10V | 8,5MOHM @ 40A, 10V | 2,5 V @ 250µA | 45 NC @ 10 V | ± 20V | 1700 pf @ 15 V | - | 70W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX85C12T50A | 0,0200 | ![]() | 15 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Par le trou | DO-204AL, DO-41, Axial | 1 W | DO-204AL (DO-41) | télécharger | Non applicable | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.10.0050 | 15 000 | 1,2 V @ 200 mA | 500 na @ 8,4 V | 12 V | 9 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KSC1623GMTF | 0,0200 | ![]() | 1558 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | 200 MW | SOT-23-3 | télécharger | EAR99 | 8542.39.0001 | 3 311 | 50 V | 100 mA | 100NA (ICBO) | NPN | 300 mV @ 10mA, 100mA | 200 @ 1MA, 6V | 250 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFP460C | - | ![]() | 8134 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | TO-3P-3, SC-65-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | To-3p | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | Canal n | 500 V | 20A (TC) | 10V | 240mohm @ 10a, 10v | 4V @ 250µA | 170 NC @ 10 V | ± 30V | 6000 pf @ 25 V | - | 235W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQP11N50CF | 1.7700 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | Frfet® | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220-3 | télécharger | Rohs non conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 500 V | 11a (TC) | 10V | 550mohm @ 5,5a, 10v | 4V @ 250µA | 55 NC @ 10 V | ± 30V | 2055 PF @ 25 V | - | 195W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Irfr310btf | 0 1200 | ![]() | 5782 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | MOSFET (Oxyde Métallique) | Dpak | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 215 | Canal n | 400 V | 1.7A (TC) | 10V | 3,4 ohm @ 850mA, 10V | 4V @ 250µA | 10 NC @ 10 V | ± 30V | 330 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 26W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FCH125N60E | 1 0000 | ![]() | 7379 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | Superfet® II | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 247-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 247 | télécharger | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal n | 600 V | 29A (TC) | 10V | 125MOHM @ 14.5A, 10V | 3,5 V @ 250µA | 95 NC @ 10 V | ± 20V | 2990 PF @ 380 V | - | 278W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDMC3300NZA | 0,5400 | ![]() | 9 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8 powervdfn | FDMC3300 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 2.1W | 8-Power33 (3x3) | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | 2 Canaux N (double) | 20V | 8a | 26MOHM @ 8A, 4,5 V | 1,5 V @ 250µA | 12nc @ 4,5 V | 815pf @ 10v | Porte de Niveau Logique | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FJNS3202RTA | - | ![]() | 5508 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | Par le trou | À 226-3, à 92-3 Corps Court | FJNS32 | 300 MW | To-92s | - | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.21.0075 | 3 000 | 50 V | 100 mA | 100NA (ICBO) | NPN - Pré-biaisé | 300 mV à 500 µA, 10mA | 30 @ 5mA, 5V | 250 MHz | 10 kohms | 10 kohms |
Volume de RFQ moyen quotidien
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