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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Tolérance | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Fuseau | Numéro de Protuit de Base | Type d'entrée | Technologie | Power - Max | Saisir | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Configuration | Vitre | Taper fet | Condition de test | Actualiser | Tension | Tension - isolement | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | VGS (max) | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Dissipation de Puisse (max) | Tension - DC inverse (VR) (max) | Tension - en Avant (vf) (max) @ si | Temps de réménage inversé (TRR) | Courant - FUITE INVERSEE @ VR | Température de FonctionNement - Jonction | Current - Rectifié Moyen (IO) | Capacité @ vr, f | Type igbt | Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) | Courant - Collectionneur (IC) (Max) | COURANT - COPEUR PULSÉ (ICM) | Vce (on) (max) @ vge, ic | Commutation d'Énergie | Charge de Porte | TD (On / Off) à 25 ° C | Type de diode | Tension - Pic inverse (max) | Tension - Dépression (V (br) GSS) | Courant - Drain (iDSS) @ VDS (VGS = 0) | Tension - coupure (VGS off) @ id | COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) | Thermistance NTC | Tension - Zener (NOM) (VZ) | Impédance (max) (ZZT) | RÉSISTANCE - RDS (ON) | Type de transistor | VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC | Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE | FRÉQUENCE - transition |
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![]() | FSB50550US | 5.0500 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | Motion SPM® 5 | En gros | Actif | Support de surface | Module 23-Powersmd, Aile du Mouette | Mosfet | FSB50550 | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre Affeté | EAR99 | 8542.39.0001 | 65 | 3 phase | 2 A | 500 V | 1500 VRM | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HUF76139S3ST | 0 4600 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 263ab | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal n | 30 V | 75A (TC) | 4,5 V, 10V | 7,5 mohm @ 75a, 10v | 3V à 250µA | 78 NC @ 10 V | ± 20V | 2700 pf @ 25 V | - | 165W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDMC8010A | 1.1100 | ![]() | 6 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | * | En gros | Actif | FDMC8010 | - | - | Non applicable | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8542.39.0001 | 3 000 | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fdbl9406 | - | ![]() | 8611 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | * | En gros | Actif | Fdbl940 | - | - | Non applicable | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8542.39.0001 | 2 000 | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fqaf9p25 | 1.1300 | ![]() | 590 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | QFET® | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | TO-3P-3 EXCHET | MOSFET (Oxyde Métallique) | To-3pf | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 360 | Canal p | 250 V | 7.1a (TC) | 10V | 620 mohm @ 3 55a, 10v | 5V @ 250µA | 38 NC @ 10 V | ± 30V | 1180 pf @ 25 V | - | 70W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RF1K49156 | 0,7800 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-SOIC | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal n | 30 V | 6.3A (TA) | 5V | 30MOHM @ 6,3A, 5V | 2V à 250µA | 65 NC @ 10 V | ± 10V | 2030 pf @ 25 V | - | 2W (ta) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDA38N30 | - | ![]() | 4934 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | UniFet ™ | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | TO-3P-3, SC-65-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | To-3pn | télécharger | 0000.00.0000 | 1 | Canal n | 300 V | 38A (TC) | 10V | 85MOHM @ 19A, 10V | 5V @ 250µA | 60 NC @ 10 V | ± 30V | 2600 pf @ 25 V | - | 312W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HGTG40N60B3-FS | - | ![]() | 5349 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | * | En gros | Actif | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre Affeté | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQB16N15TM | 0,7200 | ![]() | 959 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | QFET® | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | MOSFET (Oxyde Métallique) | D2pak (à 263) | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal n | 150 V | 16.4a (TC) | 10V | 160MOHM @ 8.2A, 10V | 4V @ 250µA | 30 NC @ 10 V | ± 25V | 910 PF @ 25 V | - | 3,75W (TA), 108W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FGA40T65SHDF | 1 0000 | ![]() | 8593 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | TO-3P-3, SC-65-3 | Standard | 268 W | To-3pn | télécharger | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 400V, 40A, 6OHM, 15V | 101 ns | Arête du Champ de Tranché | 650 V | 80 A | 120 A | 1,81 V @ 15V, 40A | 1 22MJ (ON), 440µJ (OFF) | 68 NC | 18NS / 64NS | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FCH104N60 | 1 0000 | ![]() | 7227 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | Superfet® II | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 247-3 | FCH104 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 247-3 | télécharger | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | Canal n | 600 V | 37a (TC) | 10V | 104MOHM @ 18.5A, 10V | 3,5 V @ 250µA | 82 NC @ 10 V | ± 20V | 4165 PF @ 380 V | - | 357W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Flz13vc | 0,0200 | ![]() | 7129 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | ± 3% | -65 ° C ~ 175 ° C | Support de surface | DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 | 500 MW | SOD-80 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.10.0050 | 8 515 | 1,2 V @ 200 mA | 133 na @ 10 V | 13.3 V | 11,4 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FGP20N6S2D | - | ![]() | 2535 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | Standard | 125 W | À 220-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 400 | 390v, 7a, 25 ohms, 15v | 31 ns | - | 600 V | 28 A | 40 A | 2,7 V @ 15V, 7A | 25 µJ (ON), 58µJ (OFF) | 30 NC | 7,7ns / 87ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FGH50N6S2D | 10.6400 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 247-3 | Standard | 463 W | À 247 | télécharger | EAR99 | 8542.39.0001 | 29 | 390V, 30A, 3OHM, 15V | 55 ns | - | 600 V | 75 A | 240 A | 2,7 V @ 15V, 30A | 260 µJ (ON), 250µJ (OFF) | 70 NC | 13ns / 55ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Bzx84c11 | 0,0200 | ![]() | 48 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | Support de surface | Bzx84 | télécharger | Vendeur indéfini | Vendeur indéfini | 2156-BZX84C11-600039 | 1 | 100 na @ 8 V | 11 V | 20 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMBF4092 | - | ![]() | 5834 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | Mmbf40 | 350 MW | SOT-23-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 0000.00.0000 | 3 000 | Canal n | 16pf @ 20V | 40 V | 15 ma @ 20 V | 2 V @ 1 na | 50 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMBT200-FS | 0,0300 | ![]() | 155 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | 350 MW | SOT-23-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | 45 V | 500 mA | 50na | Pnp | 400 mV @ 20mA, 200mA | 100 @ 150mA, 5V | 250 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC548 | 0,0400 | ![]() | 25 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) | 500 MW | To-92-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.21.0075 | 2 000 | 30 V | 100 mA | 15NA (ICBO) | NPN | 600 mV @ 5mA, 100mA | 110 @ 2MA, 5V | 300 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Sgp5n60ruftu | 0,5100 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | SGP6N | Standard | 60 W | À 220 | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 300 V, 5A, 40 ohms, 15v | - | 600 V | 8 A | 15 A | 2,8 V @ 15V, 5A | 24 NC | 13NS / 34NS | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FMG1G300US60HE | 73.7500 | ![]() | 5 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Soutenir de châssis | Module | 892 W | Standard | - | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Célibataire | - | 600 V | 300 A | 2,7 V @ 15V, 300A | 250 µA | Non | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BSR15 | - | ![]() | 1370 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | BSR15 | 350 MW | SOT-23-3 | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 0000.00.0000 | 3 000 | 40 V | 800 mA | 20NA (ICBO) | Pnp | 1,6 V @ 50mA, 500mA | 100 @ 150mA, 10V | 200 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FJE3303H2TU | 0,2500 | ![]() | 31 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 225aa, à 126-3 | 20 W | TO-126-3 | télécharger | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 212 | 400 V | 1,5 A | 10µA (ICBO) | NPN | 3V @ 500mA, 1.5A | 14 @ 500mA, 2V | 4 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQA10N60C | 1.9700 | ![]() | 44 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | QFET® | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | TO-3P-3, SC-65-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | To-3p | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | Canal n | 600 V | 10A (TC) | 10V | 730MOHM @ 5A, 10V | 4V @ 250µA | 57 NC @ 10 V | ± 30V | 2040 PF @ 25 V | - | 192W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HUF76645P3 | 1.8700 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | Ultrafet ™ | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 400 | Canal n | 100 V | 75A (TC) | 4,5 V, 10V | 14MOHM @ 75A, 10V | 3V à 250µA | 153 NC @ 10 V | ± 16V | 4400 pf @ 25 V | - | 310W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GBPC2504W | - | ![]() | 1994 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | 4 Carrés, GBPC-W | Standard | GBPC-W | télécharger | 0000.00.0000 | 1 | 1,1 V @ 12,5 A | 5 µA @ 400 V | 25 A | Monophasé | 400 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FFPF06U20STU | 0 2200 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | Par le trou | À 220-2 EXCHET | Standard | À 220f-2l | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 200 V | 1,2 V @ 6 A | 35 ns | 6 µA @ 200 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 6A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC33725BU | 0,0400 | ![]() | 85 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) | 625 MW | To-92-3 | télécharger | EAR99 | 8541.21.0075 | 7 474 | 45 V | 800 mA | 100NA | NPN | 700 mV à 50ma, 500mA | 160 @ 100mA, 1V | 100 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GBU6K | 0,5800 | ![]() | 1860 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | 4-ISIP, GBU | Standard | GBU | télécharger | EAR99 | 8541.10.0080 | 58 | 1 V @ 6 A | 5 µA @ 800 V | 4.2 A | Monophasé | 800 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fqu3n60tu | 0,5100 | ![]() | 21 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | QFET® | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 251-3 courtise Pistes, Ipak, à 251aa | MOSFET (Oxyde Métallique) | I-pak | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 5 040 | Canal n | 600 V | 2.4a (TC) | 10V | 3,6 ohm @ 1,2a, 10v | 5V @ 250µA | 13 NC @ 10 V | ± 30V | 450 pf @ 25 V | - | 2,5W (TA), 50W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MM3Z6V2B | 0,0300 | ![]() | 18 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | Support de surface | SC-90, SOD-323F | 200 MW | SOD-323F | télécharger | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V @ 10 mA | 2,7 µA @ 4 V | 6.2 V | 9 ohms |
Volume de RFQ moyen quotidien
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