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Produits semi-conduurs discrètes (5251)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Tolérance	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Fuseau	Numéro de Protuit de Base	Type d'entrée	Technologie	Power - Max	Saisir	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Configuration	Vitre	Taper fet	Condition de test	Gagner	Actualiser	Tension	Tension - isolement	Égoutter la tension de la source (VDSS)	Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C	Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS)	RDS SUR (MAX) @ ID, VGS	Vgs (th) (max) @ id	Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS	VGS (max)	Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds	FET FONCTION	Dissipation de Puisse (max)	Configuration de diode	Tension - DC inverse (VR) (max)	COURANT - RECTIFIÉ MOYEN (IO) (Per Diode)	Tension - en Avant (vf) (max) @ si	Temps de réménage inversé (TRR)	Courant - FUITE INVERSEE @ VR	Température de FonctionNement - Jonction	Current - Rectifié Moyen (IO)	Capacité @ vr, f	Type igbt	Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max)	Courant - Collectionneur (IC) (Max)	COURANT - COPEUR PULSÉ (ICM)	Vce (on) (max) @ vge, ic	Commutation d'Énergie	Charge de Porte	TD (On / Off) à 25 ° C	COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX)	Thermistance NTC	Tension - Zener (NOM) (VZ)	Impédance (max) (ZZT)	Type de transistor	VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC	Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE	FRÉQUENCE - transition	RÉSISTANCE - BASE (R1)	Résistance - Base d'Emetteur (R2)	Figure de Bruit (db typ @ f)
Bzx79c3v3-t50a	0,0200	RFQ	35	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	Par le trou	DO-204AH, DO-35, Axial					500 MW		Do-35	télécharger		Vendeur indéfini	Atteindre Affeté	2156-BZX79C3V3-T50A-600039			1																						1,5 V @ 100 mA		25 µA @ 1 V														3,3 V	95 ohms
FCP4N60	1.1300	RFQ	1	Semi-conducteur de Fairchild	Superfet ™	En gros	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3				MOSFET (Oxyde Métallique)			À 220-3	télécharger					EAR99	8542.39.0001	267			Canal n						600 V	3.9A (TC)	10V	1,2 ohm @ 2a, 10v	5V @ 250µA	16,6 NC @ 10 V	± 30V	540 pf @ 25 V	-	50W (TC)
Bzx55c22	0,0600	RFQ	19	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Obsolète	± 6%	-65 ° C ~ 200 ° C	Par le trou	DO-204AH, DO-35, Axial					500 MW		DO-35 (DO-204AH)	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.10.0050	1 000																						1,3 V @ 100 mA		100 na @ 17 V														22 V	55 ohms
HUF76629D3S	0,7000	RFQ	38	Semi-conducteur de Fairchild	Ultrafet ™	Tube	Obsolète		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63				MOSFET (Oxyde Métallique)			À 252aa	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.29.0095	1 800			Canal n						100 V	20A (TC)		52MOHM @ 20A, 10V	3V à 250µA	46 NC @ 10 V	± 16V	1285 PF @ 25 V	-	110W (TC)
MPS6523	-	RFQ	5385	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Obsolète		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes					625 MW		À 92 (à 226)	-	Rohs3 conforme				EAR99	8541.21.0095	2 000																													25 V	100 mA						50NA (ICBO)				Pnp	500 mV @ 5mA, 50mA	300 @ 2MA, 10V	-
FJN4303RBU	0,0200	RFQ	20	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Obsolète			Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa)		FJN430			300 MW		To-92-3	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.21.0075	1 000																													50 V	100 mA						100NA (ICBO)				PNP - Pré-biaisé	300 mV à 500 µA, 10mA	56 @ 5mA, 5V	200 MHz	22 kohms	22 kohms
Fja4213rtu	2.6300	RFQ	8519	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif		150 ° C (TJ)	Par le trou	TO-3P-3, SC-65-3					130 W		To-3p	télécharger					EAR99	8541.29.0095	1																													250 V	17 A						5µA (ICBO)				Pnp	3V @ 800mA, 8A	55 @ 1A, 5V	30 MHz
Ss9011hbu	0,0200	RFQ	100	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Obsolète		150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa)					400 MW		To-92-3	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.21.0095	1 000																													30 V	30 mA						100NA (ICBO)				NPN	300 mV @ 1MA, 10mA	97 @ 1MA, 5V	2 MHz
BZX79C33-T50A	0,0200	RFQ	30	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	Par le trou	DO-204AH, DO-35, Axial					500 MW		Do-35	télécharger		Vendeur indéfini	Atteindre Affeté	2156-BZX79C33-T50A-600039			1																						1,5 V @ 100 mA		50 na @ 23,1 V														33 V	80 ohms
SFR9120TF	0,2000	RFQ	6	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63				MOSFET (Oxyde Métallique)			À 252-3 (DPAK)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre Affeté		EAR99	8541.29.0095	2 000			Canal p						100 V	4.9a (TC)	10V	600 mOhm @ 2,5a, 10v	4V @ 250µA	20 nc @ 10 V	± 30V	550 pf @ 25 V	-	2.5W (TA), 32W (TC)
BAT54HT1G	-	RFQ	2952	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif			Support de surface	SC-76, SOD-323		Bat54		Schottky			SOD-323	télécharger					EAR99	8541.10.0070	1		Petit signal = <200mA (IO), Toute Vinesse																		30 V		800 mV à 100 mA	5 ns	2 µA @ 25 V	-55 ° C ~ 150 ° C	200m	10pf @ 1v, 1MHz
FFPF20U60DNTU	0,5400	RFQ	23	Semi-conducteur de Fairchild	-	Tube	Obsolète			Par le trou	À 220-3 EXCHET				Standard			À 220f-3	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.10.0080	1 000		Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)																	1 paire la commune de cathode	600 V	20A	2.2 V @ 20 A	90 ns	10 µA @ 600 V	-65 ° C ~ 150 ° C
SGH20N60RUFDTU-FS	1 0000	RFQ	3798	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	TO-3P-3, SC-65-3		SGH20N60	Standard		195 W		To-3p	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	0000.00.0000	1				300 V, 20A, 10OHM, 15V																			50 ns					-	600 V	32 A	60 A	2.8V @ 15V, 20A	524µJ (ON), 473µJ (OFF)	80 NC	30ns / 48ns
FQD30N06TF	-	RFQ	2403	Semi-conducteur de Fairchild	QFET®	En gros	Obsolète		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63				MOSFET (Oxyde Métallique)			À 252, (d-pak)	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.29.0095	21			Canal n						60 V	22.7A (TC)	10V	45MOHM @ 11.4A, 10V	4V @ 250µA	25 NC @ 10 V	± 25V	945 PF @ 25 V	-	2.5W (TA), 44W (TC)
D44H8	-	RFQ	2482	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3		D44H8			2 W		À 220ab	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Vendeur indéfini		EAR99	8541.29.0075	630																													60 V	10 a						10 µA				NPN	1V @ 400mA, 8A	40 @ 4a, 1v	50 MHz
FDMS8888	-	RFQ	4054	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®	En gros	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-PowerTDFN				MOSFET (Oxyde Métallique)			8-pqfn (5x6)	télécharger					EAR99	8542.39.0001	1			Canal n						30 V	13.5A (TA), 21A (TC)	4,5 V, 10V	9,5mohm @ 13,5a, 10v	2,5 V @ 250µA	33 NC @ 10 V	± 20V	1585 pf @ 15 V	-	2.5W (TA), 42W (TC)
FDB5690	1,6000	RFQ	18	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®	En gros	Obsolète		-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab				MOSFET (Oxyde Métallique)			D2pak (à 263)	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.29.0095	800			Canal n						60 V	32A (TC)	6v, 10v	27MOHM @ 16A, 10V	4V @ 250µA	33 NC @ 10 V	± 20V	1120 pf @ 25 V	-	58W (TC)
FGA40S65SH	-	RFQ	9300	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	TO-3P-3, SC-65-3			Standard		268 W		To-3pn	télécharger					EAR99	8542.39.0001	1				400V, 40A, 6OHM, 15V																								Arête du Champ de Tranché	650 V	80 A	120 A	1,81 V @ 15V, 40A	194 µJ (ON), 388 µJ (off)	73 NC	19.2NS / 68.8NS
MM3Z4V3C	0,0400	RFQ	210	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	Support de surface	SC-90, SOD-323F					200 MW		SOD-323F	télécharger					EAR99	8541.10.0050	8 103																						1 V @ 10 mA		2,7 µA @ 1 V														4.3 V	84 ohms
FJN965TA	-	RFQ	6748	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Obsolète		150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes					750 MW		To-92-3	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.21.0075	945																													20 V	5 a						1 µA				NPN	1V @ 100mA, 3A	230 @ 500mA, 2V	150 MHz
FSB50550UTD	10.6200	RFQ	49	Semi-conducteur de Fairchild	Motion SPM® 5	En gros	Actif			Par le trou	Module 23-Powerdip (0 748 ", 19,00 mm)	Mosfet							télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre Affeté		EAR99	8542.39.0001	1	Onduleur Triphasé					2 A	500 V	1500 VRM
FJP5321TU	0,4300	RFQ	5	Semi-conducteur de Fairchild	-	Tube	Obsolète		150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3					100 W		À 220-3	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.29.0095	50																													500 V	5 a						100 µA (ICBO)				NPN	1V @ 600mA, 3A	15 @ 600mA, 5V	14 MHz
MJD31Ceitu	0,3200	RFQ	12	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif		150 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63		MJD31			1,56 W		À 252-3 (DPAK)	télécharger					EAR99	8541.29.0095	1																													100 V	3 A						50 µA				NPN	1,2 V @ 375mA, 3A	60 @ 100mA, 1V	3 MHz
Fmg1g300us60le	73.7500	RFQ	6	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	Module					892 W	Standard	-	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1	Célibataire																											-	600 V	300 A		2,7 V @ 15V, 300A				250 µA	Non
Ss9014dbu	0,0200	RFQ	2	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif		150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa)					450 MW		To-92-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0075	1																													45 V	100 mA						50NA (ICBO)				NPN	300 mV @ 5mA, 100mA	60 @ 1MA, 5V	270 MHz
Fdbl0210n80	-	RFQ	6894	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®	En gros	Actif		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	8 Powersfn				MOSFET (Oxyde Métallique)			8 hpsof	-						0000.00.0000	1			Canal n						80 V	240a (TC)	10V	2MOHM @ 80A, 10V	4V @ 250µA	169 NC @ 10 V	± 20V	10 pf @ 40 V	-	357W (TJ)
Ksc3123ymtf	0,0200	RFQ	5208	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Obsolète		150 ° C (TJ)	Support de surface	À 236-3, SC-59, SOT-23-3					150mw		SOT-23-3	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.21.0075	1 446					20 dB ~ 23 dB																								20V	50m										NPN		120 @ 5mA, 10V	1,4 GHz			3,8 dB ~ 5,5 dB à 200 MHz
FQB27N25TM-F085	1,3000	RFQ	5	Semi-conducteur de Fairchild	Automobile, AEC-Q101	En gros	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab		FQB27		MOSFET (Oxyde Métallique)			D²pak (à 263)	télécharger		Vendeur indéfini	Atteindre non affecté	2156-FQB27N25TM-F085-600039			1			Canal n						250 V	25,5a (TC)	10V	131mohm @ 25,5a, 10v	5V @ 250µA	49 NC @ 10 V	± 30V	1800 pf @ 25 V	-	417W (TC)
2N5830	0,0400	RFQ	47	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Obsolète		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa)					625 MW		To-92-3	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.21.0095	2 000																													100 V	200 mA						50NA (ICBO)				NPN	250 mV @ 5mA, 50mA	80 @ 10mA, 5V	-
FDI038AN06A0	2.9500	RFQ	2	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®	En gros	Actif		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 262-3 longs longs, i²pak, à 262aa				MOSFET (Oxyde Métallique)			I2pak (à 262)	télécharger					EAR99	8542.39.0001	1			Canal n						60 V	17A (TA), 80A (TC)	6v, 10v	3,8MOHM @ 80A, 10V	4V @ 250µA	124 NC @ 10 V	± 20V	6400 PF @ 25 V	-	310W (TC)