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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Tolérance | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Configuration | Vitre | Taper fet | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | VGS (max) | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Dissipation de Puisse (max) | Configuration de diode | Tension - DC inverse (VR) (max) | COURANT - RECTIFIÉ MOYEN (IO) (Per Diode) | Tension - en Avant (vf) (max) @ si | Temps de réménage inversé (TRR) | Courant - FUITE INVERSEE @ VR | Température de FonctionNement - Jonction | Current - Rectifié Moyen (IO) | Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) | Courant - Collectionneur (IC) (Max) | Type de diode | Tension - Pic inverse (max) | COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) | Tension - Zener (NOM) (VZ) | Impédance (max) (ZZT) | Type de transistor | VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC | Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE | FRÉQUENCE - transition | RÉSISTANCE - BASE (R1) |
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![]() | FJN3309RTA | 0,0200 | ![]() | 156 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes | FJN330 | 300 MW | To-92-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.21.0075 | 2 000 | 40 V | 100 mA | 100NA (ICBO) | NPN - Pré-biaisé | 300 mV @ 1MA, 10mA | 100 @ 1MA, 5V | 250 MHz | 4,7 kohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX85C12T50A | 0,0200 | ![]() | 15 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Par le trou | DO-204AL, DO-41, Axial | 1 W | DO-204AL (DO-41) | télécharger | Non applicable | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.10.0050 | 15 000 | 1,2 V @ 200 mA | 500 na @ 8,4 V | 12 V | 9 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Flz8v2b | 0,0200 | ![]() | 5084 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | ± 3% | -65 ° C ~ 175 ° C | Support de surface | DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 | 500 MW | SOD-80 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.10.0050 | 4 230 | 1,2 V @ 200 mA | 300 na @ 5 V | 8 V | 6,6 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Df10s | 0,2000 | ![]() | 8376 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 4 sous-marins | Standard | Df-s | télécharger | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 1.1 V @ 1 A | 10 µA @ 1 V | 1 a | Monophasé | 1 kv | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC856cmtf | - | ![]() | 7356 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | BC856 | 310 MW | SOT-23-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 0000.00.0000 | 3 000 | 65 V | 100 mA | 15NA (ICBO) | Pnp | 650 mV @ 5mA, 100mA | 420 @ 2MA, 5V | 150 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HUF76129D3S | 0,5400 | ![]() | 24 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | Ultrafet ™ | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 252-3 (DPAK) | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal n | 30 V | 20A (TC) | 4,5 V, 10V | 16MOHM @ 20A, 10V | 3V à 250µA | 46 NC @ 10 V | ± 20V | 1425 pf @ 25 V | - | 105W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | SFR9214TM | 0 2400 | ![]() | 412 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 252-3 (DPAK) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal p | 250 V | 1.53A (TC) | 10V | 4OHM @ 770mA, 10V | 4V @ 250µA | 11 NC @ 10 V | ± 30V | 295 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 19W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | FFPF06U40DNTU | 1 0000 | ![]() | 8480 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | Tube | Obsolète | Par le trou | À 220-3 EXCHET | Standard | À 220f-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 400 V | 6A | 1,4 V @ 6 A | 50 ns | 20 µA @ 400 V | -65 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NDS355AN-F169 | - | ![]() | 4005 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | SOT-23-3 | télécharger | Vendeur indéfini | Atteindre non affecté | 2156S355AN-F169-600039 | 1 | Canal n | 30 V | 1.7A (TA) | 4,5 V, 10V | 85MOHM @ 1.9A, 10V | 2V à 250µA | 5 NC @ 5 V | ± 20V | 195 PF @ 15 V | - | 500mw (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQAF10N80 | 1.6700 | ![]() | 7 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | QFET® | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | TO-3P-3 EXCHET | MOSFET (Oxyde Métallique) | To-3pf | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 360 | Canal n | 800 V | 6.7A (TC) | 10V | 1 05 ohm @ 3,35a, 10v | 5V @ 250µA | 71 NC @ 10 V | ± 30V | 2700 pf @ 25 V | - | 113W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Ksp92ata | - | ![]() | 5567 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes | 625 MW | To-92-3 | - | Rohs non conforme | Vendeur indéfini | 2156-SKP92ATA-600039 | 1 | 300 V | 500 mA | 250NA (ICBO) | Pnp | 500 mV @ 2MA, 20mA | 40 @ 10mA, 10V | 50 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fqd2p40tf | 0.4400 | ![]() | 9757 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | QFET® | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 252, (d-pak) | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 195 | Canal p | 400 V | 1.56A (TC) | 10V | 6,5 ohm @ 780mA, 10V | 5V @ 250µA | 13 NC @ 10 V | ± 30V | 350 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 38W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX79C51-T50A | 0,0200 | ![]() | 15 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | Par le trou | DO-204AH, DO-35, Axial | Bzx79c51 | 500 MW | Do-35 | télécharger | Non applicable | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 5 000 | 1,5 V @ 100 mA | 500 na @ 35,7 V | 51 V | 180 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HUFA76639P3 | 0,6600 | ![]() | 973 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | Ultrafet ™ | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 400 | Canal n | 100 V | 51A (TC) | 4,5 V, 10V | 26MOHM @ 51A, 10V | 3V à 250µA | 86 NC @ 10 V | ± 16V | 2400 pf @ 25 V | - | 180W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4730A-T50A | - | ![]() | 1513 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Par le trou | DO-204AL, DO-41, Axial | 1 W | DO-41 | - | Rohs non conforme | Vendeur indéfini | 2156-1N4730A-T50A-600039 | 1 | 50 µA @ 1 V | 3,9 V | 9 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAT54CWT1G | - | ![]() | 7445 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | Support de surface | SC-70, SOT-323 | Bat54 | Schottky | SC-70-3 (SOT323) | télécharger | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | Petit signal = <200mA (IO), Toute Vinesse | 1 paire la commune de cathode | 30 V | 200mA (DC) | 800 mV à 100 mA | 5 ns | 2 µA @ 25 V | -55 ° C ~ 125 ° C | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDP032N08B | - | ![]() | 2431 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | * | En gros | Actif | télécharger | Vendeur indéfini | Vendeur indéfini | 2156-FDP032N08B-600039 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Irfr210btm | 0 2200 | ![]() | 17 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 252, (d-pak) | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 200 V | 2.7A (TC) | 10V | 1,5 ohm @ 1,35a, 10v | 4V @ 250µA | 9.3 NC @ 10 V | ± 30V | 225 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 26W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDMD8540L | - | ![]() | 1005 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-POWERWDFN | FDMD8540 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 2.3W | 8-PUISSANCE 5X6 | - | 0000.00.0000 | 1 | 2 N-Canal (Demi-pont) | 40V | 33a, 156a | 1,5 mohm @ 33a, 10v | 3V à 250µA | 113nc @ 10v | 7940pf @ 20v | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SD1802T-E | 0,3200 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 251-3 courtise Pistes, Ipak, à 251aa | 1 W | Tp | télécharger | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | 50 V | 5 a | 1µA (ICBO) | NPN | 0,5 V @ 100mA, 2A | 200 @ 100mA, 2V | 150 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDPC1002 | 0,3900 | ![]() | 10 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C | Support de surface | 8-POWERWDFN | Fdpc1 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 1.6W (TA), 2W (TA) | PowerClip-33 | télécharger | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 2 Canaux N (double) | 25V | 13A (TA), 20A (TC), 27A (TA), 60A (TC) | 6MOHM @ 13A, 10V, 1,8MOHM @ 27A, 10V | 2,2 V @ 250µA, 2,2 V @ 1MA | 19nc @ 10v, 64nc @ 10v | 1240pf @ 13v, 4335pf @ 13v | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDWS9420-F085 | 0,8100 | ![]() | 6697 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | 8-PowerTDFN | FDWS9 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 75W | 8-pqfn (5x6) | télécharger | Non applicable | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.29.0095 | 312 | 2 Canaux N (double) | 40V | 20A (TC) | 5,8MOHM @ 20A, 10V | 4V @ 250µA | 43nc @ 10v | 2100pf @ 20v | - | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX85C12 | 0,0300 | ![]() | 21 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | Par le trou | DO-204AL, DO-41, Axial | 1 W | DO-204AL (DO-41) | télécharger | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 230 | 1,2 V @ 200 mA | 500 na @ 8,4 V | 12 V | 9 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDJ1028N | 0 2900 | ![]() | 14 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | SC-75-6 FLMP | FDJ1028 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 1,5 w | SC75-6 FLMP | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | 2 Canaux N (double) | 20V | 3.2a | 90mohm @ 3,2a, 4,5 V | 1,5 V @ 250µA | 3NC @ 4,5 V | 200pf @ 10v | Porte de Niveau Logique | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDBL86563-F085 | - | ![]() | 8578 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | 8 Powersfn | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8 hpsof | télécharger | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | Canal n | 60 V | 240a (TC) | 10V | 1,5 mohm @ 80a, 10v | 4V @ 250µA | 169 NC @ 10 V | ± 20V | 10300 pf @ 30 V | - | 357W (TJ) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N5551BU | - | ![]() | 8798 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) | 625 MW | To-92-3 | télécharger | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 | 160 V | 600 mA | 50NA (ICBO) | NPN | 200 mV @ 5mA, 50mA | 80 @ 10mA, 5V | 100 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fqd17n08ltf | 0,3400 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | QFET® | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 252-3 (DPAK) | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 000 | Canal n | 80 V | 12.9A (TC) | 5v, 10v | 100MOHM @ 6 45A, 10V | 2V à 250µA | 11,5 NC @ 5 V | ± 20V | 520 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 40W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQD4N20TM | 0,2800 | ![]() | 3 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | QFET® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 252, (d-pak) | télécharger | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 086 | Canal n | 200 V | 3A (TC) | 10V | 1,4 ohm @ 1,5a, 10v | 5V @ 250µA | 6,5 NC @ 10 V | ± 30V | 220 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 30W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDZ204P | 0 2900 | ![]() | 157 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 9-WFBGA | MOSFET (Oxyde Métallique) | 9-BGA (2x2.1) | télécharger | Rohs non conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal p | 20 V | 4.5a (TA) | 2,5 V, 4,5 V | 45 mohm @ 4,5a, 4,5 V | 1,5 V @ 250µA | 13 NC @ 4,5 V | ± 12V | 884 PF @ 10 V | - | 1.8W (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N3391A | - | ![]() | 8172 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) | 625 MW | To-92-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.21.0095 | 2 000 | 25 V | 500 mA | 100NA (ICBO) | NPN | - | 250 @ 2MA, 4,5 V | - |
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