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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Tolérance | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Fuseau | Numéro de Protuit de Base | Type d'entrée | Technologie | Power - Max | Saisir | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Configuration | Vitre | Taper fet | Condition de test | Actualiser | Tension | Tension - isolement | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | VGS (max) | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Dissipation de Puisse (max) | Configuration de diode | Tension - DC inverse (VR) (max) | COURANT - RECTIFIÉ MOYEN (IO) (Per Diode) | Tension - en Avant (vf) (max) @ si | Temps de réménage inversé (TRR) | Courant - FUITE INVERSEE @ VR | Température de FonctionNement - Jonction | Current - Rectifié Moyen (IO) | Capacité @ vr, f | Type igbt | Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) | Courant - Collectionneur (IC) (Max) | COURANT - COPEUR PULSÉ (ICM) | Vce (on) (max) @ vge, ic | Commutation d'Énergie | Charge de Porte | TD (On / Off) à 25 ° C | COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) | Thermistance NTC | Tension - Zener (NOM) (VZ) | Impédance (max) (ZZT) | Capacité d'entrée (cies) @ vce | Type de transistor | VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC | Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE | FRÉQUENCE - transition |
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![]() | NDS9430 | 0,6400 | ![]() | 112 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal p | 30 V | 5.3A (TA) | 4,5 V, 10V | 60 mohm @ 5.3a, 10v | 3V à 250µA | 14 NC @ 10 V | ± 20V | 528 pf @ 15 V | - | 2.5W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FFA10U120DNTU | 1.6200 | ![]() | 902 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | Tube | Obsolète | Par le trou | TO-3P-3, SC-65-3 | Standard | To-3p | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 1200 V | 10A | 3,5 V @ 10 A | 100 ns | 10 µA à 1200 V | -65 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MPS6534 | 0,0400 | ![]() | 82 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) | 625 MW | To-92-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.21.0095 | 2 000 | 40 V | 800 mA | 50NA (ICBO) | Pnp | 300 mV @ 10mA, 100mA | 90 @ 100mA, 1v | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FYPF2010DNTU | - | ![]() | 7730 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | Par le trou | À 220-3 EXCHET | FYPF20 | Schottky | À 220f | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 100 V | 20A | 770 MV @ 10 A | 100 µA à 100 V | -65 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FNB51560T1 | 9.2200 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | Motion SPM® 55 | En gros | Actif | Par le trou | Module 20-Powerdip (1 220 ", 31,00 mm) | Igbt | FNB51 | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre Affeté | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | Onduleur Triphasé | 15 A | 600 V | 1500 VRM | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HUFA76439P3 | 0,5700 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | Ultrafet ™ | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 400 | Canal n | 60 V | 75A (TC) | 4,5 V, 10V | 12MOHM @ 75A, 10V | 3V à 250µA | 84 NC @ 10 V | ± 16V | 2745 PF @ 25 V | - | 155W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RFP12N10L | - | ![]() | 5242 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | * | En gros | Actif | télécharger | Vendeur indéfini | Atteindre non affecté | 2156-RFP12N10L-600039 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQA5N90 | 1.1200 | ![]() | 523 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | QFET® | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | TO-3P-3, SC-65-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | To-3p | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 450 | Canal n | 900 V | 5.8A (TC) | 10V | 2,3 ohm @ 2,9a, 10v | 5V @ 250µA | 40 NC @ 10 V | ± 30V | 1550 pf @ 25 V | - | 185W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDB52N20TM | - | ![]() | 2904 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | UniFet ™ | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | MOSFET (Oxyde Métallique) | D2pak (à 263) | télécharger | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | Canal n | 200 V | 52A (TC) | 10V | 49MOHM @ 26A, 10V | 5V @ 250µA | 63 NC @ 10 V | ± 30V | 2900 pf @ 25 V | - | 357W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Ksp8099tf | 0,0200 | ![]() | 25 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes | 625 MW | To-92-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.21.0075 | 15 000 | 80 V | 500 mA | 100NA | NPN | 300 mV @ 10mA, 100mA | 100 @ 1MA, 5V | 150 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fqd19n10ltf | 0,3400 | ![]() | 3288 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | QFET® | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 252, (d-pak) | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 5 | Canal n | 100 V | 15.6a (TC) | 5v, 10v | 100 mohm @ 7.8a, 10v | 2V à 250µA | 18 NC @ 5 V | ± 20V | 870 pf @ 25 V | - | 2,5W (TA), 50W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FMG2G75US60 | 35.4500 | ![]() | 48 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Soutenir de châssis | 19 H GA | 310 W | Standard | 19 H GA | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 15 | Demi-pont | - | 600 V | 75 A | 2.8V @ 15V, 75A | 250 µA | Non | 7.056 NF @ 30 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fdmc6890nz | 0,3700 | ![]() | 14 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | Pad Exposé 6-WDFN | FDMC6890 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 1 92W, 1,78W | Microfet 3x3 mm | télécharger | EAR99 | 8542.39.0001 | 804 | 2 Canaux N (double) | 20V | 4A | 68MOHM @ 4A, 4,5 V | 2V à 250µA | 3.4nc @ 4,5 V | 270pf @ 10v | Porte de Niveau Logique | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MPS6515 | 0,0400 | ![]() | 39 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) | 625 MW | To-92-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.21.0095 | 2 000 | 25 V | 200 mA | 50NA (ICBO) | NPN | 500 mV @ 5mA, 50mA | 250 @ 2MA, 10V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FJP13009TU | 0 4700 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | 100 W | À 220-3 | télécharger | EAR99 | 8542.39.0001 | 641 | 400 V | 12 A | - | NPN | 3V @ 3A, 12A | 8 @ 5a, 5v | 4 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FNB81560T3 | 11.8900 | ![]() | 720 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | Motion SPM® 8 | En gros | Actif | Par le trou | Module de 25-Powerdip (0,815 ", 20,70 mm) | Igbt | télécharger | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | Onduleur Triphasé | 15 A | 600 V | 1500 VRM | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDP050AN06A0 | - | ![]() | 4914 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220-3 | télécharger | 0000.00.0000 | 1 | Canal n | 60 V | 18A (TA), 80A (TC) | 6v, 10v | 5MOHM @ 80A, 10V | 4V @ 250µA | 80 NC @ 10 V | ± 20V | 3900 pf @ 25 V | - | 245W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HUF75639P3_F102 | - | ![]() | 9810 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | * | En gros | Actif | - | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FFPF10H60STU | 0,4800 | ![]() | 9 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | Tube | Obsolète | Par le trou | À 220-2 EXCHET | Standard | À 220f-2l | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 600 V | 2,5 V @ 10 A | 40 ns | 1 ma @ 600 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 10A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FGH40N60SFDTU-F085 | - | ![]() | 3793 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | Automobile, AEC-Q101 | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 247-3 | Standard | 290 W | À 247 | télécharger | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 400V, 40A, 10 ohms, 15v | 68 ns | Arrêt sur le terrain | 600 V | 80 A | 120 A | 2,9 V @ 15V, 40A | 1 23MJ (ON), 380µJ (OFF) | 121 NC | 21ns / 138ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FSBS10SM60I | 9.7400 | ![]() | 305 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | * | En gros | Actif | - | Non applicable | 3 (168 Heures) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDD6680 | 1.5300 | ![]() | 31 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 252, (d-pak) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal n | 30 V | 55A (TA) | 4,5 V, 10V | 11MOHM @ 12.5A, 10V | 3V @ 1MA | 24 NC @ 5 V | ± 20V | 2010 PF @ 15 V | - | 1.3W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMBT4400 | 0,0300 | ![]() | 97 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBT4400 | 350 MW | SOT-23 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 8 876 | 40 V | 600 mA | - | NPN | 750 MV @ 50mA, 500mA | 50 @ 150mA, 10V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N6006B | 2 0000 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | Par le trou | DO-204AH, DO-35, Axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.10.0050 | 163 | 1,2 V @ 200 mA | 100 na @ 14 V | 18 V | 42 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NDS9405 | 0,3700 | ![]() | 14 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-SOIC | télécharger | Rohs non conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal p | 20 V | 4.3A (TA) | 4,5 V, 10V | 100MOHM @ 2A, 10V | 3V à 250µA | 40 NC @ 10 V | ± 20V | 1425 pf @ 10 V | - | 2.5W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDPF390N15A | - | ![]() | 8458 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 EXCHET | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220f-3 | - | 2156-FDPF390N15A | 1 | Canal n | 150 V | 15A (TC) | 10V | 40 mohm @ 15a, 10v | 4V @ 250µA | 18,6 NC @ 10 V | ± 20V | 1285 PF @ 75 V | - | 22W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SFF9250L | 0,6800 | ![]() | 9001 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | TO-3P-3 EXCHET | MOSFET (Oxyde Métallique) | To-3pf | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 360 | Canal p | 200 V | 12.6A (TC) | 5V | 230MOHM @ 6.3A, 5V | 2V à 250µA | 120 NC @ 5 V | ± 20V | 3250 pf @ 25 V | - | 90W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fqp3n90 | 0,5900 | ![]() | 22 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | QFET® | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 900 V | 3.6A (TC) | 10V | 4,25 ohm @ 1,8A, 10V | 5V @ 250µA | 26 NC @ 10 V | ± 30V | 910 PF @ 25 V | - | 130W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAW56T | 0,0200 | ![]() | 9154 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | Support de surface | SOT-523 | BAW56 | Standard | SOT-523 | télécharger | Non applicable | EAR99 | 8541.10.0070 | 3 000 | Petit signal = <200mA (IO), Toute Vinesse | 1 paire Commune d'anode | 85 V | 75mA | 1 V @ 50 Ma | 4 ns | 2 µA @ 75 V | 125 ° C (max) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MM3Z30VC | 0,0400 | ![]() | 12 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Support de surface | SC-90, SOD-323F | 200 MW | SOD-323F | télécharger | EAR99 | 8541.10.0050 | 8 013 | 1 V @ 10 mA | 45 na @ 21 V | 30 V | 75 ohms |
Volume de RFQ moyen quotidien
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