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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Tolérance | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Vitre | Taper fet | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | VGS (max) | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Dissipation de Puisse (max) | Configuration de diode | Tension - DC inverse (VR) (max) | COURANT - RECTIFIÉ MOYEN (IO) (Per Diode) | Tension - en Avant (vf) (max) @ si | Temps de réménage inversé (TRR) | Courant - FUITE INVERSEE @ VR | Température de FonctionNement - Jonction | Current - Rectifié Moyen (IO) | Capacité @ vr, f | Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) | Courant - Collectionneur (IC) (Max) | COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) | Tension - Zener (NOM) (VZ) | Impédance (max) (ZZT) | Type de transistor | VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC | Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE | FRÉQUENCE - transition | RÉSISTANCE - BASE (R1) |
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![]() | BAT42XV2 | - | ![]() | 7273 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | Support de surface | SC-79, SOD-523 | Bat42 | Schottky | SOD-523F | télécharger | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | Petit signal = <200mA (IO), Toute Vinesse | 30 V | 1 V @ 200 mA | 5 ns | 500 na @ 25 V | 125 ° C (max) | 200m | 7pf @ 1v, 1mhz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fdz661pz | 0,3200 | ![]() | 80 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 4-xfbga, wlcsp | MOSFET (Oxyde Métallique) | 4-WLCSP (0,8x0,8) | télécharger | EAR99 | 8542.39.0001 | 952 | Canal p | 20 V | 2.6A (TA) | 1,5 V, 4,5 V | 140mohm @ 2a, 4,5 V | 1,2 V à 250µA | 8,8 NC @ 4,5 V | ± 8v | 555 pf @ 10 V | - | 1.3W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SFP9Z24 | 0.1900 | ![]() | 9251 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 1489 | Canal p | 60 V | 9.7A (TC) | 10V | 280mohm @ 4.9a, 10v | 4V @ 250µA | 19 NC @ 10 V | ± 30V | 600 pf @ 25 V | - | 49W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fep16ft | 0,5500 | ![]() | 8 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | Tube | Obsolète | Par le trou | À 220-3 | Standard | À 220-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 300 V | 16A | 1,3 V @ 8 A | 50 ns | 10 µA @ 300 V | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FJMA790 | 1 0000 | ![]() | 2286 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | 150 ° C (TJ) | Support de surface | Pad Exposé 6-VDFN | FJMA79 | 1,56 W | 6 microfet (2x2) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 0000.00.0000 | 3 000 | 35 V | 2 A | 100NA (ICBO) | Pnp | 450 MV @ 50mA, 2A | 100 @ 1,5a, 1,5 V | - | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Ssi7n60btu | 0,3900 | ![]() | 964 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 262-3 longs longs, i²pak, à 262aa | MOSFET (Oxyde Métallique) | I2pak (à 262) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal n | 600 V | 7a (TC) | 10V | 1,2 ohm @ 3,5a, 10v | 4V @ 250µA | 50 NC @ 10 V | ± 30V | 1800 pf @ 25 V | - | 3.13W (TA), 147W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | RFD14N05 | - | ![]() | 1030 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 251-3 courtise Pistes, Ipak, à 251aa | MOSFET (Oxyde Métallique) | I-pak | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | Canal n | 50 V | 14A (TC) | 10V | 100 mohm @ 14a, 10v | 4V @ 250µA | 40 NC @ 20 V | ± 20V | 570 pf @ 25 V | - | 48W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | KSC945CGBU | 0,0200 | ![]() | 257 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) | 250 MW | To-92-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | 50 V | 150 mA | 100NA (ICBO) | NPN | 300 mV @ 10mA, 100mA | 200 @ 1MA, 6V | 300 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Irfp350a | - | ![]() | 9980 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | TO-3P-3, SC-65-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | To-3p | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 36 | Canal n | 400 V | 17A (TC) | 10V | 300 mOhm @ 8,5a, 10v | 4V @ 250µA | 131 NC @ 10 V | ± 30V | 2780 PF @ 25 V | - | 202W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | Fqp3n60 | 0,5900 | ![]() | 45 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | QFET® | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | Canal n | 600 V | 3A (TC) | 10V | 3,6 ohm @ 1,5a, 10v | 5V @ 250µA | 13 NC @ 10 V | ± 30V | 450 pf @ 25 V | - | 75W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | Irfw730btmnl | 0,5900 | ![]() | 49 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | MOSFET (Oxyde Métallique) | D2pak | télécharger | Non applicable | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal n | 400 V | 5.5A (TC) | 10V | 1OHM @ 2 75A, 10V | 4V @ 250µA | 33 NC @ 10 V | ± 30V | 1000 pf @ 25 V | - | 3.13W (TA), 73W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | FDI33N25TU | 1 0000 | ![]() | 7880 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | UniFet ™ | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 262-3 longs longs, i²pak, à 262aa | MOSFET (Oxyde Métallique) | I2pak (à 262) | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 250 V | 33A (TC) | 10V | 94MOHM @ 16,5A, 10V | 5V @ 250µA | 48 NC @ 10 V | ± 30V | 2135 PF @ 25 V | - | 235W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | RGF1B | 0.1300 | ![]() | 20 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | Support de surface | DO-214AC, SMA | Standard | DO-214AC (SMA) | télécharger | EAR99 | 8541.10.0080 | 2 392 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 100 V | 1,3 V @ 1 A | 150 ns | 5 µA @ 100 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | 8,5pf @ 4v, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NTP082N65S3F | - | ![]() | 5306 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | FRFET®, Superfet® II | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220-3 | - | Rohs non conforme | Vendeur indéfini | 2156-NTP082N65S3F | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal n | 650 V | 40A (TC) | 10V | 82MOHM @ 20A, 10V | 5V @ 1MA | 81 NC @ 10 V | ± 30V | 3410 PF @ 400 V | - | 313W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | KSA614Y | - | ![]() | 5342 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | KSA614 | 25 W | À 220-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | 55 V | 3 A | 50 µA (ICBO) | Pnp | 500 MV à 100MA, 1A | 120 @ 500mA, 5V | - | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SFM9110TF | 0,4800 | ![]() | 4 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 261-4, à 261aa | MOSFET (Oxyde Métallique) | SOT-223-4 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 4 000 | Canal p | 100 V | 1a (ta) | 10V | 1,2 ohm @ 500mA, 10V | 4V @ 250µA | 10 NC @ 10 V | ± 30V | 335 PF @ 25 V | - | 2.52W (TA) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFP150A | - | ![]() | 9521 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | TO-3P-3, SC-65-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | To-3pn | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 0000.00.0000 | 185 | Canal n | 100 V | 43A (TC) | 40MOHM @ 21,5A, 10V | 4V @ 250µA | 97 NC @ 10 V | ± 20V | 2270 pf @ 25 V | - | 193W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | HUF75631SK8 | 0,9500 | ![]() | 4 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | Ultrafet® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal n | 100 V | 5.5A (TA) | 10V | 39MOHM @ 5.5A, 10V | 4V @ 250µA | 79 NC @ 20 V | ± 20V | 1225 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | FJN3309RTA | 0,0200 | ![]() | 156 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes | FJN330 | 300 MW | To-92-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.21.0075 | 2 000 | 40 V | 100 mA | 100NA (ICBO) | NPN - Pré-biaisé | 300 mV @ 1MA, 10mA | 100 @ 1MA, 5V | 250 MHz | 4,7 kohms | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX79C27 | 0,0200 | ![]() | 84 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | Par le trou | DO-204AH, DO-35, Axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 000 | 1,5 V @ 100 mA | 50 na @ 18,9 V | 27 V | 80 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDS7064N7 | 1 0000 | ![]() | 8665 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-so | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 30 V | 16.5A (TA) | 4,5 V | 7MOHM @ 16,5A, 4,5 V | 2V à 250µA | 48 NC @ 4,5 V | ± 12V | 3355 PF @ 15 V | - | 3W (TA) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fdmc8588dc | 1 0000 | ![]() | 8146 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-PowerTDFN | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-PQFN (3.3x3.3) | télécharger | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | Canal n | 25 V | 17A (TA), 40A (TC) | 4,5 V, 10V | 5MOHM @ 18A, 10V | 1,8 V à 250µA | 12 NC @ 4,5 V | ± 12V | 1695 PF @ 13 V | - | 3W (TA), 41W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fdh333_nl | 0,2700 | ![]() | 4 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | Par le trou | DO-204AH, DO-35, Axial | Standard | DO-35 (DO-204AH) | télécharger | Non applicable | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | Petit signal = <200mA (IO), Toute Vinesse | 125 V | 1 05 V @ 200 mA | 3 na @ 125 V | 175 ° C (max) | 200m | 6pf @ 0v, 1mhz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDS6676S | 0,6400 | ![]() | 47 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 30 V | 14.5A (TA) | 4,5 V, 10V | 7,5 mohm @ 14,5a, 10v | 3V @ 1MA | 60 NC @ 5 V | ± 16V | 4665 PF @ 15 V | - | 1W (ta) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | Isl9n306as3st | 0,3700 | ![]() | 33 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | Ultrafet® | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 263ab | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal n | 30 V | 75A (TC) | 4,5 V, 10V | 6MOHM @ 75A, 10V | 3V à 250µA | 90 NC @ 10 V | ± 20V | 3400 PF @ 15 V | - | 125W (TA) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N749A | 2.0800 | ![]() | 101 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | Par le trou | DO-204AH, DO-35, Axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.10.0050 | 156 | 1,5 V @ 200 mA | 2 µA @ 1 V | 4.3 V | 22 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N757A | 2.0800 | ![]() | 133 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | Par le trou | DO-204AH, DO-35, Axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.10.0050 | 145 | 1,5 V @ 200 mA | 100 na @ 1 V | 9.1 V | 10 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Irfw630btm_fp001 | 0,4300 | ![]() | 800 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | MOSFET (Oxyde Métallique) | D2pak (à 263) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal n | 200 V | 9A (TC) | 10V | 400mohm @ 4,5a, 10v | 4V @ 250µA | 29 NC @ 10 V | ± 30V | 720 pf @ 25 V | - | 3.13W (TA), 72W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | MPS6513 | 1 0000 | ![]() | 6881 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) | 625 MW | To-92-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.21.0095 | 2 000 | 30 V | 200 mA | 50NA (ICBO) | NPN | 500 mV @ 5mA, 50mA | 90 @ 2MA, 10V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDB3672 | 1.9100 | ![]() | 160 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | MOSFET (Oxyde Métallique) | D2pak (à 263) | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal n | 100 V | 7.2a (TA), 44A (TC) | 6v, 10v | 28MOHM @ 44A, 10V | 4V @ 250µA | 31 NC @ 10 V | ± 20V | 1710 PF @ 25 V | - | 120W (TC) |
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