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Produits semi-conduurs discrètes (5251)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Tolérance	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Technologie	Power - Max	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Configuration	Vitre	Taper fet	Gagner	Égoutter la tension de la source (VDSS)	Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C	Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS)	RDS SUR (MAX) @ ID, VGS	Vgs (th) (max) @ id	Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS	VGS (max)	Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds	FET FONCTION	Dissipation de Puisse (max)	Configuration de diode	Tension - DC inverse (VR) (max)	COURANT - RECTIFIÉ MOYEN (IO) (Per Diode)	Tension - en Avant (vf) (max) @ si	Temps de réménage inversé (TRR)	Courant - FUITE INVERSEE @ VR	Température de FonctionNement - Jonction	Current - Rectifié Moyen (IO)	Capacité @ vr, f	Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max)	Courant - Collectionneur (IC) (Max)	Type de diode	Tension - Pic inverse (max)	COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX)	Tension - Zener (NOM) (VZ)	Impédance (max) (ZZT)	Type de transistor	VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC	Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE	FRÉQUENCE - transition	Figure de Bruit (db typ @ f)
FFP10U20DNTU	0,2500	RFQ	3	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif			Par le trou	À 220-3		Standard		À 220-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Vendeur indéfini		EAR99	8541.10.0080	1		Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)													1 paire la commune de cathode	200 V	10A	1,2 V @ 10 A	35 ns	10 µA @ 200 V	-65 ° C ~ 150 ° C
Irfm210btf	0,2700	RFQ	7	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 261-4, à 261aa		MOSFET (Oxyde Métallique)		SOT-223-4	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	4 000			Canal n		200 V	770mA (TC)	10V	1,5 ohm @ 390mA, 10V	4V @ 250µA	9.3 NC @ 10 V	± 30V	225 pf @ 25 V	-	2W (TC)
TIP102	-	RFQ	9912	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3	TIP102		2 W	À 220ab	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1																								100 V	8 A			50 µA			Npn - darlington	2,5 V @ 80mA, 8A	1000 @ 3A, 4V	-
HUF75852G3	8.6700	RFQ	2	Semi-conducteur de Fairchild	Ultrafet ™	En gros	Actif		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3		MOSFET (Oxyde Métallique)		À 247	télécharger					EAR99	8542.39.0001	1			Canal n		150 V	75A (TC)	10V	16MOHM @ 75A, 10V	4V @ 250µA	480 NC @ 20 V	± 20V	7690 PF @ 25 V	-	500W (TC)
Flz22va	0,0200	RFQ	83	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Obsolète	± 3%	-65 ° C ~ 175 ° C	Support de surface	DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80			500 MW	SOD-80	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.10.0050	2 500																		1,2 V @ 200 mA		133 Na @ 17 V									20,6 V	25,6 ohms
BAW56	0,0300	RFQ	104	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif			Support de surface	À 236-3, SC-59, SOT-23-3	BAW56	Standard		SOT-23-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.10.0070	3 000		Petit signal = <200mA (IO), Toute Vinesse													1 paire Commune d'anode	85 V	200m	1,25 V @ 150 Ma	6 ns	2,5 µA à 70 V	150 ° C
FDS7088N7	2.0300	RFQ	1	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®	En gros	Obsolète		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)		MOSFET (Oxyde Métallique)		8-so	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.29.0095	2 500			Canal n		30 V	23A (TA)	4,5 V, 10V	3MOHM @ 23A, 10V	3V à 250µA	48 NC @ 5 V	± 20V	3845 PF @ 15 V	-	3W (TA)
FQPF5N50CFTU	0,6400	RFQ	3	Semi-conducteur de Fairchild	Frfet®	Tube	Obsolète		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3 EXCHET		MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220f-3	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.29.0095	50			Canal n		500 V	5A (TC)	10V	1 55 ohm @ 2,5a, 10v	4V @ 250µA	24 NC @ 10 V	± 30V	625 PF @ 25 V	-	38W (TC)
MBR1045	0.4400	RFQ	5	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif			Par le trou	À 220-2	MBR104	Schottky		À 220-2	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Vendeur indéfini		EAR99	8541.10.0080	1		Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)														45 V		840 MV @ 20 A		100 µA @ 45 V	-65 ° C ~ 150 ° C	10A	-
SS8050BBU	1 0000	RFQ	7608	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif		150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa)			1 W	To-92-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	0000.00.0000	1																								25 V	1,5 A			100NA (ICBO)			NPN	500 mV @ 80mA, 800mA	85 @ 100mA, 1V	100 MHz
1N4729A	0,0300	RFQ	69	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif	± 0,5%	-	Par le trou	Axial	1N4729		1 W	Do-41g	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.10.0050	1																		1 V @ 100 mA		100 µA @ 1 V									3,6 V	10 ohms
NDF0610	-	RFQ	9776	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif			Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa)		MOSFET (Oxyde Métallique)		To-92-3	télécharger		Vendeur indéfini	Vendeur indéfini	2156F0610-600039			1			Canal p		60 V	180mA (TA)		10OHM @ 500mA, 10V	3,5 V @ 1MA	1,43 NC @ 10 V		60 pf @ 25 V	-
FQI3N80TU	1 0000	RFQ	6011	Semi-conducteur de Fairchild	QFET®	Tube	Obsolète		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 262-3 longs longs, i²pak, à 262aa		MOSFET (Oxyde Métallique)		I2pak (à 262)	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.29.0095	50			Canal n		800 V	3A (TC)	10V	5OHM @ 1,5A, 10V	5V @ 250µA	19 NC @ 10 V	± 30V	690 pf @ 25 V	-	3.13W (TA), 107W (TC)
FCU3400N80Z	0,6100	RFQ	1	Semi-conducteur de Fairchild	Superfet® II	En gros	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 251-3 courtise Pistes, Ipak, à 251aa		MOSFET (Oxyde Métallique)		I-pak	télécharger					EAR99	8542.39.0001	1			Canal n		800 V	2A (TC)	10V	3,4 ohm @ 1a, 10v	4,5 V @ 200µA	9.6 NC @ 10 V	± 20V	400 pf @ 100 V	-	32W (TC)
2N4402TFR	0,0200	RFQ	6833	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Obsolète		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes			625 MW	To-92-3	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.21.0095	2 166																								40 V	600 mA			-			Pnp	750 MV @ 50mA, 500mA	50 @ 150mA, 2V	-
MMBZ5233B	-	RFQ	2732	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Obsolète	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 236-3, SC-59, SOT-23-3			225 MW	SOT-23-3	-	Rohs non conforme		Vendeur indéfini	2156-MMBZ5233B-600039			1																		900 mV @ 10 mA		5 µA à 3,5 V									6 V	7 ohms
SSP1N60A	0,1000	RFQ	5	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3		MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Vendeur indéfini		EAR99	8541.29.0095	1			Canal n		600 V	1A (TC)	10V	12OHM @ 500mA, 10V	4V @ 250µA	11 NC @ 10 V	± 30V	190 pf @ 25 V	-	34W (TC)
DF04S1	-	RFQ	8426	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	4 sous-marins		Standard		4-SDIP	télécharger					EAR99	8541.10.0080	1																		1.1 V @ 1 A		3 µA @ 400 V		1 a				Monophasé	400 V
Ksp10bu	0,0400	RFQ	15	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif		150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa)			350mw	To-92-3	télécharger					EAR99	8542.39.0001	7 036				-																				25V	-						NPN		60 @ 4MA, 10V	650 MHz	-
KST42MTF	-	RFQ	1462	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 236-3, SC-59, SOT-23-3			350 MW	SOT-23-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	0000.00.0000	3 000																								300 V	500 mA			100NA (ICBO)			NPN	500 mV @ 2MA, 20mA	40 @ 30mA, 10V	50 MHz
FDMD86100	1 0000	RFQ	6636	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®	En gros	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-POWERWDFN	FDMD86	MOSFET (Oxyde Métallique)	2.2W	8-PUISSANCE 5X6	télécharger					EAR99	8542.39.0001	1	2 Canaux N (double) couronne source				100V	10A		10,5 mohm @ 10a, 10v	4V @ 250µA	30nc @ 10v		2060pf @ 50v	-
FDS6690AS	1 0000	RFQ	5344	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®, Syncfet ™	En gros	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)	FDS6690	MOSFET (Oxyde Métallique)		8-SOIC	télécharger					EAR99	8542.39.0001	1			Canal n		30 V	10A (TA)	4,5 V, 10V	12MOHM @ 10A, 10V	3V @ 1MA	23 NC @ 10 V	± 20V	910 PF @ 15 V	-	2.5W (TA)
BC308A	0,0200	RFQ	1164	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Obsolète		150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa)			500 MW	To-92-3	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.21.0075	2 396																								25 V	100 mA			15NA			Pnp	500 mV @ 5mA, 100mA	120 @ 2MA, 5V	130 MHz
Ksp43bu	0,0500	RFQ	10	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif		150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa)			625 MW	To-92-3	télécharger					EAR99	8542.39.0001	5 679																								200 V	500 mA			100NA (ICBO)			NPN	500 mV @ 2MA, 20mA	40 @ 30mA, 10V	50 MHz
MJD45H11TM	-	RFQ	3505	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif		150 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63	MJD45		1,75 W	À 252-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre Affeté		EAR99	0000.00.0000	1 158																								80 V	8 A			10 µA			Pnp	1V @ 400mA, 8A	40 @ 4a, 1v	40 MHz
SB580	0,3400	RFQ	1	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif			Par le trou	DO-201D, axial		Schottky		Do-201Dad	télécharger					EAR99	8541.10.0080	876		Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)														80 V		850 mV @ 5 a		500 µA @ 80 V	-55 ° C ~ 150 ° C	5A	380pf @ 4v, 1MHz
ISL9N318AD3ST	0,4300	RFQ	7	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab		MOSFET (Oxyde Métallique)		À 263ab	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre Affeté		EAR99	8541.29.0095	2 500			Canal n		30 V	30a (TC)	4,5 V, 10V	18MOHM @ 30A, 10V	3V à 250µA	28 NC @ 10 V	± 20V	900 pf @ 15 V	-	55W (TA)
Ksh2955tf-fs	-	RFQ	4129	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif		150 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63			1,75 W	D-pak	-	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre Affeté		EAR99	0000.00.0000	2 000																								60 V	10 a			50 µA			Pnp	8V @ 3.3A, 10A	20 @ 4A, 4V	2 MHz
NDT452AP	-	RFQ	8794	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 261-4, à 261aa		MOSFET (Oxyde Métallique)		SOT-223-4	télécharger					EAR99	8542.39.0001	1			Canal p		30 V	5A (TA)	4,5 V, 10V	65MOHM @ 5A, 10V	2,8 V @ 250µA	30 NC @ 10 V	± 20V	690 pf @ 15 V	-	3W (TA)
FDD3670	1 0000	RFQ	2347	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®	En gros	Actif		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63		MOSFET (Oxyde Métallique)		À 252, (d-pak)	télécharger						0000.00.0000	1			Canal n		100 V	34A (TA)	6v, 10v	32MOHM @ 7.3A, 10V	4V @ 250µA	80 NC @ 10 V	± 20V	2490 pf @ 50 V	-	3.8W (TA), 83W (TC)