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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Tolérance | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Fuseau | Numéro de Protuit de Base | Type d'entrée | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | ECCN | HTSUS | Norme de package | Configuration | Vitre | Taper fet | Condition de test | Actualiser | Tension | Tension - isolement | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | VGS (max) | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Dissipation de Puisse (max) | Configuration de diode | Tension - DC inverse (VR) (max) | COURANT - RECTIFIÉ MOYEN (IO) (Per Diode) | Tension - en Avant (vf) (max) @ si | Temps de réménage inversé (TRR) | Courant - FUITE INVERSEE @ VR | Température de FonctionNement - Jonction | Current - Rectifié Moyen (IO) | Capacité @ vr, f | Type igbt | Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) | Courant - Collectionneur (IC) (Max) | COURANT - COPEUR PULSÉ (ICM) | Vce (on) (max) @ vge, ic | Commutation d'Énergie | Charge de Porte | TD (On / Off) à 25 ° C | Type de diode | Tension - Pic inverse (max) | COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) | Tension - Zener (NOM) (VZ) | Impédance (max) (ZZT) | Type de transistor | VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC | Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE | FRÉQUENCE - transition |
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![]() | FDD6688 | 1.1100 | ![]() | 149 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 252, (d-pak) | télécharger | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | Canal n | 30 V | 84A (TA) | 4,5 V, 10V | 5MOHM @ 18A, 10V | 3V à 250µA | 56 NC @ 10 V | ± 20V | 3845 PF @ 15 V | - | 83W (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N459 | 1 0000 | ![]() | 5458 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | Par le trou | DO-204AH, DO-35, Axial | 1N459 | Standard | Do-35 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0070 | 10 000 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 200 V | 1 V @ 100 mA | 25 na @ 175 V | 175 ° C (max) | 500mA | 6pf @ 0v, 1mhz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAS20 | 0,0200 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | BAS20 | Standard | SOT-23-3 (à 236) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0070 | 3 000 | Petit signal = <200mA (IO), Toute Vinesse | 150 V | 1,25 V @ 200 mA | 50 ns | 100 na @ 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 200m | 5pf @ 0v, 1mhz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fes6g | - | ![]() | 8840 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | Support de surface | À 277, 3-Powerdfn | Standard | À 277-3 | télécharger | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 400 V | 1,2 V @ 6 A | 25 ns | 2 µA @ 400 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 6A | 60pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DF01S1 | 0.1900 | ![]() | 10 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 4 sous-marins | Standard | 4-SDIP | télécharger | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 700 | 1.1 V @ 1 A | 3 µA à 100 V | 1 a | Monophasé | 100 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQA9N90 | - | ![]() | 2716 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | QFET® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | TO-3P-3, SC-65-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | To-3p | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal n | 900 V | 8.6a (TC) | 10V | 1,3 ohm @ 4,3a, 10v | 5V @ 250µA | 72 NC @ 10 V | ± 30V | 2700 pf @ 25 V | - | 240W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PZT2907A | - | ![]() | 1276 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 261-4, à 261aa | PZT290 | 1 W | SOT-223-4 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 0000.00.0000 | 4 000 | 60 V | 800 mA | 20NA (ICBO) | Pnp | 1,6 V @ 50mA, 500mA | 100 @ 150mA, 10V | 200 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Gf1g | - | ![]() | 4274 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | Support de surface | DO-214AC, SMA | Standard | DO-214AC (SMA) | télécharger | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 400 V | 1 V @ 1 A | 2 µs | 5 µA @ 400 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | 15pf @ 4v, 1mhz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Ksa614ytu | 0,3300 | ![]() | 4 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | KSA614 | 25 W | À 220-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | 55 V | 3 A | 50 µA (ICBO) | Pnp | 500 MV à 100MA, 1A | 120 @ 500mA, 5V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDBL9403-F085 | - | ![]() | 3363 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | 8 Powersfn | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8 hpsof | télécharger | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | Canal n | 40 V | 240a (TC) | 10V | 0,9MOHM @ 80A, 10V | 4V @ 250µA | 188 NC @ 10 V | ± 20V | 12000 pf @ 25 V | - | 357W (TJ) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Kbu6j | 0,7100 | ![]() | 5162 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | 4-sip, kbu | Standard | Kbu | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.10.0080 | 84 | 1 V @ 6 A | 10 µA @ 50 V | 6 A | Monophasé | 600 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMBZ5248B | 0,0200 | ![]() | 2130 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | ± 5% | - | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBZ52 | 300 MW | SOT-23 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 | 900 mV @ 10 mA | 100 na @ 14 V | 18 V | 21 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC560abu | 0,0200 | ![]() | 6659 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) | 500 MW | To-92-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.21.0075 | 13 975 | 45 V | 100 mA | 15NA (ICBO) | Pnp | 650 mV @ 5mA, 100mA | 110 @ 2MA, 5V | 150 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BD680astu | 0,3000 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 225aa, à 126-3 | 14 W | TO-126-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | 80 V | 4 A | 500 µA | PNP - Darlington | 2,8 V @ 40mA, 2A | 750 @ 2A, 3V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NDS9953A | 0,5700 | ![]() | 282 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | NDS995 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 900mw | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.21.0095 | 2 500 | 2 Canal P (double) | 30V | 2.9a | 130 mohm @ 1a, 10v | 2,8 V @ 250µA | 25nc @ 10v | 350pf @ 10v | Porte de Niveau Logique | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5234CTR | 0,0200 | ![]() | 55 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | ± 2% | 200 ° C | Par le trou | DO-204AH, DO-35, Axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | télécharger | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 mA | 5 µA @ 4 V | 6.2 V | 7 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
MMSZ5239B | 1 0000 | ![]() | 7678 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | ± 5% | - | Support de surface | SOD-123 | MMSZ52 | 500 MW | SOD-123 | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 | 900 mV @ 10 mA | 3 µA @ 7 V | 9.1 V | 8 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N978B | 2.0200 | ![]() | 32 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | Par le trou | DO-204AH, DO-35, Axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.10.0050 | 162 | 5 µA @ 38,8 V | 51 V | 125 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Sgw23n60ufdtm | 0,8300 | ![]() | 48 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | SGW23 | Standard | 100 W | D2pak (à 263) | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | 300 V, 12A, 23OHM, 15V | 60 ns | - | 600 V | 23 A | 92 A | 2.6V @ 15V, 12A | 115 µJ (ON), 135µJ (OFF) | 49 NC | 17ns / 60ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
FDW252P | - | ![]() | 6011 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm de grosur) | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-TSSOP | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.21.0095 | 2 500 | Canal p | 20 V | 8.8A (TA) | 2,5 V, 4,5 V | 12,5 mohm @ 8,8a, 4,5 V | 1,5 V @ 250µA | 66 NC @ 4,5 V | ± 12V | 5045 PF @ 10 V | - | 1.3W (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Ffaf10u120dntu | 1.4800 | ![]() | 360 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | Tube | Obsolète | Par le trou | TO-3P-3 EXCHET | Standard | To-3pf | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 1200 V | 10A | 3,5 V @ 10 A | 100 ns | 10 µA à 1200 V | -65 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FVP12030IM3LEG1 | 18.3200 | ![]() | 28 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | SPM® | Plateau | Obsolète | Par le trou | Module 19-Powerdip (1 205 ", 30,60 mm) | Igbt | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8542.39.0001 | 40 | Demi-pont | 120 A | 300 V | 1500 VRM | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FFPF06U20DNTU | 0,3300 | ![]() | 11 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | Tube | Obsolète | Par le trou | À 220-3 EXCHET | Standard | À 220f-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 200 V | 6A | 1,2 V @ 6 A | 35 ns | 6 µA @ 200 V | -65 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | D45H2A | 0,7500 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | D45h | 60 W | À 220-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | 30 V | 8 A | 10µA (ICBO) | Pnp | 1V @ 400mA, 8A | 100 @ 8A, 5V | 25 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDS9431A-F085 | - | ![]() | 6085 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | Automobile, AEC-Q101 | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-SOIC | télécharger | Non applicable | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal p | 20 V | 3.5A (TA) | 130 mohm @ 3,5a, 4,5 V | 1V @ 250µA | 8,5 NC @ 4,5 V | ± 8v | 405 PF @ 10 V | - | 1W (ta) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDB42AN15A0-F085 | 1 0000 | ![]() | 6651 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | FDB42 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D²pak (à 263) | télécharger | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | Canal n | 150 V | 35A (TC) | 10V | 42MOHM @ 12A, 10V | 4V @ 250µA | 36 NC @ 10 V | ± 20V | 2040 PF @ 25 V | - | 150W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FGB30N6S2 | 0,9300 | ![]() | 5843 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | Standard | 167 W | D2pak (à 263) | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 225 | 390V, 12A, 10OHM, 15V | - | 600 V | 45 A | 108 A | 2,5 V @ 15V, 12A | 55 µJ (ON), 100µJ (OFF) | 23 NC | 6NS / 40NS | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N914BWT | 0,0200 | ![]() | 24 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | Support de surface | SC-79, SOD-523F | 1N914B | Standard | SOD-523F | télécharger | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | Petit signal = <200mA (IO), Toute Vinesse | 75 V | 1 V @ 100 mA | 4 ns | 5 µA @ 75 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 200m | 4pf @ 0v, 1mhz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fqd5n20ltm | 0,3300 | ![]() | 4354 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | QFET® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 252, (d-pak) | télécharger | EAR99 | 8542.39.0001 | 358 | Canal n | 200 V | 3.8A (TC) | 5v, 10v | 1,2 ohm @ 1,9a, 10v | 2V à 250µA | 6.2 NC @ 5 V | ± 20V | 325 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 37W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDB6030BL | 3.2000 | ![]() | 82 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Obsolète | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | MOSFET (Oxyde Métallique) | D2pak (à 263) | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal n | 30 V | 40A (TC) | 4,5 V, 10V | 18MOHM @ 20A, 10V | 3V à 250µA | 17 NC @ 5 V | ± 20V | 1160 pf @ 15 V | - | 60W (TC) |
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