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Produits semi-conduurs discrètes (5255)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Tolérance	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Technologie	Power - Max	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Vitre	Taper fet	Égoutter la tension de la source (VDSS)	Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C	Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS)	RDS SUR (MAX) @ ID, VGS	Vgs (th) (max) @ id	Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS	VGS (max)	Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds	FET FONCTION	Dissipation de Puisse (max)	Configuration de diode	Tension - DC inverse (VR) (max)	COURANT - RECTIFIÉ MOYEN (IO) (Per Diode)	Tension - en Avant (vf) (max) @ si	Temps de réménage inversé (TRR)	Courant - FUITE INVERSEE @ VR	Température de FonctionNement - Jonction	Current - Rectifié Moyen (IO)	Capacité @ vr, f	Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max)	Courant - Collectionneur (IC) (Max)	COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX)	Tension - Zener (NOM) (VZ)	Impédance (max) (ZZT)	Type de transistor	VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC	Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE	FRÉQUENCE - transition	RÉSISTANCE - BASE (R1)	Résistance - Base d'Emetteur (R2)
BAT54CWT1G	-	RFQ	7445	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif			Support de surface	SC-70, SOT-323	Bat54	Schottky		SC-70-3 (SOT323)	télécharger					EAR99	8541.10.0070	1	Petit signal = <200mA (IO), Toute Vinesse												1 paire la commune de cathode	30 V	200mA (DC)	800 mV à 100 mA	5 ns	2 µA @ 25 V	-55 ° C ~ 125 ° C
FQPF33N10	-	RFQ	6086	Semi-conducteur de Fairchild	QFET®	En gros	Actif		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3 EXCHET		MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220f-3	télécharger					EAR99	8542.39.0001	1		Canal n	100 V	18A (TC)	10V	52MOHM @ 9A, 10V	4V @ 250µA	51 NC @ 10 V	± 25V	1500 pf @ 25 V	-	41W (TC)
RFD3055SM9A	0 4600	RFQ	2537	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Obsolète		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63		MOSFET (Oxyde Métallique)		À 252, (d-pak)	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.29.0095	40		Canal n	60 V	12A (TC)	10V	150 mohm @ 12a, 10v	4V @ 250µA	23 NC @ 20 V	± 20V	300 pf @ 25 V	-	53W (TC)
1N976B	1.8400	RFQ	33	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Obsolète	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	Par le trou	DO-204AH, DO-35, Axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.10.0050	163																		5 µA @ 32,7 V							43 V	93 ohms
BD436	-	RFQ	8546	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif		150 ° C (TJ)	Par le trou	À 225aa, à 126-3			36 W	TO-126-3	télécharger					EAR99	8541.29.0095	344																						32 V	4 A	100 µA			Pnp	500 MV @ 200mA, 2A	40 @ 10mA, 5V	3 MHz
FDFS2P753AZ	0,5300	RFQ	9	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®	En gros	Obsolète		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)		MOSFET (Oxyde Métallique)		8-SOIC	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.29.0095	2 500		Canal p	30 V	3a (ta)	4,5 V, 10V	115MOHM @ 3A, 10V	3V à 250µA	11 NC @ 10 V	± 25V	455 PF @ 15 V	Diode Schottky (isolé)	3.1W (TA)
FDH50N50	10.3700	RFQ	761	Semi-conducteur de Fairchild	UniFet ™	Tube	Obsolète		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3		MOSFET (Oxyde Métallique)		À 247	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.29.0095	30		Canal n	500 V	48A (TC)	10V	105MOHM @ 24A, 10V	5V @ 250µA	137 NC @ 10 V	± 30V	6460 pf @ 25 V	-	625W (TC)
ISL9N310AD3	0,4100	RFQ	3	Semi-conducteur de Fairchild	Ultrafet®	En gros	Obsolète		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	To-251-3 Stub Leads, ipak		MOSFET (Oxyde Métallique)		À 251 (ipak)	télécharger	Non applicable	1 (illimité)	Vendeur indéfini		EAR99	8541.29.0095	1		Canal n	30 V	35A (TC)	4,5 V, 10V	10OHM @ 35A, 10A	3V à 250µA	48 NC @ 10 V	± 20V	1800 pf @ 15 V	-	70W (TA)
FDZ294N	0,9600	RFQ	53	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®	En gros	Obsolète		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	9-VFBGA		MOSFET (Oxyde Métallique)		9-BGA (1,5x1,6)	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal n	20 V	6a (ta)	2,5 V, 4,5 V	23MOHM @ 6A, 4,5 V	1,5 V @ 250µA	10 NC @ 4,5 V	± 12V	670 pf @ 10 V	-	1.7W (TA)
KSC5024RTU	0,6700	RFQ	496	Semi-conducteur de Fairchild	-	Tube	Obsolète		150 ° C (TJ)	Par le trou	TO-3P-3, SC-65-3			90 W	To-3pn	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.29.0095	496																						500 V	10 a	10µA (ICBO)			NPN	1V @ 800mA, 4A	15 @ 800mA, 5V	18 MHz
1N5380bg	-	RFQ	7314	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	Par le trou	T-18, axial			5 W	Axial	télécharger					EAR99	8541.10.0050	1																1,2 V @ 1 A		500 na @ 91,2 V							120 V	170 ohms
BC33716ta	0,0400	RFQ	532	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif		150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes			625 MW	To-92-3	télécharger					EAR99	8541.21.0075	8 103																						45 V	800 mA	100NA			NPN	700 mV à 50ma, 500mA	100 @ 100mA, 1v	100 MHz
FDW262P	0,5700	RFQ	178	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®	En gros	Obsolète		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm de grosur)		MOSFET (Oxyde Métallique)		8-TSSOP	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.21.0095	2 500		Canal p	20 V	4.5a (TA)	1,8 V, 4,5 V	47MOHM @ 4,5A, 4,5 V	1,5 V @ 250µA	18 NC @ 4,5 V	± 8v	1193 PF @ 10 V	-	1.3W (TA)
Fjn4302rta	0,0300	RFQ	7488	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif			Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes	FJN430		300 MW	To-92-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	0000.00.0000	472																						50 V	100 mA	100NA (ICBO)			PNP - Pré-biaisé	300 mV à 500 µA, 10mA	30 @ 5mA, 5V	200 MHz	10 kohms	10 kohms
FDD5680	-	RFQ	1442	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®	En gros	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63		MOSFET (Oxyde Métallique)		À 252, (d-pak)	télécharger					EAR99	8541.29.0095	1		Canal n	60 V	8.5A (TA)	6v, 10v	21MOHM @ 8.5A, 10V	4V @ 250µA	46 NC @ 10 V	± 20V	1835 PF @ 30 V	-	2.8W (TA), 60W (TC)
FDP6030L	0,5700	RFQ	61	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®	Tube	Obsolète		-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3		MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220-3	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.29.0095	50		Canal n	30 V	48A (TA)	4,5 V, 10V	13MOHM @ 26A, 10V	3V à 250µA	18 NC @ 5 V	± 20V	1250 pf @ 15 V	-	52W (TC)
BC238BBU	0,0200	RFQ	5464	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Obsolète		150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa)			500 MW	To-92-3	-	Rohs3 conforme			2156-BC238BBU-FS	EAR99	8541.21.0075	1 000																						25 V	100 mA	15NA			NPN	600 mV @ 5mA, 100mA	180 @ 2MA, 5V	250 MHz
FDS4410A	1 0000	RFQ	2286	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®	En gros	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)	FDS44	MOSFET (Oxyde Métallique)		8-SOIC	-	Non applicable	1 (illimité)	Vendeur indéfini		EAR99	8541.29.0095	2 500		Canal n	30 V	10A (TA)		13,5MOHM @ 10A, 10V	3V à 250µA	16 NC @ 5 V		1205 pf @ 15 V	-	-
FDB8878	-	RFQ	9640	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®	En gros	Obsolète		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab		MOSFET (Oxyde Métallique)		D2pak (à 263)	-	Rohs3 conforme				EAR99	8541.29.0095	800		Canal n	30 V	48A (TC)	4,5 V, 10V	14MOHM @ 40A, 10V	2,5 V @ 250µA	23 NC @ 10 V	± 20V	1235 PF @ 15 V	-	47.3W (TC)
FQI5N20TU	0,3100	RFQ	4	Semi-conducteur de Fairchild	QFET®	Tube	Obsolète		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 262-3 longs longs, i²pak, à 262aa		MOSFET (Oxyde Métallique)		I2pak (à 262)	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.29.0095	1 000		Canal n	200 V	4.5a (TC)	10V	1,2 ohm @ 2 25a, 10v	5V @ 250µA	7,5 NC @ 10 V	± 30V	270 pf @ 25 V	-	3.13W (TA), 52W (TC)
Si4420dy	-	RFQ	1290	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®	En gros	Obsolète		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)		MOSFET (Oxyde Métallique)		8-SOIC	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.29.0095	272		Canal n	30 V	12.5A (TA)	4,5 V, 10V	9MOHM @ 12.5A, 10V	1V @ 250µA	53 NC @ 5 V	± 20V	2180 pf @ 15 V	-	2.5W (TA)
1N5256B	1.8600	RFQ	221	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif	± 0,5%	-	Par le trou	DO-204AH, DO-35, Axial	1N5256		500 MW	-	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.10.0050	162																900 mV @ 200 mA		100 na @ 23 V							30 V	49 ohms
1N916	1 0000	RFQ	2109	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif			Par le trou	DO-204AH, DO-35, Axial		Standard		DO-35 (DO-204AH)	télécharger					EAR99	8541.10.0070	1	Petit signal = <200mA (IO), Toute Vinesse													100 V		1 V @ 10 mA	4 ns	5 µA @ 75 V	-65 ° C ~ 175 ° C	200m	2pf @ 0v, 1mhz
HUF75639S3STNL	-	RFQ	9938	Semi-conducteur de Fairchild	Ultrafet ™	En gros	Actif		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab		MOSFET (Oxyde Métallique)		D2pak (à 263)	télécharger					EAR99	8541.29.0095	88		Canal n	100 V	56a (TC)	10V	25MOHM @ 56A, 10V	4V @ 250µA	130 NC @ 20 V	± 20V	2000 pf @ 25 V	-	200W (TC)
Irfw634btmfp001	-	RFQ	8478	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab		MOSFET (Oxyde Métallique)		D2pak	télécharger					EAR99	8541.29.0095	1		Canal n	250 V	8.1a (TA)	10V	450mohm @ 4.05a, 10v	4V @ 250µA	38 NC @ 10 V	± 30V	1000 pf @ 25 V	-	3.13W (TA), 74W (TC)
FQB7N10TM	0 2900	RFQ	1	Semi-conducteur de Fairchild	QFET®	En gros	Obsolète		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab		MOSFET (Oxyde Métallique)		D2pak (à 263)	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.29.0095	800		Canal n	100 V	7.3a (TC)	10V	350 mOhm @ 3 65a, 10v	4V @ 250µA	7,5 NC @ 10 V	± 25V	250 pf @ 25 V	-	3,75W (TA), 40W (TC)
NDP6020P	-	RFQ	1059	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif		-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3	NDP602	MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220-3	télécharger					EAR99	8542.39.0001	1		Canal p	20 V	24a (TC)	4,5 V	50MOHM @ 12A, 4,5 V	1V @ 250µA	35 NC @ 5 V	± 8v	1590 pf @ 10 V	-	60W (TC)
FDB6670	2.4900	RFQ	19	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®	En gros	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab		MOSFET (Oxyde Métallique)		À 263ab	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre Affeté		EAR99	8541.29.0095	800		Canal n	30 V	62A (TA)	4,5 V, 10V	8,5MOHM @ 31A, 10V	3V @ 1MA	32 NC @ 5 V	± 20V	2639 PF @ 15 V	-	62,5W (TC)
FFD04H60	0,5900	RFQ	2	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif			Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63		Standard		À 252, (d-pak)	télécharger					EAR99	8542.39.0001	1	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)													600 V		2.1 V @ 4 A	60 ns	100 µA @ 600 V	-65 ° C ~ 150 ° C	4A	-
FDD7030BL	0.4400	RFQ	80	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®	En gros	Obsolète		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63		MOSFET (Oxyde Métallique)		À 252, (d-pak)	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.29.0095	2 500		Canal n	30 V	14A (TA), 56A (TC)	4,5 V, 10V	9.5MOHM @ 14A, 10V	3V à 250µA	20 nc @ 5 V	± 20V	1425 PF @ 15 V	-	2.8W (TA), 60W (TC)