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Produits semi-conduurs discrètes (5251)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Tolérance	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Fuseau	Numéro de Protuit de Base	Technologie	Power - Max	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Configuration	Vitre	Taper fet	Actualiser	Tension	Tension - isolement	Égoutter la tension de la source (VDSS)	Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C	Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS)	RDS SUR (MAX) @ ID, VGS	Vgs (th) (max) @ id	Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS	VGS (max)	Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds	FET FONCTION	Dissipation de Puisse (max)	Configuration de diode	Tension - DC inverse (VR) (max)	COURANT - RECTIFIÉ MOYEN (IO) (Per Diode)	Tension - en Avant (vf) (max) @ si	Temps de réménage inversé (TRR)	Courant - FUITE INVERSEE @ VR	Température de FonctionNement - Jonction	Current - Rectifié Moyen (IO)	Capacité @ vr, f	Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max)	Courant - Collectionneur (IC) (Max)	COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX)	Tension - Zener (NOM) (VZ)	Impédance (max) (ZZT)	Type de transistor	VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC	Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE	FRÉQUENCE - transition	RÉSISTANCE - BASE (R1)	Résistance - Base d'Emetteur (R2)
FDB4020P	0,7500	RFQ	7	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Obsolète		-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab			MOSFET (Oxyde Métallique)		D2pak (à 263)	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.29.0095	800			Canal p				20 V	16a (ta)	2,5 V, 4,5 V	80MOHM @ 8A, 4,5 V	1V @ 250µA	13 NC @ 4,5 V	± 8v	665 PF @ 10 V	-	37,5W (TC)
FQP44N08	0,6100	RFQ	1	Semi-conducteur de Fairchild	QFET®	Tube	Obsolète		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3			MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220-3	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.29.0095	1 000			Canal n				80 V	44a (TC)	10V	34MOHM @ 22A, 10V	4V @ 250µA	50 NC @ 10 V	± 25V	1430 pf @ 25 V	-	127W (TC)
1N5224B	2.4100	RFQ	99	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif	± 5%	-	Par le trou	DO-204AH, DO-35, Axial		1N5224		500 MW	Do-35	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.10.0050	125																				900 mV @ 200 mA		50 µA @ 1 V							2,8 V	30 ohms
FSBF15CH60BTH	15.9000	RFQ	259	Semi-conducteur de Fairchild	Motion-SPM®	En gros	Actif			Par le trou	Module 27-Powerdip (1 205 ", 30,60 mm)	Igbt	FSBF1				-	Non applicable	3 (168 Heures)	Vendeur indéfini		EAR99	8542.39.0001	19	3 phase			15 A	600 V	2500 VRM
FQI32N20CTU	0,9800	RFQ	1	Semi-conducteur de Fairchild	QFET®	Tube	Obsolète		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 262-3 longs longs, i²pak, à 262aa			MOSFET (Oxyde Métallique)		I2pak (à 262)	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.29.0095	50			Canal n				200 V	28a (TC)	10V	82MOHM @ 14A, 10V	4V @ 250µA	110 NC @ 10 V	± 30V	2220 pf @ 25 V	-	3.13W (TA), 156W (TC)
Irf654b	0,9600	RFQ	447	Semi-conducteur de Fairchild	*	En gros	Actif										télécharger		Vendeur indéfini	Atteindre Affeté	2156-IRF654B-600039			1
FJC1963RTF	-	RFQ	5688	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Obsolète		150 ° C (TJ)	Support de surface	À 243aa				500 MW	SOT-89-3	-	Rohs3 conforme				EAR99	8541.21.0095	4 000																										30 V	3 A	500NA			NPN	450 MV à 150mA, 1,5a	180 @ 500mA, 2V	-
NZT6729	1 0000	RFQ	6805	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 261-4, à 261aa		Nzt67		1 W	SOT-223-4	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	0000.00.0000	4 000																										80 V	1 a	100NA (ICBO)			Pnp	500 mV @ 10mA, 250mA	50 @ 250mA, 1V	-
FNA40860	9.1100	RFQ	364	Semi-conducteur de Fairchild	Motion SPM® 45	En gros	Actif			Par le trou	Module 26-Powerdip (1 024 ", 26,00 mm)	Igbt					télécharger					EAR99	8542.39.0001	1	3 phase			8 A	600 V	2000 VRM
Fes16atr	1 0000	RFQ	9743	Semi-conducteur de Fairchild	-	Tube	Obsolète			Par le trou	À 220-2			Standard		À 220-2	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.10.0080	50		Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)																50 V		950 MV @ 8 A	35 ns	10 µA @ 50 V	-65 ° C ~ 150 ° C	16A	170pf @ 4v, 1mhz
MMBT2907AK	1 0000	RFQ	1193	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Obsolète		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 236-3, SC-59, SOT-23-3				350 MW	SOT-23-3	-	Rohs3 conforme				EAR99	8541.21.0075	3 000																										60 V	600 mA	10NA (ICBO)			Pnp	1,6 V @ 50mA, 500mA	100 @ 150mA, 10V	200 MHz
Fjv4103rmtf	-	RFQ	9217	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Obsolète			Support de surface	À 236-3, SC-59, SOT-23-3		FJV410		200 MW	SOT-23-3	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.21.0075	4 244																										50 V	100 mA	100NA (ICBO)			PNP - Pré-biaisé	300 mV à 500 µA, 10mA	56 @ 5mA, 5V	200 MHz	22 kohms	22 kohms
Flz3v3a	0,0200	RFQ	75	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Obsolète	± 3%	-65 ° C ~ 175 ° C	Support de surface	DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80				500 MW	SOD-80	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.10.0050	2 500																				1,2 V @ 200 mA		14 µA @ 1 V							3,3 V	35 ohms
RGP10A	0,0600	RFQ	55	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif			Par le trou	DO-204AL, DO-41, Axial			Standard		DO-41	télécharger		Vendeur indéfini	Vendeur indéfini	2156-RGP10A-600039			5 362		Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)																50 V		1,3 V @ 1 A	150 ns	5 µA @ 50 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	15pf @ 4v, 1mhz
1N963BTR	0,0200	RFQ	28	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Obsolète	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	Par le trou	DO-204AH, DO-35, Axial				500 MW	DO-35 (DO-204AH)	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.10.0050	5 000																						5 µA @ 9,1 V							12 V	11,5 ohms
Bav21tr	-	RFQ	4263	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif			Par le trou	DO-204AH, DO-35, Axial		BAV21	Standard		Do-35	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.10.0070	5 000		Petit signal = <200mA (IO), Toute Vinesse																250 V		1,25 V @ 200 mA	50 ns	100 na @ 200 V	175 ° C (max)	200m	5pf @ 0v, 1mhz
BC32725TF	-	RFQ	9485	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Obsolète		150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes				625 MW	To-92-3	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.21.0075	2 000																										45 V	800 mA	100NA			Pnp	700 mV à 50ma, 500mA	160 @ 100mA, 1V	100 MHz
BCX71G	0,0200	RFQ	7800	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Obsolète		-	Support de surface	À 236-3, SC-59, SOT-23-3				350 MW	SOT-23-3	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.21.0095	369																										45 V	100 mA	20na			Pnp	550 mV à 1,25 mA, 50mA	120 @ 2MA, 5V	-
RURP820CC	0,5200	RFQ	14	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif			Par le trou	À 220-3			Avalanche		À 220ab	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.10.0080	1		Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)															1 paire la commune de cathode	200 V	8a	975 MV @ 8 A	13 ns	100 µA @ 200 V	-65 ° C ~ 175 ° C
FFPF10U20DNTU	0,2500	RFQ	55	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif			Par le trou	À 220-3 EXCHET			Standard		À 220f	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre Affeté		EAR99	8541.10.0080	1		Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)															1 paire la commune de cathode	200 V	10A	1,2 V @ 10 A	35 ns	10 µA @ 200 V	-65 ° C ~ 150 ° C
HUF75631S3S	0,7000	RFQ	1	Semi-conducteur de Fairchild	Ultrafet ™	En gros	Actif		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab		HUF75	MOSFET (Oxyde Métallique)		D²PAK (à 263AB)	-	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre Affeté		EAR99	8541.29.0095	1			Canal n				100 V	33A (TC)	10V	40 mohm @ 33a, 10v	4V @ 250µA	79 NC @ 20 V	± 20V	1220 PF @ 25 V	-	120W (TC)
MBRP1545NTU	0,5300	RFQ	1	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif			Par le trou	À 220-3			Schottky		À 220-3	télécharger					EAR99	8541.10.0080	570		Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)															1 paire la commune de cathode	45 V	15A	800 mV @ 15 a		1 ma @ 45 V	-65 ° C ~ 150 ° C
HUF75343S3	1 0000	RFQ	540	Semi-conducteur de Fairchild	Ultrafet ™	Tube	Obsolète		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 262-3 longs longs, i²pak, à 262aa			MOSFET (Oxyde Métallique)		I2pak (à 262)	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.29.0095	400			Canal n				55 V	75A (TC)	10V	9MOHM @ 75A, 10V	4V @ 250µA	205 NC @ 20 V	± 20V	3000 pf @ 25 V	-	270W (TC)
ISL9K860P3	-	RFQ	8630	Semi-conducteur de Fairchild	Furtivité ™	Tube	Obsolète			Par le trou	À 220-3			Standard		À 220-3	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.10.0080	400		Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)															1 paire la commune de cathode	600 V	8a	2,4 V @ 8 A	30 ns	100 µA @ 600 V	-55 ° C ~ 175 ° C
ISL9K1560G3	1.3300	RFQ	1008	Semi-conducteur de Fairchild	*	En gros	Actif										télécharger		Vendeur indéfini	Atteindre non affecté	2156-ISL9K1560G3-600039			1
EGP20G	0,2800	RFQ	3	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif			Par le trou	DO-204AC, DO-15, axial			Standard		Do-15	télécharger					EAR99	8541.10.0080	1 158		Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)																400 V		1,25 V @ 2 A	50 ns	5 µA @ 400 V	-65 ° C ~ 150 ° C	2A	45pf @ 4v, 1mhz
BAT42XV2	-	RFQ	7273	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Obsolète			Support de surface	SC-79, SOD-523		Bat42	Schottky		SOD-523F	télécharger					EAR99	8541.10.0070	1		Petit signal = <200mA (IO), Toute Vinesse																30 V		1 V @ 200 mA	5 ns	500 na @ 25 V	125 ° C (max)	200m	7pf @ 1v, 1mhz
FFB20UP20DN-SB82195	0 7700	RFQ	100	Semi-conducteur de Fairchild	*	En gros	Actif										-	Non applicable	1 (illimité)	Vendeur indéfini		EAR99	8542.39.0001	800
S1G	0,0500	RFQ	186	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif			Support de surface	DO-214AC, SMA			Standard		DO-214AC, SMA	télécharger					EAR99	8541.10.0080	6 217		Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO)																400 V		1.1 V @ 1 A	1,5 µs	5 µA @ 400 V	-50 ° C ~ 150 ° C	1A	-
10 RGP	0,0600	RFQ	60	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif			Par le trou	DO-204AL, DO-41, Axial			Standard		DO-41	télécharger		Vendeur indéfini	Vendeur indéfini	2156-RGP10K-600039			4 800		Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)																800 V		1,3 V @ 1 A	500 ns	5 µA @ 800 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	15pf @ 4v, 1mhz