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Produits semi-conduurs discrètes (5251)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Tolérance	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Fuseau	Numéro de Protuit de Base	Technologie	Power - Max	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Configuration	Vitre	Taper fet	Actualiser	Tension	Tension - isolement	Égoutter la tension de la source (VDSS)	Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C	Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS)	RDS SUR (MAX) @ ID, VGS	Vgs (th) (max) @ id	Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS	VGS (max)	Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds	FET FONCTION	Dissipation de Puisse (max)	Configuration de diode	Tension - DC inverse (VR) (max)	COURANT - RECTIFIÉ MOYEN (IO) (Per Diode)	Tension - en Avant (vf) (max) @ si	Temps de réménage inversé (TRR)	Courant - FUITE INVERSEE @ VR	Température de FonctionNement - Jonction	Current - Rectifié Moyen (IO)	Capacité @ vr, f	Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max)	Courant - Collectionneur (IC) (Max)	COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX)	Tension - Zener (NOM) (VZ)	Impédance (max) (ZZT)	Type de transistor	VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC	Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE	FRÉQUENCE - transition	RÉSISTANCE - BASE (R1)
1N5393	0,0200	RFQ	35	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif			Par le trou	DO-204AC, DO-15, axial			Standard		DO15 / DO204AC	télécharger					EAR99	8541.10.0080	1		Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO)																200 V		1,3 V @ 1,5 A	1,5 µs	5 µA @ 200 V	-50 ° C ~ 175 ° C	1.5a	-
1N5989b	1.8400	RFQ	9	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Obsolète	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	Par le trou	DO-204AH, DO-35, Axial				500 MW	DO-35 (DO-204AH)	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.10.0050	163																				1,2 V @ 200 mA		15 µA @ 1 V							3,6 V	90 ohms
FJY3012R	0,0200	RFQ	2009	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Obsolète			Support de surface	SC-89, SOT-490		FJY301		200 MW	SOT-523F	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.21.0075	3 000																										40 V	100 mA	100NA (ICBO)			NPN - Pré-biaisé	300 mV @ 1MA, 10mA	100 @ 1MA, 5V	250 MHz	47 kohms
SS8550CTA	0,0600	RFQ	14	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif		150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes				1 W	To-92-3	télécharger					EAR99	8541.29.0075	4 948																										25 V	1,5 A	100NA (ICBO)			Pnp	500 mV @ 80mA, 800mA	120 @ 100mA, 1V	200 MHz
NDS8947	0,9700	RFQ	6	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Obsolète		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)		NDS894	MOSFET (Oxyde Métallique)	900mw	8-SOIC	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.21.0095	2 500	2 Canal P (double)						30V	4A		65MOHM @ 4A, 10V	2,8 V @ 250µA	30nc @ 10v		690pf @ 15v	Porte de Niveau Logique
RURP820CC	0,5200	RFQ	14	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif			Par le trou	À 220-3			Avalanche		À 220ab	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.10.0080	1		Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)															1 paire la commune de cathode	200 V	8a	975 MV @ 8 A	13 ns	100 µA @ 200 V	-65 ° C ~ 175 ° C
FFB20UP20DN-SB82195	0 7700	RFQ	100	Semi-conducteur de Fairchild	*	En gros	Actif										-	Non applicable	1 (illimité)	Vendeur indéfini		EAR99	8542.39.0001	800
10 RGP	0,0600	RFQ	60	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif			Par le trou	DO-204AL, DO-41, Axial			Standard		DO-41	télécharger		Vendeur indéfini	Vendeur indéfini	2156-RGP10K-600039			4 800		Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)																800 V		1,3 V @ 1 A	500 ns	5 µA @ 800 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	15pf @ 4v, 1mhz
S1G	0,0500	RFQ	186	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif			Support de surface	DO-214AC, SMA			Standard		DO-214AC, SMA	télécharger					EAR99	8541.10.0080	6 217		Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO)																400 V		1.1 V @ 1 A	1,5 µs	5 µA @ 400 V	-50 ° C ~ 150 ° C	1A	-
BAT42XV2	-	RFQ	7273	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Obsolète			Support de surface	SC-79, SOD-523		Bat42	Schottky		SOD-523F	télécharger					EAR99	8541.10.0070	1		Petit signal = <200mA (IO), Toute Vinesse																30 V		1 V @ 200 mA	5 ns	500 na @ 25 V	125 ° C (max)	200m	7pf @ 1v, 1mhz
FQD20N06TM	-	RFQ	4146	Semi-conducteur de Fairchild	QFET®	En gros	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63			MOSFET (Oxyde Métallique)		À 252, (d-pak)	télécharger						0000.00.0000	1			Canal n				60 V	16.8A (TC)	10V	63MOHM @ 8.4A, 10V	4V @ 250µA	15 NC @ 10 V	± 25V	590 pf @ 25 V	-	2.5W (TA), 38W (TC)
FSB50825AB	4.7900	RFQ	172	Semi-conducteur de Fairchild	Motion-SPM®	En gros	Actif			Par le trou	Module 23-Powerdip (0,644 ", 16,35 mm)	Mosfet					télécharger					EAR99	8542.39.0001	68	3 phase			3.6 A	250 V	1500 VRM
RFP50N06_F102	-	RFQ	9875	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3			MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220-3	télécharger					EAR99	8541.29.0095	1			Canal n				60 V	50A (TC)	10V	22MOHM @ 50A, 10V	4V @ 250µA	150 NC @ 20 V	± 20V	2020 PF @ 25 V	-	131W (TC)
FDT459N	0.4400	RFQ	11	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 261-4, à 261aa		FDT45	MOSFET (Oxyde Métallique)		SOT-223-4	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre Affeté		EAR99	0000.00.0000	2 500			Canal n				30 V	6.5A (TA)	4,5 V, 10V	35MOHM @ 6.5A, 10V	2V à 250µA	17 NC @ 10 V	± 20V	365 PF @ 15 V	-	3W (TA)
FQN1N60CTA	0.1900	RFQ	88	Semi-conducteur de Fairchild	QFET®	En gros	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes			MOSFET (Oxyde Métallique)		To-92-3	télécharger					EAR99	8542.39.0001	1			Canal n				600 V	300mA (TC)	10V	11,5ohm @ 150mA, 10V	4V @ 250µA	6.2 NC @ 10 V	± 30V	170 pf @ 25 V	-	1W (TA), 3W (TC)
BSR17A	-	RFQ	5551	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 236-3, SC-59, SOT-23-3				350 MW	SOT-23-3	télécharger					EAR99	8541.21.0075	1																										40 V	200 mA	5µA (ICBO)			NPN	300 MV à 5MA, 50mA	100 @ 10mA, 1V	300 MHz
FJN3310RTA	0,0200	RFQ	290	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Obsolète			Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes		FJN331		300 MW	To-92-3	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.21.0075	2 000																										40 V	100 mA	100NA (ICBO)			NPN - Pré-biaisé	300 mV @ 1MA, 10mA	100 @ 1MA, 5V	250 MHz	10 kohms
FDB603AL	1.2200	RFQ	39	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®	En gros	Actif		-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab			MOSFET (Oxyde Métallique)		À 263ab	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre Affeté		EAR99	8541.29.0095	800			Canal n				30 V	33A (TC)	4,5 V, 10V	22MOHM @ 25A, 10V	3V à 250µA	26 NC @ 10 V	± 20V	670 pf @ 15 V	-	50W (TC)
1N4933GP	0.1900	RFQ	44	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Obsolète			Par le trou	DO-204AL, DO-41, Axial			Standard		DO-204AL (DO-41)	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.10.0080	25 000		Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)																50 V		1,2 V @ 1 A	150 ns	5 µA @ 50 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	12pf @ 4v, 1mhz
1N916B	0,0300	RFQ	259	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif			Par le trou	DO-204AH, DO-35, Axial			Standard		DO-35 (DO-204AH)	télécharger					EAR99	8541.10.0070	11 539		Petit signal = <200mA (IO), Toute Vinesse																100 V		1 V @ 20 mA	4 ns	5 µA @ 75 V	-65 ° C ~ 175 ° C	200m	2pf @ 0v, 1mhz
Irfw630btm_fp001	0,4300	RFQ	800	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab			MOSFET (Oxyde Métallique)		D2pak (à 263)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre Affeté		EAR99	8541.29.0095	800			Canal n				200 V	9A (TC)	10V	400mohm @ 4,5a, 10v	4V @ 250µA	29 NC @ 10 V	± 30V	720 pf @ 25 V	-	3.13W (TA), 72W (TC)
RGF1K	0 1200	RFQ	6089	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif			Support de surface	DO-214AC, SMA		RGF1	Standard		SMA (DO-214AC)	télécharger					EAR99	8541.10.0080	1		Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)																800 V		1,3 V @ 1 A	500 ns	5 µA @ 800 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	8,5pf @ 4v, 1 MHz
Fqpf8n80cydtu	1.2100	RFQ	417	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3 EXCHET			MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220f-3 (formage y)	télécharger					EAR99	8542.39.0001	249			Canal n				800 V	8A (TC)	10V	1 55 ohm @ 4a, 10v	5V @ 250µA	45 NC @ 10 V	± 30V	2050 PF @ 25 V	-	59W (TC)
FSAM20SL60	20.3900	RFQ	171	Semi-conducteur de Fairchild	SPM®	En gros	Actif			Par le trou	Module 32-Powerdip (1 370 ", 34,80 mm)	Igbt					télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	8	3 phase			20 a	600 V	2500 VRM
FNA51560TD3	10.3400	RFQ	11	Semi-conducteur de Fairchild	Motion SPM® 55	En gros	Actif			Par le trou	Module 20-Powerdip (1 220 ", 31,00 mm)	Igbt					télécharger					EAR99	8542.39.0001	1	Onduleur Triphasé			15 A	600 V	1500 VRM
FQAF7N90	1.4700	RFQ	877	Semi-conducteur de Fairchild	QFET®	Tube	Obsolète		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	TO-3P-3 EXCHET			MOSFET (Oxyde Métallique)		To-3pf	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.29.0095	360			Canal n				900 V	5.2a (TC)	10V	1 55 ohm @ 2,6a, 10v	5V @ 250µA	59 NC @ 10 V	± 30V	2280 pf @ 25 V	-	107W (TC)
FDD8780	0,4100	RFQ	999	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®	En gros	Actif		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63			MOSFET (Oxyde Métallique)		À 252, (d-pak)	télécharger					EAR99	8541.29.0095	1			Canal n				25 V	35A (TC)	4,5 V, 10V	8,5MOHM @ 35A, 10V	2,5 V @ 250µA	29 NC @ 10 V	± 20V	1440 PF @ 13 V	-	50W (TC)
FMKA130L	-	RFQ	1927	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Obsolète			Support de surface	DO-214AC, SMA			Schottky		DO-214AC (SMA)	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.10.0080	4 121		Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)																30 V		410 mv @ 1 a		1 ma @ 30 V	-65 ° C ~ 125 ° C	1A	-
BC546	0,0400	RFQ	114	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Obsolète		150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa)				500 MW	To-92-3	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.21.0075	2 000																										65 V	100 mA	15NA (ICBO)			NPN	600 mV @ 5mA, 100mA	110 @ 2MA, 5V	300 MHz
FQAF19N20	0,8300	RFQ	684	Semi-conducteur de Fairchild	QFET®	Tube	Obsolète		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	TO-3P-3 EXCHET			MOSFET (Oxyde Métallique)		To-3pf	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.29.0095	360			Canal n				200 V	15A (TC)	10V	150 mohm @ 7,5a, 10v	5V @ 250µA	40 NC @ 10 V	± 30V	1600 pf @ 25 V	-	85W (TC)