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Produits semi-conduurs discrètes (5251)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Tolérance	Tension - note	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Fuseau	Numéro de Protuit de Base	Type d'entrée	Fréquence	Technologie	Power - Max	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Configuration	Vitre	Taper fet	Évaluation Actullelle (AMPS)	Condition de test	Puisance - Sortie	Gagner	Actualiser	Tension	Tension - isolement	Égoutter la tension de la source (VDSS)	Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C	Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS)	RDS SUR (MAX) @ ID, VGS	Vgs (th) (max) @ id	Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS	VGS (max)	Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds	FET FONCTION	Dissipation de Puisse (max)	Silhouette	Configuration de diode	Tension - DC inverse (VR) (max)	COURANT - RECTIFIÉ MOYEN (IO) (Per Diode)	Tension - en Avant (vf) (max) @ si	Temps de réménage inversé (TRR)	Courant - FUITE INVERSEE @ VR	Température de FonctionNement - Jonction	Current - Rectifié Moyen (IO)	Capacité @ vr, f	Type igbt	Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max)	Courant - Collectionneur (IC) (Max)	COURANT - COPEUR PULSÉ (ICM)	Vce (on) (max) @ vge, ic	Commutation d'Énergie	Charge de Porte	TD (On / Off) à 25 ° C	COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX)	Tension - Zener (NOM) (VZ)	Impédance (max) (ZZT)	Type de transistor	VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC	Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE	FRÉQUENCE - transition	Figure de Bruit (db typ @ f)
ISL9V2540S3ST	1.4100	RFQ	18	Semi-conducteur de Fairchild	Ecospark®	En gros	Actif			-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab			Logique			166,7 W	D2pak (à 263)	télécharger					EAR99	8542.39.0001	1					300V, 1kohm, 5v																										-	430 V	15.5 A		1,8 V @ 4V, 6A	-	15.1 NC	- / 3,64 µs
MMBT2222AT	1 0000	RFQ	5949	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif			150 ° C (TJ)	Support de surface	SC-89, SOT-490		MMBT2222				250 MW	SOT-523F	télécharger					EAR99	8541.21.0075	1																																40 V	600 mA						-			NPN	1V @ 50mA, 500mA	100 @ 150mA, 1V	300 MHz
FSBM15SH60A	18.5600	RFQ	119	Semi-conducteur de Fairchild	SPM®	En gros	Actif				Par le trou	Module 32-Powerdip (1 370 ", 34,80 mm)	Igbt							télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	48	3 phase							15 A	600 V	2500 VRM
Nvmd3p03r2g	-	RFQ	3256	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif			-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)		Nvmd3			MOSFET (Oxyde Métallique)	730mw (TA)	8-SOIC	télécharger					EAR99	8542.39.0001	1	2 Canal P (double)										30V	2.34A (TJ)		85MOHM @ 3.05A, 10V	2,5 V @ 250µA	25nc @ 10v		750pf @ 24V	-
2N5245	-	RFQ	6176	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Obsolète		30 V		Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa)				-	Jfet		To-92-3	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.21.0095	2 000	Canal n			15m		-	-														-
HUF76437S3ST	0,5200	RFQ	27	Semi-conducteur de Fairchild	Ultrafet ™	En gros	Obsolète			-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab					MOSFET (Oxyde Métallique)		D2pak (à 263)	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.29.0095	800			Canal n								60 V	71A (TC)	4,5 V, 10V	14MOHM @ 71A, 10V	3V à 250µA	71 NC @ 10 V	± 16V	2230 pf @ 25 V	-	155W (TC)
MMBT2907A-D87Z	-	RFQ	8654	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Obsolète			-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 236-3, SC-59, SOT-23-3						350 MW	SOT-23-3	télécharger	Non applicable				EAR99	8541.21.0075	10 000																																60 V	800 mA						20NA (ICBO)			Pnp	1,6 V @ 50mA, 500mA	100 @ 150mA, 10V	200 MHz
KSC1674OBU	0,0200	RFQ	146	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Obsolète			150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa)						250mw	To-92-3	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.21.0075	1 000							-																									20V	20 mA									NPN		70 @ 1MA, 6V	600 MHz	3 dB ~ 5 dB à 100mHz
BD244A	-	RFQ	2717	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Obsolète			150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3						65 W	À 220	-	Rohs non conforme		Vendeur indéfini	2156-BD244A-600039			1																																60 V	6 A						700 µA			Pnp	1,5 V @ 1A, 6A	15 @ 3A, 4V	-
BC212	1 0000	RFQ	8349	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Obsolète			-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa)						625 MW	To-92-3	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.21.0075	2 000																																50 V	300 mA						15NA (ICBO)			Pnp	600 mV @ 5mA, 100mA	60 @ 2MA, 5V	-
FDP55N06	-	RFQ	6365	Semi-conducteur de Fairchild	UniFet ™	En gros	Actif			-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3					MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220-3	télécharger					EAR99	8542.39.0001	1			Canal n								60 V	55A (TC)	10V	22MOHM @ 27,5A, 10V	4V @ 250µA	37 NC @ 10 V	± 25V	1510 PF @ 25 V	-	114W (TC)
MM5Z5V6	-	RFQ	1235	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Obsolète	± 7,14%		-55 ° C ~ 150 ° C (TA)	Support de surface	SC-79, SOD-523						200 MW	SOD-523F	-				2156-mm5z5v6			1																											1 µA @ 2 V													5.6 V	40 ohms
Fdfm2n111	1 0000	RFQ	2243	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®	En gros	Actif			-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	Pad Exposé 6-WDFN					MOSFET (Oxyde Métallique)		Microfet 3x3 mm	télécharger					EAR99	8542.39.0001	1			Canal n								20 V	4a (ta)	2,5 V, 4,5 V	100MOHM @ 4A, 4,5 V	1,5 V @ 250µA	3,8 NC @ 4,5 V	± 12V	273 PF @ 10 V	Diode Schottky (isolé)	1.7W (TA)
BZX79C20-T50A	0,0200	RFQ	30	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif	± 5%		-65 ° C ~ 200 ° C	Par le trou	DO-204AH, DO-35, Axial		Bzx79c20				500 MW	Do-35	télécharger	Non applicable	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.10.0050	3 000																									1,5 V @ 100 mA		50 na @ 14 V													20 V	55 ohms
Fdj127p	0,5100	RFQ	43	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®	En gros	Obsolète			-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	SC-75-6 FLMP					MOSFET (Oxyde Métallique)		SC75-6 FLMP	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.29.0095	3 000			Canal p								20 V	4.1a (TA)	1,8 V, 4,5 V	60 mohm @ 4.1a, 4,5 V	1,5 V @ 250µA	10 NC @ 4,5 V	± 8v	780 PF @ 10 V	-	1.6W (TA)
FD6M045N06	6.1600	RFQ	1	Semi-conducteur de Fairchild	Power-SPM ™	Tube	Obsolète			-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	EPM15		FD6M045			MOSFET (Oxyde Métallique)	-	EPM15	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.29.0095	19	2 Canaux N (double)										60V	60A		4,5 mohm @ 40a, 10v	4V @ 250µA	87nc @ 10v		3890pf @ 25v	-
UF4003	0,1000	RFQ	104	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif				Par le trou	DO-204AL, DO-41, Axial		UF400			Standard		DO-41	télécharger					EAR99	8541.10.0080	2 950		Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)																					200 V		1 V @ 1 A	50 ns	5 µA @ 200 V	-50 ° C ~ 175 ° C	1A	-
NSBA144EDXV6T1G	0,0900	RFQ	36	Semi-conducteur de Fairchild	*	En gros	Actif							NSBA144						télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	2156-NSBA144EDXV6T1G-600039	EAR99	8541.21.0095	3 761
SFS9Z24	0,3900	RFQ	3	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif			-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3 EXCHET					MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220f	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre Affeté		EAR99	8541.29.0095	1			Canal p								60 V	7.5a (TC)	10V	280MOHM @ 3,8A, 10V	4V @ 250µA	19 NC @ 10 V	± 30V	600 pf @ 25 V	-	29W (TC)
HUF75329P3	-	RFQ	9487	Semi-conducteur de Fairchild	Ultrafet ™	Tube	Obsolète			-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3					MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220-3	télécharger	Rohs non conforme				EAR99	8541.29.0095	400			Canal n								55 V	42A (TC)		25MOHM @ 42A, 10V	4V @ 250µA	75 NC @ 20 V	± 20V	1060 pf @ 25 V	-	94W (TC)
Sgs23n60ufdtu	1 0000	RFQ	8772	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif			-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3 EXCHET		SGS23N60	Standard			73 W	À 220f	-	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre Affeté		EAR99	0000.00.0000	1					300 V, 12A, 23OHM, 15V																					60 ns					-	600 V	23 A	92 A	2.6V @ 15V, 12A	115 µJ (ON), 135µJ (OFF)	49 NC	17ns / 60ns
HUFA75307P3	0,2000	RFQ	10	Semi-conducteur de Fairchild	Ultrafet ™	Tube	Obsolète			-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3					MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220-3	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.29.0095	400			Canal n								55 V	15A (TC)	10V	90MOHM @ 15A, 10V	4V @ 250µA	20 nc @ 20 V	± 20V	250 pf @ 25 V	-	45W (TC)
Mbr4050pt	-	RFQ	2430	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif				Par le trou	À 247-3		MBR4050			Schottky		À 247ad (to-3p)	télécharger					EAR99	8541.10.0080	190		Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)																				1 paire la commune de cathode	50 V	40a	720 MV @ 20 A		1 ma @ 50 V	-65 ° C ~ 150 ° C
1N5249B_NL	0,0200	RFQ	66	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif	± 5%		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	DO-204AH, DO-35, Axial						500 MW	Do-35	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.10.0050	1																									1,2 V @ 200 mA		100 na @ 14 V													19 V	23 ohms
1N5234CTR	0,0200	RFQ	55	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif	± 2%		200 ° C	Par le trou	DO-204AH, DO-35, Axial						500 MW	DO-35 (DO-204AH)	télécharger					EAR99	8541.10.0050	1																									1,1 V @ 200 mA		5 µA @ 4 V													6.2 V	7 ohms
FSBM15SH60	20h0000	RFQ	60	Semi-conducteur de Fairchild	SPM®	Tube	Obsolète				Par le trou	Module 32-Powerdip (1 370 ", 34,80 mm)	Igbt							télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8542.39.0001	48	3 phase							15 A	600 V	2500 VRM
FDD3580	0,9600	RFQ	8	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®	En gros	Obsolète			-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63					MOSFET (Oxyde Métallique)		À 252, (d-pak)	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.29.0095	2 500			Canal n								80 V	7.7a (TA)	6v, 10v	29MOHM @ 7.7A, 10V	4V @ 250µA	49 NC @ 10 V	± 20V	1760 pf @ 40 V	-	3.8W (TA), 42W (TC)
FQB7N60TM-WS	0,9800	RFQ	800	Semi-conducteur de Fairchild	QFET®	En gros	Actif			-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab					MOSFET (Oxyde Métallique)		D²pak (à 263)	-		Vendeur indéfini	Vendeur indéfini	2156-FQB7N60TM-WS-600039			1			Canal n								600 V	7.4a (TC)	10V	1OHM @ 3,7A, 10V	5V @ 250µA	38 NC @ 10 V	± 30V	1430 pf @ 25 V	-	3.13W (TA), 142W (TC)
FDMS8558SDC	-	RFQ	2392	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®, Syncfet ™	En gros	Actif			-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-PowerTDFN					MOSFET (Oxyde Métallique)		8-pqfn (5x6)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre Affeté		EAR99	0000.00.0000	3 000			Canal n								25 V	38A (TA), 90A (TC)		1,5 mohm @ 38a, 10v	2.2v @ 1MA	81 NC @ 10 V	± 12V	5118 PF @ 13 V	-	3.3W (TA), 89W (TC)
FQAF19N60	2.6500	RFQ	681	Semi-conducteur de Fairchild	QFET®	Tube	Obsolète			-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	TO-3P-3 EXCHET					MOSFET (Oxyde Métallique)		To-3pf	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.29.0095	360			Canal n								600 V	11.2a (TC)	10V	380mohm @ 5.6a, 10v	5V @ 250µA	90 NC @ 10 V	± 30V	3600 pf @ 25 V	-	120W (TC)