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Produits semi-conduurs discrètes (5251)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Tolérance	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Fuseau	Numéro de Protuit de Base	Technologie	Power - Max	Saisir	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Configuration	Taper fet	Actualiser	Tension	Tension - isolement	Égoutter la tension de la source (VDSS)	Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C	Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS)	RDS SUR (MAX) @ ID, VGS	Vgs (th) (max) @ id	Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS	VGS (max)	Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds	FET FONCTION	Dissipation de Puisse (max)	Tension - en Avant (vf) (max) @ si	Courant - FUITE INVERSEE @ VR	Current - Rectifié Moyen (IO)	Type igbt	Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max)	Courant - Collectionneur (IC) (Max)	Vce (on) (max) @ vge, ic	Type de diode	Tension - Pic inverse (max)	COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX)	Thermistance NTC	Tension - Zener (NOM) (VZ)	Impédance (max) (ZZT)	Capacité d'entrée (cies) @ vce	Type de transistor	VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC	Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE	FRÉQUENCE - transition
Fdp39n20	1.5900	RFQ	500	Semi-conducteur de Fairchild	UniFet ™	En gros	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3			MOSFET (Oxyde Métallique)			À 220-3	télécharger					EAR99	8542.39.0001	1		Canal n				200 V	39a (TC)	10V	66MOHM @ 19,5A, 10V	5V @ 250µA	49 NC @ 10 V	± 30V	2130 pf @ 25 V	-	251W (TC)
MPSH24	-	RFQ	3934	Semi-conducteur de Fairchild	-	Tube	Obsolète		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa)				625 MW		To-92-3	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.21.0075	3 322																				30 V	50 mA				50NA (ICBO)					NPN	-	30 @ 8mA, 10V	400 MHz
2SJ646-TL-E	0,2100	RFQ	2	Semi-conducteur de Fairchild	*	En gros	Actif											télécharger		Vendeur indéfini	Vendeur indéfini	2156-2SJ646-TL-E-600039			1
FDN357N	0,1500	RFQ	3	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 236-3, SC-59, SOT-23-3			MOSFET (Oxyde Métallique)			SOT-23-3	télécharger					EAR99	8541.21.0095	1 976		Canal n				30 V	1.9A (TA)	4,5 V, 10V	60 mohm @ 2.2a, 10v	2V à 250µA	5,9 NC @ 5 V	± 20V	235 pf @ 10 V	-	500mw (TA)
Si3441dv	-	RFQ	2419	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®	En gros	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6			MOSFET (Oxyde Métallique)			Supersot ™ -6	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Vendeur indéfini		EAR99	8541.21.0095	3 000		Canal p				20 V	3.5A (TA)	2,5 V, 4,5 V	80MOHM @ 3,5A, 4,5 V	1,5 V @ 250µA	10 NC @ 4,5 V	± 8v	779 PF @ 10 V	-	800mw (TA)
GBU6K	0,5800	RFQ	1860	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif		-50 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	4-ISIP, GBU			Standard			GBU	télécharger					EAR99	8541.10.0080	58																1 V @ 6 A	5 µA @ 800 V	4.2 A					Monophasé	800 V
PN3642	0,0500	RFQ	9	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Obsolète		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa)				625 MW		To-92-3	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.21.0095	2 000																				45 V	500 mA				50na					NPN	220 MV à 15MA, 150mA	40 @ 150mA, 10V	-
Sjd127t4g	0,3300	RFQ	32	Semi-conducteur de Fairchild	*	En gros	Actif											télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	2156-SJD127T4G-600039	EAR99	8541.29.0095	998
HUFA75344P3	0,9700	RFQ	1	Semi-conducteur de Fairchild	Ultrafet ™	Tube	Obsolète		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3			MOSFET (Oxyde Métallique)			À 220-3	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.29.0095	400		Canal n				55 V	75A (TC)	10V	8MOHM @ 75A, 10V	4V @ 250µA	210 NC @ 20 V	± 20V	3200 pf @ 25 V	-	285W (TC)
HUF76645P3	1.8700	RFQ	1	Semi-conducteur de Fairchild	Ultrafet ™	Tube	Obsolète		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3			MOSFET (Oxyde Métallique)			À 220-3	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.29.0095	400		Canal n				100 V	75A (TC)	4,5 V, 10V	14MOHM @ 75A, 10V	3V à 250µA	153 NC @ 10 V	± 16V	4400 pf @ 25 V	-	310W (TC)
PN3643	0,0400	RFQ	40	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Obsolète		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa)				625 MW		To-92-3	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.21.0095	2 000																				30 V	500 mA				50na					NPN	220 MV à 15MA, 150mA	100 @ 150mA, 10V	-
KSD1408OTU	1 0000	RFQ	9824	Semi-conducteur de Fairchild	-	Tube	Obsolète		150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3 EXCHET				25 W		À 220f-3	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.29.0095	50																				80 V	4 A				30 µA (ICBO)					NPN	1,5 V @ 300mA, 3A	70 @ 500mA, 5V	8 MHz
HUF75645S3S	0,8700	RFQ	375	Semi-conducteur de Fairchild	Ultrafet ™	Tube	Obsolète		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab			MOSFET (Oxyde Métallique)			D2pak (à 263)	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.29.0095	400		Canal n				100 V	75A (TC)	10V	14MOHM @ 75A, 10V	4V @ 250µA	238 NC @ 20 V	± 20V	3790 pf @ 25 V	-	310W (TC)
BC238BBU	0,0200	RFQ	5464	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Obsolète		150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa)				500 MW		To-92-3	-	Rohs3 conforme			2156-BC238BBU-FS	EAR99	8541.21.0075	1 000																				25 V	100 mA				15NA					NPN	600 mV @ 5mA, 100mA	180 @ 2MA, 5V	250 MHz
BZX79C36-T50A	0,0200	RFQ	55	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Obsolète	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	Par le trou	DO-204AH, DO-35, Axial				500 MW		DO-35 (DO-204AH)	télécharger					EAR99	8541.10.0050	1																1,5 V @ 100 mA	50 na @ 25,2 V										36 V	90 ohms
FSAM75SM60SL	46.6600	RFQ	240	Semi-conducteur de Fairchild	SPM®	En gros	Actif			Par le trou	Module 32-Powerdip (1 370 ", 34,80 mm)	Igbt	FSAM75					-	Non applicable	3 (168 Heures)	Vendeur indéfini		EAR99	8542.39.0001	1	3 phase		75 A	600 V	2500 VRM
MMBT4401	-	RFQ	1454	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 236-3, SC-59, SOT-23-3				350 MW		SOT-23-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	15 000																				40 V	600 mA				100NA					NPN	750 MV @ 50mA, 500mA	100 @ 150mA, 1V	250 MHz
HUF75631SK8T_NB82083	0,7100	RFQ	651	Semi-conducteur de Fairchild	Ultrafet®	En gros	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)			MOSFET (Oxyde Métallique)			8-SOIC	télécharger	Non applicable	1 (illimité)	Vendeur indéfini		EAR99	8542.39.0001	1		Canal n				100 V	5.5A (TA)	10V	39MOHM @ 5.5A, 10V	4V @ 250µA	79 NC @ 20 V	± 20V	1225 pf @ 25 V	-	2.5W (TA)
FQI4N80TU	1.0500	RFQ	2	Semi-conducteur de Fairchild	QFET®	En gros	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 262-3 longs longs, i²pak, à 262aa			MOSFET (Oxyde Métallique)			I2pak (à 262)	télécharger					EAR99	8542.39.0001	1		Canal n				800 V	3.9A (TC)	10V	3,6 ohm @ 1 95a, 10v	5V @ 250µA	25 NC @ 10 V	± 30V	880 pf @ 25 V	-	3.13W (TA), 130W (TC)
FDMA8051L	-	RFQ	8873	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®	En gros	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	Pad Exposé 6-WDFN			MOSFET (Oxyde Métallique)			6 microfet (2x2)	-						0000.00.0000	1		Canal n				40 V	10A (TC)	4,5 V, 10V	14MOHM @ 10A, 10V	3V à 250µA	20 nc @ 10 V	± 20V	1260 PF @ 20 V	-	2.4W (TA)
Ksc3265omtf	0,0400	RFQ	18	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Obsolète		150 ° C (TJ)	Support de surface	À 236-3, SC-59, SOT-23-3				200 MW		SOT-23-3	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.21.0075	3 000																				25 V	800 mA				100NA (ICBO)					NPN	400 mV @ 20mA, 500mA	100 @ 100mA, 1v	120 MHz
FMS6G10US60	15.4500	RFQ	23	Semi-conducteur de Fairchild	-	Boîte	Obsolète		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	25 PM-AA				66 W	Redredeur de pont en trois phases	25 PM-AA	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.29.0095	30	Onduleur Triphasé																		-	600 V	10 a	2,7 V @ 15V, 10A			250 µA	Oui			710 PF @ 30 V
FDS9431A-F085	-	RFQ	6085	Semi-conducteur de Fairchild	Automobile, AEC-Q101	En gros	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)			MOSFET (Oxyde Métallique)			8-SOIC	télécharger	Non applicable	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	2 500		Canal p				20 V	3.5A (TA)		130 mohm @ 3,5a, 4,5 V	1V @ 250µA	8,5 NC @ 4,5 V	± 8v	405 PF @ 10 V	-	1W (ta)
IRLR120ATF	0,6100	RFQ	30	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Obsolète		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63			MOSFET (Oxyde Métallique)			À 252, (d-pak)	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.29.0095	2 000		Canal n				100 V	8.4a (TC)	5V	220mohm @ 4.2a, 5v	2V à 250µA	15 NC @ 5 V	± 20V	440 PF @ 25 V	-	2.5W (TA), 35W (TC)
BC856BMTF	-	RFQ	3208	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif		150 ° C (TJ)	Support de surface	À 236-3, SC-59, SOT-23-3		BC856		310 MW		SOT-23-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	0000.00.0000	3 000																				65 V	100 mA				15NA (ICBO)					Pnp	650 mV @ 5mA, 100mA	200 @ 2MA, 5V	150 MHz
FQB8N90CTM	1 0000	RFQ	2139	Semi-conducteur de Fairchild	QFET®	En gros	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab			MOSFET (Oxyde Métallique)			D2pak (à 263)	télécharger					EAR99	8542.39.0001	1		Canal n				900 V	6.3A (TC)	10V	1,9 ohm @ 3,15a, 10v	5V @ 250µA	45 NC @ 10 V	± 30V	2080 PF @ 25 V	-	171W (TC)
Fdc658ap-g	-	RFQ	8803	Semi-conducteur de Fairchild	*	En gros	Actif											télécharger		Vendeur indéfini	Atteindre non affecté	2156-FDC658AP-G-600039	EAR99	8541.29.0095	1
FDD850N10L	-	RFQ	6698	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®	En gros	Actif		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63			MOSFET (Oxyde Métallique)			À 252, (d-pak)	télécharger					EAR99	8542.39.0001	1		Canal n				100 V	15.7A (TC)	5v, 10v	75MOHM @ 12A, 10V	2,5 V @ 250µA	28,9 NC @ 10 V	± 20V	1465 PF @ 25 V	-	50W (TC)
FQPF5N90	1.4700	RFQ	450	Semi-conducteur de Fairchild	QFET®	En gros	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3 EXCHET			MOSFET (Oxyde Métallique)			À 220f-3	télécharger					EAR99	8542.39.0001	205		Canal n				900 V	3A (TC)	10V	2,3 ohm @ 1,5a, 10v	5V @ 250µA	40 NC @ 10 V	± 30V	1550 pf @ 25 V	-	51W (TC)
HUF75639S3S	1.3700	RFQ	20	Semi-conducteur de Fairchild	Ultrafet ™	Tube	Obsolète		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab			MOSFET (Oxyde Métallique)			D2pak (à 263)	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.29.0095	400		Canal n				100 V	56a (TC)	10V	25MOHM @ 56A, 10V	4V @ 250µA	130 NC @ 20 V	± 20V	2000 pf @ 25 V	-	200W (TC)